切割片用基材膜及切割片制造技术

本发明专利技术涉及一种切割片用基材膜(2)，其用于具备基材膜(2)、层叠于基材膜(2)单面的粘着剂层(3)的切割片(1)，其中，所述切割片用基材膜(2)至少具有：与切割片(1)的粘着剂层(3)接触的第一树脂层(A)、和卷取切割片用基材膜(2)时与第一树脂层(A)接触的第二树脂层(B)，第二树脂层(B)的结晶度为28～45％，第一树脂层(A)的拉伸模量相对于第二树脂层(B)的拉伸模量的比例为1.2～3.0，第一树脂层(A)的厚度相对于切割片用基材膜(2)的厚度的比例为25～80％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在将半导体晶圆等被切断物切断分离成组件小片之际，该被切断物所贴附的切割片(dicingsheet)及用于该切割片的基材膜。
技术介绍
硅、砷化镓等半导体晶圆及各种封装体类(以下有时将这些统记为“被切断物”)，以大直径的状态被制造，这些被切断分离(切割(dicing))成组件小片(以下记载为“芯片”)，同时分别被剥离(拾取)后，移到下一个工序，即安装工序。此时，半导体晶圆等被切断物以贴附于具备基材膜及粘着剂层的切割片的状态，被交付于切割、清洗、干燥、扩展、拾取以及安装的各工序。在此，在上述切割片的基材膜中，有产生粘连(blocking)问题的情形。即，在卷取基材膜时，有时重叠的基材膜彼此相互粘附，送出基材膜时，不能送出或送出中产生不良情况。而且，作为切割片使用时，有时基材膜粘附于切割台，产生输送错误。另外，在上述切割工序中，由于被切断物固定不足等原因，有时在芯片的切断面产生碎片(chipping)。这样的碎片使芯片自身的弯曲强度降低，或将空气卷入至密封的IC的封装体内,容易引起封装体裂缝。近来，半导体晶圆的薄膜化在进步，但是厚度变得越薄，则产生如上所述的碎片的可能性越高。另一方面，作为切割工序的具体方法，在一般的全切割(full-cutdicing)中，用旋转的圆刀进行被切断物的切割。在全切割中，为使贴附有切割片的被切断物全面可靠地被切断，有超过被切断物的厚度将粘着剂层也切断，甚至于有将基材膜的一部分也切断的情形。此时，由粘着剂层及构成基材膜的材料所组成的切割屑，自切割片产生，有时所得到的芯片因为该切割屑而被污染。这种切割屑的形态之一，有附着于切割线、或附着于因切割而分离的芯片断面附近的丝状的切割屑。当在如上所述的丝状切割屑附着于芯片的状态下进行芯片的密封时，则附着于芯片的丝状切割屑因密封的热而分解，该热分解物会破坏封装体，成为在所得到的器件产生操作不良的原因。因为该丝状切割屑难以通过清洗而去除，因此丝状切割屑的产生使得切割工序的成品率显著下降。因此，使用切割片进行切割时，要求防止丝状切割屑的产生。以抑制这种切割屑的产生为目的，在专利文献1中，作为切割片的基材膜，公开了一种使用照射1～80Mrad的电子射线或γ(gamma)射线的聚烯烃类膜的专利技术。在该专利技术中，认为通过照射电子射线或γ射线，构成基材膜的树脂进行交联，而抑制切割屑的产生。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平5-211234号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，若通过照射电子射线或γ射线，使构成基材膜的树脂交联，则有树脂的机械特性降低，上述的碎片产生的可能性增加的问题。本专利技术鉴于如上所述的实际状况而完成，目的在于提供一种可以抑制粘连(blocking)的产生，同时被切断物切割时的耐碎片性优异，而且可以使切割时所产生的切割屑降低的切割片用基材膜及切割片。解决技术问题的技术手段为达到上述目的，第一，本专利技术提供一种切割片用基材膜，其用于具有基材膜、和层叠于所述基材膜的单面上的粘着剂层的切割片，其特征在于：所述切割片用基材膜至少具有：与所述切割片的粘着剂层接触的第一树脂层(A)、和卷取所述切割片用基材膜时与所述第一树脂层(A)接触的第二树脂层(B)，所述第二树脂层(B)的结晶度为28～45％，所述第一树脂层(A)的拉伸模量相对于所述第二树脂层(B)的拉伸模量的比例为1.2～3.0，所述第一树脂层(A)的厚度相对于所述切割片用基材膜的厚度的比例为25～80％(专利技术1)。在上述专利技术(专利技术1)中，通过满足上述物性，可以抑制粘连的产生。另外，相对于具有凹凸的吸附台等的凹凸追随性优异，切割时可以将被切断物完全固定，其结果，发挥优异的耐碎片性。而且，可以降低切割时产生的切割屑。在上述专利技术(专利技术1)中，所述第一树脂层(A)与所述第二树脂层(B)之间，也可以层叠其他层，此时，所述其他层的拉伸模量优选为所述第一树脂层(A)的拉伸模量以下(专利技术2)。在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选至少所述第一树脂层(A)及所述第二树脂层(B)含有烯烃类树脂(专利技术3)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，所述第二树脂层(B)优选含有选自乙烯的均聚物、及乙烯与(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯的共聚物中的至少一种(专利技术4)。在上述专利技术(专利技术1～4)中，所述第一树脂层(A)，作为一个例子，优选由含有乙烯类共聚物(a1)、三元共聚物(a2)、及聚烯烃(a3)的树脂组合物(R1)形成，其中，所述乙烯类共聚物(a1)选自乙烯-α,β-不饱和羧酸共聚物、及乙烯-α,β-不饱和羧酸-α,β-不饱和羧酸酯共聚物，所述三元共聚物(a2)具有来自α-烯烃的结构单元、来自(甲基)丙烯酸缩水甘油酯或缩水甘油基不饱和醚的结构单元、及来自乙烯基酯或不饱和羧酸酯的结构单元(专利技术5)。在上述专利技术(专利技术5)中，所述乙烯类共聚物(a1)优选为乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物(专利技术6)。在上述专利技术(专利技术5、6)中，所述三元共聚物(a2)优选为乙烯-(甲基)丙烯酸缩水甘油酯-丙烯酸烷基酯共聚物(专利技术7)。在上述专利技术(专利技术1～4)中，所述第一树脂层(A)，作为一个例子，优选由含有乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物(a4)、与聚丙烯类树脂(a5)的树脂组合物(R2)形成(专利技术8)。在上述专利技术(专利技术1～8)中，所述第二树脂层(B)，作为一个例子，优选含有乙烯与(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯的共聚物，即乙烯类共聚物(b1)(专利技术9)。在上述专利技术(专利技术9)中，所述乙烯类共聚物(b1)优选为乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物(专利技术10)。在上述专利技术(专利技术1～8)中，所述第二树脂层(B)，作为一个例子，优选由含有聚乙烯类树脂(b2)及热塑性弹性体(b3)的树脂组合物(R4)形成(专利技术11)。在上述专利技术(专利技术1～11)中，优选所述第一树脂层(A)的拉伸模量为140～400MPa，所述第二树脂层(B)的拉伸模量为100～290MPa(专利技术12)。在上述专利技术(专利技术1～12)中，优选所述切割片用基材膜以通过共挤出成型而形成(专利技术13)。第二，本专利技术提供一种切割片，其具有基材膜与层叠于所述基材膜的单面上的粘着剂层，其特征在于：所述基材膜为所述切割片用基材膜(专利技术1～13)，所述粘着剂层以与所述切割片用基材膜的所述第一树脂层(A)接触的方式被层叠(专利技术14)。专利技术效果根据本专利技术的切割片用基材膜及切割片，可以抑制粘连的产生，同时由于被切断物在切割时发挥优异的凹凸追随性，所以耐碎片性优异，而且，可以降低切割时产生的切割屑。因此，本专利技术的切割片用基材膜及切割片在使用时不易产生工序不良。附图说明图1为本专利技术的一种实施方式的切割片的剖面图。图2为本专利技术的其他实施方式的切割片的剖面图。具体实施方式以下，对本专利技术的一种实施方式的切割片用基材膜(以下，有时仅称为“基材膜”。)及切割片进行说明。如图1所示，本实施方式的切割片1具有本实施方式的基材膜2、与层叠于基材膜2的单面(在图1中为上表面)上的粘着剂层3而构成。1.基材膜本实施方式的基材膜2，如图1所示，具有与上述粘着剂层3接触的第一树脂层(A)、与层叠于第一树脂层(A)的单面侧(在图1中，为下表面侧)的第二树脂层(B)。卷取该基材膜2时，第一树脂层(A)与第二树脂层(B)彼此接触。在上述基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割片用基材膜，其用于具有基材膜、和层叠于所述基材膜的单面的粘着剂层的切割片，其特征在于：所述切割片用基材膜至少具有：与所述切割片的粘着剂层接触的第一树脂层(A)、和卷取所述切割片用基材膜时与所述第一树脂层(A)接触的第二树脂层(B)，所述第二树脂层(B)的结晶度为28～45％，所述第一树脂层(A)的拉伸模量相对于所述第二树脂层(B)的拉伸模量的比例为1.2～3.0，所述第一树脂层(A)的厚度相对于所述切割片用基材膜的厚度的比例为25～80％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种切割片用基材膜，其用于具有基材膜、和层叠于所述基材膜的单面的粘着剂层的切割片，其特征在于：所述切割片用基材膜至少具有：与所述切割片的粘着剂层接触的第一树脂层(A)、和卷取所述切割片用基材膜时与所述第一树脂层(A)接触的第二树脂层(B)，所述第二树脂层(B)的结晶度为28～45％，所述第一树脂层(A)的拉伸模量相对于所述第二树脂层(B)的拉伸模量的比例为1.2～3.0，所述第一树脂层(A)的厚度相对于所述切割片用基材膜的厚度的比例为25～80％。2.根据权利要求1所述的切割片用基材膜，其特征在于：所述第一树脂层(A)与所述第二树脂层(B)之间，层叠有其他层，所述其他层的拉伸模量为所述第一树脂层(A)的拉伸模量以下。3.根据权利要求1或2所述的切割片用基材膜，其特征在于：至少所述第一树脂层(A)及所述第二树脂层(B)含有烯烃类树脂。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的切割片用基材膜，其特征在于：所述第二树脂层(B)含有选自乙烯的均聚物、及乙烯与(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯的共聚物中的至少一种。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的切割片用基材膜，其特征在于：所述第一树脂层(A)由含有乙烯类共聚物(a1)、三元共聚物(a2)、及聚烯烃(a3)的树脂组合物(R1)形成，其中，所述乙烯类共聚物(a1)选自乙烯-α,β-不饱和羧酸共聚物、及乙烯-α,β-不饱和羧酸-α,β-不饱和羧酸酯共聚物，所述三元共聚物(a2)具有来自α-烯烃的结构单元、来自(甲基)丙烯酸缩水甘油酯或缩水甘油基不饱和醚的结构单元、及来自乙烯基酯或不饱和羧酸酯的结...

【专利技术属性】
技术研发人员：田矢直纪，仁藤有纪，宫武祐介，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP