一种光强度高的LED蓝宝石衬底制造技术

本实用新型专利技术公开了一种光强度高的LED蓝宝石衬底，包括复合衬底、光刻胶、量子阱、P型GaN层、N型GaN层、掩蔽层、上衬底和下衬底，所述复合衬底上侧安装有掩蔽层，且掩蔽层上侧安装有光刻胶，所述光刻胶上侧安装有N型GaN层，且N型GaN层左上侧安装有量子阱，所述量子阱上侧安装有P型GaN层，所述P型GaN层上侧安装有电流扩展层，且电流扩展层上侧安装有P型电极，所述N型GaN层右通过焊点和N型电极焊接。本实用新型专利技术通过复合衬底由上衬底和下衬底组成，良品率高，使用寿命长，而且不会复杂化产品结构，维持成本稳定。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及衬底
，具体为一种光强度高的LED蓝宝石衬底。
技术介绍
目前，LED是一种半导体发光器件，现如今被广泛的用做指示灯、显示屏等，它具有光效高、无辐射、寿命长、低功耗和环保等优点。LED灯的制造需要一种衬底材料，通常做为衬底材料的有硅、碳化硅和砷化镓等，但是这些材料价格太高，而且晶体质量和机械加工性能比较差，良品率较低，不能够实现量产化生产，现有的衬底光效率低，光角度少，无法满足人们的需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种光强度高的LED蓝宝石衬底，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种光强度高的LED蓝宝石衬底，包括复合衬底、光刻胶、量子阱、P型GaN层、N型GaN层、掩蔽层、上衬底和下衬底，所述复合衬底上侧安装有掩蔽层，且掩蔽层上侧安装有光刻胶，所述光刻胶上侧安装有N型GaN层，且N型GaN层左上侧安装有量子阱，所述量子阱上侧安装有P型GaN层，所述P型GaN层上侧安装有电流扩展层，且电流扩展层上侧安装有P型电极，所述N型GaN层右通过焊点和N型电极焊接。优选的，所述掩蔽层和光刻胶之间涂有增粘剂。优选的，所述复合衬底由上衬底和下衬底组成。优选的，所述上衬底和下衬底之间的连接方式为卡接。优选的，所述复合衬底采用的是蓝宝石衬底。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该设备通过掩蔽层和光刻胶之间涂有增粘剂，能够实现对复合衬底进行刻蚀，增加光效率和发光角度，提高了LED灯的亮度，通过上衬底和下衬底之间的连接方式为卡接，增大接触面积，同时也增加了出光率，通过复合衬底由上衬底和下衬底组成，良品率高，使用寿命长，而且不会复杂化产品结构，维持成本稳定，通过复合衬底采用的是蓝宝石衬底，机械强度高，易于清洗和处理，且结构简单，设计合理。附图说明图1为本技术的结构示意图。图中：1-P型电极；2-电流扩展层；3-P型GaN层；4-量子阱；5-N型GaN；6-光刻胶；7-掩蔽层；8-下衬底；9-上衬底；10-焊点；11-N型电极；12-复合衬底。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术提供的一种实施例：一种光强度高的LED蓝宝石衬底，包括复合衬底12、光刻胶6、量子阱4、P型GaN层3、N型GaN层5、掩蔽层7、上衬底9和下衬底8，复合衬底12上侧安装有掩蔽层7，且掩蔽层7上侧安装有光刻胶6，光刻胶6上侧安装有N型GaN层5，且N型GaN层5左上侧安装有量子阱4，量子阱4上侧安装有P型GaN层3，P型GaN层3上侧安装有电流扩展层2，且电流扩展层2上侧安装有P型电极1，N型GaN层5右通过焊点10和N型电极11焊接，掩蔽层7和光刻胶6之间涂有增粘剂，复合衬底12由上衬底9和下衬底8组成，上衬底9和下衬底8之间的连接方式为卡接，复合衬底12采用的是蓝宝石衬底。工作原理：使用时，N型电极和P型电极1之间接入电压，N型GaN层5和P型GaN层3形成光子，复合衬底12进行反射，光刻胶3对复合衬底12进行刻蚀，，增加光效率和发光角度，提高了LED灯的亮度，复合衬底12由上衬底9和下衬底8组成，良品率高，使用寿命长，而且不会复杂化产品结构，维持成本稳定，复合衬底12采用的是蓝宝石衬底，机械强度高，易于清洗和处理，上衬底9和下衬底8之间的连接方式为卡接，增大接触面积，同时也增加了出光率。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光强度高的LED蓝宝石衬底，包括复合衬底（12）、光刻胶（6）、量子阱（4）、P型GaN层（3）、N型GaN层（5）、掩蔽层（7）、上衬底（9）和下衬底（8），其特征在于：所述复合衬底（12）上侧安装有掩蔽层（7），且掩蔽层（7）上侧安装有光刻胶（6），所述光刻胶（6）上侧安装有N型GaN层（5），且N型GaN层（5）左上侧安装有量子阱（4），所述量子阱（4）上侧安装有P型GaN层（3），所述P型GaN层（3）上侧安装有电流扩展层（2），且电流扩展层（2）上侧安装有P型电极（1），所述N型GaN层（5）右通过焊点（10）和N型电极（11）焊接。

【技术特征摘要】
1.一种光强度高的LED蓝宝石衬底，包括复合衬底（12）、光刻胶（6）、量子阱（4）、P型GaN层（3）、N型GaN层（5）、掩蔽层（7）、上衬底（9）和下衬底（8），其特征在于：所述复合衬底（12）上侧安装有掩蔽层（7），且掩蔽层（7）上侧安装有光刻胶（6），所述光刻胶（6）上侧安装有N型GaN层（5），且N型GaN层（5）左上侧安装有量子阱（4），所述量子阱（4）上侧安装有P型GaN层（3），所述P型GaN层（3）上侧安装有电流扩展层（2），且电流扩展层（2）上侧安装有P型电极（1），所述N型GaN层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐翊翔，李彬彬，林基明，徐光，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35