基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的基板处理方法包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。

Substrate processing method and substrate processing apparatus

The processing method of the invention comprises a substrate, substrate rotation steps, the vertical axis of the substrate around the prescribed rotation to the first rotation speed; the liquid tight state forming step, and the substrate rotation steps executed in parallel, the first side of the first interval prescribed with the opposite surface of the substrate is rotated under the surface of the opposite side. From the substrate and the lower surface of the lower surface of the nozzle to the processing liquid outlet port processing liquid, forming the liquid tight state using liquid to the substrate surface and the first surface to the space between the liquid tight state; the lifting steps, forming steps in the liquid tight state, far away from each other by making the substrate surface and the first surface opposite, between the lower surface and the first surface to the substrate to remove the liquid tight state space.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。在作为处理对象的基板中，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(FieldEmissionDisplay：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板和太阳能电池用基板等。
技术介绍
在半导体装置或液晶显示装置的制造工序中，为了对半导体晶片或液晶显示面板用玻璃基板等基板的主面实施处理液处理，使用对基板一张张进行处理的单张式基板处理装置。单张式的基板处理装置例如具有将基板保持为大致水平姿势且使基板旋转的旋转卡盘和被旋转卡盘保持的向基板的下表面供给处理液的中心轴喷嘴。例如，下述专利文献1在图7以及图8中公开了一种基板处理装置，其具有下表面处理配管和与基板的下表面相向配置的圆板状的相向板，该下表面处理配管具有用于向被旋转卡盘保持的基板的下表面供给处理液的下表面喷出口。在相向板配置在与基板的下表面接近的接近位置的状态下，从下表面喷出口喷出处理液。由此，在基板的下表面与相向板的基板相向面之间以液密状态(liquidtightstate)保持处理液。现有技术文献专利文献专利文献1：JP特开2010-238781号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，在专利文献1中，在经过对基板的处理时间后，还在基板的下表面保持有处理液的液膜，由此，存在基板的下表面上的处理液处理继续进行的问题。即，为了除去在基板的下表面保持的液膜需要规定的时间，因此基板的下表面可能被处理而超过所希望的处理量，结果，有时不能够对基板的下表面实施良好的处理液处理。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够降低处理液的消耗量且对基板的下表面良好地实施处理液处理的基板处理方法以及基板处理装置。用于解决问题的手段本专利技术的第一方面提供一种基板处理方法，包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔地与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。根据该方法，在液密状态形成步骤中，向基板的下表面与第一相向面之间供给处理液。由此，基板的下表面与第一相向面之间的空间形成液密状态。所述空间的液密状态能够通过小流的处理液实现。结果，能够降低处理液的消耗量。另外，在液密状态解除步骤中，通过使基板的下表面与第一相向面彼此远离，能够瞬间解除所述空间的液密状态。由此，在液密状态解除步骤后，处理液不与基板的下表面接触，结果，能够阻止处理液处理在基板的下表面进行。由此，能够将处理液处理保持为所期望的处理量。由此，提供一种能够降低处理液的消耗量且良好地对基板的下表面实施处理液处理的基板处理方法。在本专利技术的一个实施方式中，所述第一相向面呈圆板状，所述第一相向面的外周端位于所述基板的下表面的基板周端的外侧。根据本方法，由于第一相向面的外周端位于基板的下表面周端的外侧，所以能够在基板的下表面整个区域形成基板的下表面与第一相向面之间的处理液的液密状态。因此，由于能够使处理液与基板的下表面整个区域接触，所以能够利用处理液对基板的下表面良好且均匀地进行处理。在所述液密状态形成步骤中，所述第一相向面以及具有所述处理液喷出口的所述下表面喷嘴的第二相向面可以配置在同一平面上。根据本方法，在液密状态形成步骤中，下表面喷嘴的第二相向面与基板的下表面相向配置，且从形成在第二相向面上的处理液喷出口喷出处理液。因此，在下表面喷嘴的第二相向面与基板的下表面之间形成外轮廓为筒状的处理液的液柱。另外，由于第一相向面和第二相向面配置在同一平面上，所以第二相向面与基板的下表面之间的液柱一边在基板的下表面以及第一相向面上蔓延，一边在基板的下表面以及第一相向面之间的空间中扩展。由此，在基板的下表面与第一相向面之间的空间中，能够比较容易形成处理液的液密状态。所述液密状态形成步骤可以具有：液柱形成步骤，在使所述下表面喷嘴与所述基板的下表面的中心附近相向的状态下，从所述处理液喷出口喷出处理液，在该第一相向面与所述基板的下表面之间形成液柱；以及液柱扩大步骤，对该液柱形成步骤中形成的所述液柱进一步喷出处理液，使该液柱向所述基板的周向扩大。所述基板处理方法可以还包括上表面处理步骤，在该上表面处理步骤中，向所述基板的上表面供给处理液，利用处理液对该基板的上表面进行处理，与所述上表面处理步骤并行执行所述液密状态形成步骤。根据本方法，由于对基板的上表面的处理液处理和对基板的下表面的处理液处理并行进行，所以能够缩短对基板的上表面以及下表面双方分别单独实施处理液处理时的处理时间。另外，在向基板的上表面供给的处理液被加热为高温的情况下，刚供给至基板的上表面时是高温，但是，在向基板的周缘部流动的过程中，其液温降低。因此，在基板上，在其中央部，处理液的温度相对高，在周缘部，处理液的温度相对低。结果，可能产生如下的基板上表面上的处理率不均匀的情况，即，在基板的上表面的中央部，处理液处理快速进行，在基板的上表面的周缘部，处理液处理相对较慢进行。另外，在基板的下表面与第一相向面之间形成处理液的液密状态的情况下，只要向基板的下表面供给的处理液被加热为高温，就能够使高温的处理液与基板的下表面的大范围(整个区域)接触。因此，能够使基板形成高温且均匀的温度分布。由此，即使向基板的上表面供给高温的处理液的情况下，与能够防止被供给的处理液在基板的周缘部温度降低。结果，能够以均匀的处理率对基板的上表面进行处理。所述基板处理方法可以还包括高速旋转处理步骤，该高速旋转处理步骤在所述液密状态形成步骤之前执行，在该高速旋转处理步骤中，一边以比所述第一旋转速度快的第二旋转速度使所述基板旋转一边向该基板的下表面供给处理液，所述液密状态形成步骤在所述高速旋转步骤结束后与所述高速旋转步骤连续地开始执行。根据本方法，在高速旋转处理步骤中，对基板的下表面实施处理液处理，接着，在液密状态形成步骤中，对基板的下表面实施处理液处理。因此，能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔地与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.20 JP 2013-1706121.一种基板处理方法，
包括：
基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；
液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面
隔开规定的第一间隔地与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述
基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使
所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及
液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下
表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向
面之间的空间的液密状态。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第一相向面呈圆
板状，所述第一相向面的外周端位于所述基板的下表面的基板周端的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，在所述液密状态
形成步骤中，所述第一相向面以及具有所述处理液喷出口的所述下表面喷嘴
的第二相向面配置在同一平面上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述液密状态形成步骤具有：
液柱形成步骤，在使所述下表面喷嘴与所述基板的下表面的中心附近相
向的状态下，从所述处理液喷出口喷出处理液，在该第一相向面与所述基板
的下表面之间形成液柱；以及
液柱扩大步骤，对该液柱形成步骤中形成的所述液柱进一步喷出处理
液，使该液柱向所述基板的周向扩大。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括上表面处理步骤，在该上表面处理步骤中，向所
述基板的上表面供给处理液，利用处理液对该基板的上表面进行处理，
与所述上表面处理步骤并行执行所述液密状态形成步骤。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括高速旋转处理步骤，该高速旋转处理步骤在所述
液密状态形成步骤之前执行，在该高速旋转处理步骤中，一边以比所述第一

\t旋转速度快的第二旋转速度使所述基板旋转一边向该基板的下表面供给处
理液，
所述液密状态形成步骤在所述高速旋转步骤结束后与所述高速旋转步
骤连续地开始执行。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，在从所述高速旋转处
理步骤进入所述液密状态形成步骤转移的时刻，降低向所述基板供给的处理
液的流量。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，该基板处理方法还包
括清洗步骤，该清洗步骤在所述液密状态形成步骤之前执行，在该清洗步骤
中，使所述第一相向面隔开比所述第一间隔大的第二间隔地与所述基板的下
表面相向，一边使所述基板以比所述第一旋转速度快且比所述第二旋转速度
慢的第三旋转速度旋转，一边从所述处理液喷出口向所述基板的下表面与所
述第一相向面之间的空间供给清洗液，来对所述第一相向面进行清洗。...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井达也，
申请(专利权)人：株式会社思可林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP