包括导热主体和半导体发光器件的照明器件制造技术

照明器件包括主体（39）。主体（10）包括具有多个导电焊盘（50，52）的安装区域（11）和从安装区域（11）延伸的细长构件（16）。安装区域（11）和细长构件（16）由导热电绝缘材料形成。导电焊盘（50、52）嵌在导热电绝缘材料中。器件还包括布置成与在安装区域（11）中的主体（10）直接接触的半导体发光器件（12）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括导热主体的照明器件。
技术介绍
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件在当前可得到的最高效的光源内。当前在能够跨越可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中所感兴趣的材料系包括第III-V族半导体，特别是也被称为III-氮化物材料的镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金。一般，通过使具有不同成分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层在蓝宝石、碳化硅、III-氮化物或其它适当的衬底上通过金属有机气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术外延地生长来制造III-氮化物发光器件。叠层常常包括掺杂有例如Si、在衬底之上形成的一个或多个n型层、在一个或多个n型层上形成的在有源区中的一个或多个发光层以及掺杂有例如Mg的在有源区之上形成的一个或多个p型层。电触头在n和p型区上形成。图1示出用于将至少一个LED安装到散热器的金属块240，其在US7625104中被更详细描述。LED裸片244安装在金属块的安装部分248上。例如，金属块由导热材料例如铝、钢或铜形成。金属块还包括支柱250。支柱250包括在支柱的远端处的螺纹部分252。螺纹螺母254被接纳在支柱250的螺纹部分252上。金属块240被显示为安装到散热器270。散热器270包括用于接纳支柱250的开口272。导热材料249布置在散热器270的前表面274和金属块的安装部分248之间。金属块240通过啮合螺纹螺母154并使螺纹螺母254变紧而固定到散热器270，因而使金属块的安装部分248被促使与散热器270的前表面274热耦合。导体260和262经过支柱250的螺纹部分252的端部延伸，并便于连接到用于向LED244供应操作电流的电流源。散热器270具有圆柱形罐形主体，其进一步充当用于收集并引导由LED裸片244产生的光的光反射器和/或光导。导体260和262可连接到在用于悬挂LED装置的房间的天花板上的照明装置（未示出）。在其它实施例中，散热器270可以例如是板或具有冷却鳍片的散热器。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供可在有或没有单独散热器的情况下使用的照明器件。在本专利技术的实施例中，照明器件包括主体。主体包括具有多个导电焊盘的安装区域和从安装区域延伸的细长构件。安装区域和细长构件由导热电绝缘材料形成。导电焊盘嵌在导热电绝缘材料中。器件还包括布置成与在安装区域中的主体直接接触的半导体发光器件。在本专利技术的实施例中，照明器件包括主体。主体包括导热电绝缘材料。半导体发光器件安装在主体上。主体配置成附接到板金属而没有散热器。附图说明图1示出附接到安装在散热器上的金属块的LED。图2示出根据本专利技术的实施例的照明器件。图3示出半导体发光二极管的例子。图4是图2所示的照明器件的主体的顶视图。图5是图2所示的照明器件的横截面视图。图6是包括电路例如驱动器电路的照明器件的横截面视图。图7是在图6中的横截面中所示的接触焊盘的顶视图。具体实施方式在图1所示的结构中，一个或多个LED244使用螺纹支柱250附接到金属块。金属块必须接着被附接到散热器，其可被成形为光导或反射器。换句话说，为了最有效地使用在图1中示出的所安装的LED，用户或购买者必须熟悉热管理和光学器件，使得用户或购买者可选择适当的散热器和/或反射器或光导来与图1的所安装的LED一起安装。在本专利技术的实施例中，照明器件例如LED安装在具有足够好的热性能的主体上，使得外部散热器可以是不需要的。透镜可在LED之上形成。相应地，结构的用户或购买者在热管理或光学器件中不需要任何专门技术。所安装的LED可附接到简单的结构，例如板金属。图2示出本专利技术的实施例。发光器件12（例如LED）附接到主体10。发光器件12附接到在主体的顶表面上的安装区域11上的导电焊盘。在图4中更详细示出包括安装区域的顶表面。透镜14可在发光器件12之上形成，如图5和6所示。主体10包括从安装区域11延伸的细长构件16。细长构件可用于将主体10附接到另一结构，例如具有用于容纳细长构件16的孔的板金属。在一些实施例中，如图2所示，细长构件16可具有螺纹表面17。螺纹表面17可容纳用于将主体10紧固到另一结构的螺母（未在图2中示出）。虽然图2所示的例子使用螺纹细长构件16和螺母来将主体附接到另一结构，可使用用于将主体附接到另一结构的任何适当的结构，例如扭锁布置、弹簧推进布置、基于铆钉的布置或任何其它适当的机械布置。用于提供与主体10的安装区域中的导电焊盘的电连接的结构18布置在细长构件16的端部处。电连接结构可以是任何适当的结构，包括电线、金属扁平接线片、金属支柱或任何其它适当的结构。在一些实施例中，结构18是绝缘位移连接器或IDC，其可在低成本下集成到主体10内。图3示出可在本专利技术的实施例中使用的III-氮化物LED的一个例子。可使用任何适当的发光器件12，且本专利技术不限于图3所示的例子。虽然在图3的例子中半导体发光器件是发射蓝光或UV光的III-氮化物LED，可使用除了LED以外的半导体发光器件，例如激光二极管和由其它材料系（例如其它III-V材料、III-磷化物、III-砷化物、II-VI材料、ZnO或基于Si的材料）制成的半导体发光器件。通过使III-氮化物半导体结构22在生长衬底20上生长来形成图3的器件，如在本领域中已知的。生长衬底常常是蓝宝石，但可以是任何适当的衬底，例如SiC、Si、GaN或复合衬底。III-氮化物半导体结构生长于的生长衬底的表面可在生长之前被图案化、粗糙化或纹理化，这可提高来自器件的光提取。生长衬底的与生长表面相对的表面（即在倒装芯片配置中大部分光被提取所经由的表面）可在生长之前或之后被图案化、粗糙化或纹理化，这可提高来自器件的光提取。半导体结构包括夹在n和p型区之间的发光或有源区。n型区24可首先生长，并可包括多层不同的成分和掺杂剂浓度，包括例如预备层（例如缓冲层或成核层）和/或设计成便于生长衬底的移除的层（其可以是n型或非有意掺杂的）以及针对特定的光、材料或电特性而设计的n或p型器件层，这些特性对使发光区有效地发射光来说是合乎需要的。发光或有源区26在n型区之上生长。适当的发光区的例子包括单个厚或薄发光层或多个量子阱发光区（包括由阻挡层分离的多个薄或厚发光层）。P型区28可接着在发光区之上生长。像n型区一样，p型区可包括具有不同成分、厚度和掺杂剂浓度的多个层，包括非有意掺杂的层或n型层。在生长之后，p触头32在p型区28的表面上形成。P触头32常常包括多个导电层，例如可防止或减小反射金属的电迁移的反射金属和防护金属。反射金属常常是银，但可使用任何适当的一种或多种材料。在形成p触头32之后，p触头32、p型区28和有源区26的一部分被移除以暴露n触头30被形成于的n型区24的一部分。n和p触头30和32通过间隙34彼此电隔离，间隙34可填充有电介质，例如硅的氧化物或任何其它适当的材料。可形成多个n触头通孔；n和p触头30和32不限于图3所示的布置。n和p触头可与电介质/金属叠层重新分布在一起，如在本领域中已知的。LED19可附接到底座40。为了形成在LED19和底座40之间的电连接，一个或多个互连37和38在n和p本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种照明器件，包括：主体，其包括：安装区域，其包括多个导电焊盘；以及细长构件，其从所述安装区域延伸；其中所述安装区域和所述细长构件由导热电绝缘材料形成，以及所述多个导电焊盘嵌在所述导热电绝缘材料中；以及半导体发光器件，其布置成与在所述安装区域中的所述主体直接接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.07 US 61/9759661.一种照明器件，包括：主体，其包括：安装区域，其包括多个导电焊盘；以及细长构件，其从所述安装区域延伸；其中所述安装区域和所述细长构件由导热电绝缘材料形成，以及所述多个导电焊盘嵌在所述导热电绝缘材料中；以及半导体发光器件，其布置成与在所述安装区域中的所述主体直接接触。2.如权利要求1所述的照明器件，其中所述照明器件具有小于10°C/W的热阻。3.如权利要求1所述的照明器件，其中所述导热电绝缘材料是聚合物。4.如权利要求1所述的照明器件，其中所述细长构件包括螺纹部分。5.如权利要求1所述的照明器件，还包括从所述细长构件的与所述安装区域相对的端部突出的第一电连接器和第二电连接器，其中所述第一电连接器和第二电连接器通过第一导电线和第二导电线电连接到布置在所述安装区域中的第一导电焊盘和第二导电焊盘，其中所述第一导电线和第二导电线嵌在所述细长构件内。6.如权利要求1所述的照明器件，还包括布置在所述半导体发光器件之上并与所述主体直接接触的透镜。7.如权利要求1所述的照明器件，还包括用于连接到所述细长构件的紧固件，所述紧固件包括电路。8.如权利要求7所述的照明器件，其中：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：JD克梅特，FJ沃尔，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL