薄膜晶体管基板制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管基板，包括：基板；至少一条信号线，设于基板上；修补线，设于信号线上，且电连接至该信号线；及遮光层，设于修补线上，其中遮光层完全覆盖修补线，且遮光层的面积大于修补线的面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管基板，且特别是涉及一种具有修补线的薄膜晶体管基板。
技术介绍
液晶显示装置近年来已经被大量应用在各式各样产品的显示元件上。液晶显示装置是利用液晶分子在不同排列状态下，对于光线具有不同的偏振或折射效果的特性来控制光线的穿透量，进而使液晶显示装置得以产生影像。传统扭转向列型(TwistedNematic，TN)液晶显示装置，具有非常好的穿透特性，但受到液晶分子结构与光学特性的影响，相对其视角非常狭窄。为了解决此问题，近来业者已开发出其它种形态的广视角液晶显示装置，例如平面电场切换(In-PlaneSwitching，简称IPS)液晶显示装置以及边缘电场切换(Fringe-FieldSwitching，简称FFS)液晶显示装置等具有广视角的液晶显示装置。而上述显示装置包括一薄膜晶体管基板，且此薄膜晶体管基板包括数据线及/或栅极线。然而，由于制作工艺时候成膜、光刻及蚀刻等制造工艺的影响，数据线及/或栅极线容易发生断线或错误的电连接，导致线缺陷。而且当液晶面板分辨率提高时，由于开口率等因素的制约，数据线及/或栅极线变窄，更容易发生断线或电性不良现象。因此，为避免液晶面板生产由于线缺陷而导致良率下降，需要对数据线及/或栅极线的线缺陷进行修复。然而，目前经修复的薄膜晶体管基板并非各方面都令人满意。因此，业界仍需一种具有更高制作工艺良率的经修复的薄膜晶体管基板。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种薄膜晶体管基板，包括：基板；至少一条信号线，设于基板上；修补线，设于该信号线上，且电连接至该信号线；及遮光层，设于修补线上，其中遮光层完全覆盖修补线，且遮光层的面积大于修补线的面积。为让本专利技术的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术实施例的薄膜晶体管基板的上视图；图2A为本专利技术实施例的薄膜晶体管基板的上视图；图2B为沿着图2A的线段2B-2B’所绘制的剖视图；图2C为沿着图2A的线段2C-2C’所绘制的剖视图；图3A为本专利技术实施例的薄膜晶体管基板的上视图；图3B为沿着图3A的线段3B-3B’所绘制的剖视图；图3C为沿着图3A的线段3C-3C’所绘制的剖视图；图4A为本专利技术实施例的薄膜晶体管基板的上视图；图4B为沿着图4A的线段4B-4B’所绘制的剖视图；图4C为沿着图4A的线段4C-4C’所绘制的剖视图；图4D为本专利技术实施例的薄膜晶体管基板的上视图；图4E为沿着图4D的线段4E-4E’所绘制的剖视图；图4F为沿着图4D的线段4F-4F’所绘制的剖视图；图5为本专利技术另一实施例的薄膜晶体管基板的上视图；图6为本专利技术又一实施例的薄膜晶体管基板的上视图；图7为本专利技术再一实施例的薄膜晶体管基板的上视图；图8为本专利技术一实施例的显示装置的剖视图。符号说明100薄膜晶体管基板；102基板；104信号线；106电连接故障结构；108栅极线；108E栅极电极；110数据线；110E源极电极；110A隔离部分；110B第一部分；110C第二部分；112薄膜晶体管；114次像素；116栅极介电层；118半导体层；120漏极电极；122欧姆接触层；124保护层；126开口；128像素电极；130凹槽；130B底面；132接触孔；132A第一接触孔；132B第二接触孔；134A第一断开槽；134B第二断开槽；136绝缘材料；138修补线；140遮光层；142低介电常数材料层；144修补线；146电连接故障结构；148修补线；150凹槽；152电连接故障结构；154修补线；156凹槽；200薄膜晶体管基板；300薄膜晶体管基板；400薄膜晶体管基板；500显示装置；600对向基板；700显示介质；2A区域；2C-2C’线段；2B-2B’线段；3C-3C’线段；3B-3B’线段；4C-4C’线段；4B-4B’线段；4F-4F’线段；4E-4E’线段；A1方向；A2方向。具体实施方式以下针对本专利技术的薄膜晶体管基板作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本专利技术的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单描述本专利技术。当然，这些仅用以举例而非本专利技术的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，也可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。必需了解的是，为特别描述或图示的元件可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述图示的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将图示的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。在此，“约”、“大约”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，优选是10％之内，且更佳是5％之内。在此给定的数量为大约的数量，意即在没有特定说明的情况下，仍可隐含“约”、“大约”的含义。本专利技术实施例是利用一面积大于修补线面积的遮光层，以遮蔽修补后可能发生的漏光现象，并由此提升经修复后的薄膜晶体管基板的制作工艺良率。图1为本专利技术实施例的薄膜晶体管基板100的上视图，参见图1，薄膜晶体管基板100包括基板102(可见图2B)以及设于此基板102上的至少一条信号线104，且其中一条信号线104具有电连接故障结构106。详细而言，参见图2A，上述至少一条信号线104包括多条栅极线108及多条数据线110，且薄膜晶体管基板100包括薄膜晶体管112。此数据线110通过薄膜晶体管112提供源极信号至次像素114，而此栅极线108通过薄膜晶体管112提供扫描脉冲信号至次像素114，并配合上述源极信号一同控制次像素114。此外，此栅极线108沿着方向A1延伸，而大抵垂直(perpendicular)或正交(orthogonal)此栅极线延伸方向A1的方向为方向A2。而在一实施例中，数据线110可沿着方向A2延伸，并与此栅极线108大抵垂直(perpendicular)或正交(orthogonal)。此外，多条栅极线108及多条数据线110共同定义出上述次像素114。参见图2B，此基板102可为透明基板，此透明基板可包括玻璃基材、陶瓷基材、塑胶基材或其它任何适合的透明基板。而上述栅极线108与数据线110的材料可包括铜、铝、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。在其它实施例中，上述栅极线108与数据线110的材料可为一非金属材料，只要使用的材料具有导电性即可。此外，如图2C所示，栅极线108形成在基板102上。而栅极介电层116形成在基板102上且覆盖栅极线108。而数据线110形成在栅极介电层116上。此栅极介电层116可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：基板；至少一信号线，设于该基板上；修补线，设于该信号线上，且电连接至该信号线；及遮光层，设于该修补线上，其中该遮光层覆盖该修补线，且该遮光层的面积大于该修补线的面积。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板，包括：基板；至少一信号线，设于该基板上；修补线，设于该信号线上，且电连接至该信号线；及遮光层，设于该修补线上，其中该遮光层覆盖该修补线，且该遮光层的面积大于该修补线的面积。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：低介电常数材料层，设于该遮光层上。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，还包括：保护层，设于该信号线上；像素电极，设于该保护层上；凹槽，设于该保护层中；及接触孔，自该凹槽的一底面向下延伸并露出该信号线的一部分，其中该修补线设于该凹槽内，且通过该接触孔电连接至该信号线，且该修补线和该凹槽的侧壁之间具有一间隙。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中该遮光层与该低介电常数材料层设于该凹槽中，且该遮光层与该低介电常数材料层都直接接触该凹槽的侧壁。5.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中该像素电极设于该凹槽所对应的区域之外。6.如权利要求3所述的薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：林必立，郭宗仁，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71