切割片用基材膜及具备该基材膜的切割片制造技术

本发明专利技术提供一种切割片用基材膜，可不赋予电子线或γ线等的物理能量，在全切过程中有效地减少被切断物在切割时产生的切割屑，作为在扩展步骤中具有优异伸长性的切割片用基材膜，为具备树脂层(A)的切割片用基材膜(2)，树脂层(A)提供含有聚乙烯和乙烯-四环十二烯共聚物的基材膜(2)，同时提供具备所述切割用基材膜的切割片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割片用基材膜及具备该基材膜的切割片
本专利技术涉及一种在将半导体晶圆等的被切断物自元件小片切断分离时，该被切断物所贴附的切割片及该切割片所使用的基材膜。
技术介绍
硅、砷化镓等的半导体晶圆及各种封装类(以下有将其统称为“被切断物”的情况)，以大径的状态被制造，这些被切断分离(切割)成元件小片(以下称为“晶片”)。被交付给该切割步骤的被切断物，以切割步骤及其以后步骤中被切断物及晶片的操作性的实现为目的，具备有基材膜以及设于其上的粘着剂层的切割片，预先贴附于接近切断用的切削工具一侧与相反侧的被切断物表面。此种切割片通常以聚烯烃类膜或聚氯乙烯类膜等作为基材膜而被使用。作为切割步骤的具体方法，在一般的全切割中，以旋转的圆刀进行被切断物的切割。全切割中，为使贴附切割片的被切断物全面被确实地切断，有超过被切断物将粘着剂层也切断，另外有将基材膜的一部分也切断的情况。此时，由构成粘着剂层及基材膜的材料所形成的切割屑自切割片产生，而所得到的晶片有因为该切割屑而被污染的情况。此种切割屑的形态之一，有附着在切割线上、或在因切割而分离的晶片断面附近的丝状的切割屑。其问题在于，将被切断物实施分段切割时，会因相异的两种切割刀而显著产生丝状切割屑。当以所述那样的丝状切割屑大量附着于晶片的状态而进行晶片的密封时，则附着于晶片的丝状切割屑因密封热而分解，此热分解物会破坏封装，成为所得的装置动作不良的原因。因为此丝状切割屑难以经由清洗而去除，因此丝状切割屑的产生使得切割步骤的产率显著下降。另外，以固化的树脂密封多个晶片的封装作为被切断物而切割的情况时，相较于切割半导体晶圆的情况，使用刀宽较厚的切割刀，同时切割的切入深度也更深。因此，在切割时被切断除去的基材膜的量较半导体晶圆的情况更为增加，丝状切割屑的产生量也有增加的倾向。因此，使用切割片进行切割时，要求防止丝状切割屑的产生。切割步骤后所切断的被切断物，其后实施清洗、扩展步骤、拾取步骤的各步骤。因此，对切割片进一步要求在扩展步骤中的扩张性优异。以抑制此种切割屑产生为目的，专利文献1记述了使用电子线或γ线为1～80MrAd照射的聚烯烃类膜作为切割片的基材膜的专利技术。该专利技术认为，通过电子线或γ线照射，构成基材膜的树脂形成交联，从而抑制切割屑的产生。专利文献1中，作为照射电子线或γ线的聚烯烃类膜，可以列举聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-离聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等树脂。专利文献2中，记述了一种半导体切割用粘接着带，其特征在于，其为如下所成的树脂组成物层，在基材膜的一侧面涂布粘着剂而成的半导体切割加工用带上，所述基材膜至少由2层构成，与所述基材膜的粘着层粘接的层的树脂融点为130℃～240℃，相对于至少1层粘接于与所述粘着层粘接的层的下面的、聚丙烯系树脂100质量份，苯乙烯-丁二烯共聚物的氢添加物为20质量份～400质量份。专利文献3中，记述了一种作为赋予扩展步骤中的扩张性的膜，在含有无规丙烯与烯烃类弹性体的基材层上，层叠了粘着剂层的切割膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平5-211234号公报专利文献2：日本特开2005-174963号公报专利文献3：日本特开2011-216595号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，专利文献1中所记述的膜是电子线或γ线的照射在如所述树脂一旦成形成膜状后而进行，因此增加一个制造步骤，制造成本较一般基材膜有增加的倾向。专利文献2的基材膜不能充分防止丝状切割屑的产生。专利文献3中所记述的切割膜，在扩展性步骤中虽然伸长性优异，但是不能充分防止丝状切割屑的产生。本专利技术为鉴于所述的实际状况所完成的专利技术，以提供不赋予电子线或γ线等的物理能量，而抑制在全切割中被切断物切割时所产生的切割屑，特别是抑制丝状切割屑的产生，以扩展步骤中具有充分的扩张性(本说明书中也称“扩展性”)的切割片用基材膜及具备所述切割片用基材膜的切割片为目的。解决技术问题的技术手段为了达成所述目的，第一，本专利技术提供一种切割片用基材膜，其为具有树脂层(A)的切割片用基材膜，其特征在于，该树脂层(A)包含聚乙烯与乙烯-四环十二烯共聚物(专利技术1)。根据所述专利技术(专利技术1)，所述树脂层(A)所包含的树脂成分中，所述聚乙烯的含有量在50质量％以上90质量％以下，所述乙烯-四环十二烯共聚物的含有量优选在10质量％以上50质量％以下(专利技术2)。根据所述专利技术(专利技术1、专利技术2)，所述乙烯-四环十二烯共聚物中，来自于四环十二烯的结构单元优选为15摩尔％以上45摩尔％以下(使来自于乙烯的结构单元与来自于四环十二烯的结构单元合计为100摩尔％)(专利技术3)。所述专利技术(专利技术1～专利技术3)中，优选具有配置于所述树脂层(A)的一侧主面，至少由一层所构成的树脂层(B)(专利技术4)。所述专利技术(专利技术4)中，所述树脂层(B)优选包含至少一种乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物(专利技术5)。第二，本专利技术提供具有所述基材膜(专利技术1～专利技术5)以及配置于该基材膜一侧主面上的粘着剂层的切割片(专利技术6)。所述专利技术(专利技术6)中，所述粘着剂层优选配置于所述该基材膜的树脂层(A)上(专利技术7)。第三，本专利技术为与所述专利技术(专利技术4、专利技术5)相关的基材膜、配置于该基材膜一侧主面并具备粘着剂层的切割片，而所述树脂层(A)提供比所述树脂层(B)更接近于所述粘着剂层的切割片(专利技术8)。专利技术效果根据本专利技术的切割片用基材膜及切割片，可不赋予电子线或γ线等的物理能量，并通过全切特别是在分段切割时的全切，有效地减少被切断物在切割时产生的切割屑，另外，在扩展步骤中具有优异的伸长性。附图说明图1为本专利技术一实施方式所述的切割片的剖面图。图2为本专利技术另一实施方式所述的切割片的剖面图。具体实施方式以下，就本专利技术一实施方式所述的基材膜及切割片的构成要素及其制造方法等进行说明。1、基材膜如图1所示，本专利技术一实施方式所述的基材膜2，作为本专利技术一实施方式所述的切割片1的构成要素之一而被使用。所述切割片1作为基本构成，具有基材膜2及粘着剂层3。该基材膜2具有树脂层(A)，如后所述，于另一方式(图2)中，进一步具有树脂层(B)。(1)树脂层(A)本实施方式所述的基材膜2只要具有树脂层(A)，可为单层结构也可为多层结构。基材膜2由单层树脂层所构成时，树脂层(A)以单层的状态形成基材膜2。基材膜2由多个树脂层所构成时，树脂层(A)的位置没有特别限定，优选为基材膜2的至少一个主面成为所述树脂层(A)的面。此情况中，当在基材膜2上形成粘着剂层3而形成切割片1时，优选在树脂层(A)上形成粘着剂层3。由此，可有效地减少被切断物在切割时所产生的切割屑。本实施方式所述基材膜2所具备的树脂层(A)，含有聚乙烯与乙烯-四环十二烯共聚物。(1-1)聚乙烯本实施方式所述基材膜2所具备的树脂层(A)通过含有聚乙烯，可以使基膜层2具备优异的防止粘连功能并赋予扩展性。所述聚乙烯可以为乙烯的单独聚合物，也可以为以乙烯为单体的共聚物。另外，聚乙烯为共聚物的情况时，聚乙烯中的来自乙烯的结构单元的单体换算含有率(相对于为聚合聚乙烯所使用的所有单体质量，聚合聚乙烯所使用的乙烯的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割片用基材膜，其特征在于，所述基材膜具备树脂层(A)，该树脂层(A)含有聚乙烯和乙烯‑四环十二烯共聚物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种切割片用基材膜，其特征在于，所述基材膜具备树脂层A，该树脂层A含有聚乙烯和乙烯-四环十二烯共聚物，所述聚乙烯的流化温度为100℃以上180℃以下，所述乙烯-四环十二烯共聚物的流化温度为100℃以上225℃以下，所述乙烯-四环十二烯共聚物中，使来自于乙烯的结构单元和来自于四环十二烯的结构单元共计为100摩尔％时，来自于四环十二烯的结构单元为15摩尔％以上45摩尔％以下。2.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，相对于所述树脂层A所含有的所有树脂成分，所述聚乙烯的含有量为50质量％以上90质量％以下，所述乙烯-四环十二烯共聚物的含有量为10质量％以上50质量％以下。3.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：田矢直纪，上田公史，伊藤雅春，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP