A system for cutting semiconductor substrate is disclosed, wherein the semiconductor substrate comprises a plurality of IC, the system includes a cluster tool, a cluster tool includes a plasma etching chamber; the machine hand transfer chamber, the machine hand transfer chamber coupled to the plasma etching chamber; and the wet wet process module. The process module is coupled to the machine hand transfer chamber. The system also includes: laser scribing module, the laser scribing module for exposing the substrate and patterned mask between the IC area, the mask includes a water soluble material layer; and the factory interface, the factory interface is coupled to the cluster tool of the machine hand and transfer chamber coupled to the laser marking module, which transmits through the semiconductor wafer factory interface between the cluster tool and the laser scribing module.
【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2012年5月25日的、申请号为“201280026607.6”的、专利技术名称为“通过激光与等离子体蚀刻的基板切割所用的水溶性遮罩”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例属于半导体工艺的领域,且详言之,本专利技术是关于切割基板的遮罩方法,各个基板上具有IC。
技术介绍
在半导体基板工艺中,IC形成在基板(亦称为晶片)上,通常基板是由硅或其他半导体材料所构成。一般而言,利用各种半导体、导体或绝缘材料的薄膜层来形成IC。使用各种已知工艺使这些材料经掺杂、沉积及蚀刻,以在同一块基板上同时形成数个IC,诸如内存装置、逻辑装置、光伏装置等。在形成装置之后,将基板安装至诸如附着膜的支撑构件上,支撑构件延伸横跨膜框架,且基板经“切割(diced)”以将各个个别装置或“晶粒”彼此分离藉以供封装等。就现今而言,划线与锯切是两个最普及的切割技术。就划线而言,具有钻石尖端(diamond tipped)的划线器沿着预先形成的刻划线横跨基板表面移动。通过施加压力(例如,使用辊),使基板沿着刻划线而分离。就锯切而言,具有钻石尖端的锯子沿着街道(street)切开基板。就单分薄基板(例如,单分50-150μms(μm)厚的块体硅)而言,常规的方法仅能产出不良的工艺品质。当从薄基板单分晶粒时可能会面临的一些挑战,包括形成微裂缝(microcrack)、在不同层之间的剥离(delamination)、无机介电层的剥落(chipping)、保持严格的切口宽度控制、或控制剥蚀深度控制的精确度。亦设想过等离子体切割的使用,然而用于图案化光阻的标准平版印刷术操作可能 ...
【技术保护点】
一种用于切割半导体基板的系统,所述半导体基板包含数个IC,所述系统包含:集群工具,包括:等离子体蚀刻腔室;机器手传送腔室,所述机器手传送腔室耦接至所述等离子体蚀刻腔室;以及湿工艺模块,所述湿工艺模块耦接至所述机器手传送腔室;激光划线模块,所述激光划线模块用于图案化遮罩并暴露所述基板介于所述IC间的区域,所述遮罩包含水溶性材料层;以及工厂介面,所述工厂介面耦接至所述集群工具的所述机器手传送腔室并耦接至所述激光划线模块,其中通过所述工厂介面在所述集群工具和所述激光划线模块之间传送半导体晶片。
【技术特征摘要】
2011.06.15 US 13/160,8911.一种用于切割半导体基板的系统,所述半导体基板包含数个IC,所述系统包含:集群工具,包括:等离子体蚀刻腔室;机器手传送腔室,所述机器手传送腔室耦接至所述等离子体蚀刻腔室;以及湿工艺模块,所述湿工艺模块耦接至所述机器手传送腔室;激光划线模块,所述激光划线模块用于图案化遮罩并暴露所述基板介于所述IC间的区域,所述遮罩包含水溶性材料层;以及工厂介面,所述工厂介面耦接至所述集群工具的所述机器手传送腔室并耦接至所述激光划线模块,其中通过所述工厂介面在所述集群工具和所述激光划线模块之间传送半导体晶片。2.如权利要求1所述的系统,其中所述湿工艺模块包括加压水喷流。3.如权利要求1所述的系统,其中所述激光划线包含具有小于或等于530纳米的波长与小于或等于500飞秒的脉冲宽度的飞秒激光。4.如权利要求1所述的系统,进一步包含:旋转涂布器,所述旋转涂布器将所述水溶性材料的水溶液施加至所述基板上;以及加热板,所述加热板将所述水溶液干燥为所述水溶性材料。5.如权利要求1所述的系统,进一步包含:真空胶带模块,所述真空胶带模块耦接至所述机器手传送腔室以将所述水溶性材料的干膜层叠在所述基板上。6.如权利要求1所述的系统,其中所述等离子体蚀刻腔室耦接至SF6并且耦接至C4F8与C4F6中的至少一者。7.一种用于切割半导体基板的系统,所述半导体基板包含数个IC,所述系统包含:集群工具,包括:旋转涂布器或真空胶带模块中的一者,所述旋转涂布器将水溶性材料的水溶液施加至所述基板上,所述真空胶带模块将所述水溶性材料的干膜层叠在所述基板上;等离子体蚀刻腔室,所述等离子体蚀刻腔室通过对所述基板进行等离子体蚀刻来单分IC;以及机器手传送腔室,所述机器手传送腔室用于将激光划线基板从激光划线模块传送至等离子体蚀刻模块,所述机器...
【专利技术属性】
技术研发人员:WS·类,S·辛格,M·R·亚拉曼希里,B·伊顿,A·库玛,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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