(酰胺氨基烷烃)金属化合物及使用所述金属化合物制备含金属的薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种由通式(1)表示的(酰胺氨基烷烃)金属化合物和一种使用所述金属化合物制备含该金属的薄膜的方法。(所述式中，M代表金属原子；R1代表具有1-6个碳原子的直链、支链或环状的烷基；R2和R3可以彼此相同或不同，各自独立地代表具有1-3个碳原子的直链或支链的烷基，或R2和R3可以与它们连接的氮原子一起形成一个经取代的或未经取代的5元或6元环。Z代表具有1-10个碳原子的直链或支链的亚烷基(但是，可选地，其一部分可形成环)。配位体的数目由n表示，n为1-3中的一个整数，并且等于金属M的化合价数。但是，排除M为Li(锂)、Be(铍)、Ge(锗)或Nd(钕)的情况，M为Mg(镁)且R1为甲基的情况，M为Zn(锌)且R1为甲基的情况，M为Bi(铋)且R1为叔丁基的情况。此外，当n为2或更大时，两个或多个配位体可以彼此相同或不同。)

Amide group) metal compound and method for producing metal containing thin film using the same

The present invention discloses a metal amide compound represented by general formula (1) and a method for preparing the film containing the metal using the metal compound. (the formula, M represents the metal atom; R1 represents with 1-6 carbon atoms in the straight chain, branched or cyclic alkyl; R2 and R3 can be the same or different from each other, independently represent having 1-3 carbon atoms of straight chain or branched chain alkyl, or R2 and R3 can be connected with them n the atoms together form a substituted or non substituted 5 yuan or 6 yuan ring. Z represents a linear or branched alkyl group having 1-10 carbon atoms (but, optionally, a part of which can form a ring). The number of ligands expressed by N, n is an integer of 1-3, and the valence of M is equal to the number of metal. However, if M is Li (LI), Be (beryllium), Ge (GE) or Nd (nd), M is Mg (mg) and R1 is methyl, M is Zn (Zn) and R1 is methyl, M is Bi (BI) and R1 is tert butyl. In addition, when the n is 2 or greater, the two or more ligands may be identical or different from each other. )

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新的(酰胺氨基烷烃)金属化合物，和一种通过化学气相沉积法(下文中称为CVD方法)使用所述金属化合物在物体上制备含金属的薄膜的方法。
技术介绍
近年来，已研究开发出多种含金属的薄膜，作为半导体、电子元件等领域中的材料。常规地，多种镁化合物，例如双(环戊二烯基)镁、醇镁和二酮镁(magnesiumdiketonato)是已知的用于形成含镁薄膜的镁化合物(参见专利文献1-2)。其中，双(环戊二烯基)镁及其类似物是相对经常使用的。同时，双(酰胺氨基烷烃)镁化合物也是已知的，并用作例如催化剂和制备药物、农业化学品等的材料(参见非专利文献1-2)。作为用于形成薄膜的钴化合物，提出了例如，双(乙酰丙酮)钴(参见，例如，非专利文献3)、双(二新戊酰基甲基)钴(参见，例如，非专利文献4)、八羰基二钴(参见，例如，非专利文献5和专利文献3)、环戊二烯基二羰基钴(参见，例如，非专利文献6和专利文献4)，及双(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)钴(参见，例如，专利文献5)、双(N,N’-二异丙基乙酰脒(acetoamidinato))钴(参见，例如，专利文献6,专利文献7和非专利文献7)和双(N-叔丁基-N’-乙基丙脒(ethylpropionamidinato))钴(参见，例如，专利文献8和非专利文献8)。作为用于形成薄膜的锰化合物，提出了例如，双(二新戊酰基甲基)锰(参见，例如，专利文献9)、双(乙基环戊二烯基)锰(参见，例如，专利文献9和10)、双(N,N’-二异丙基乙酰脒)锰(参见，例如，专利文献11)和双(N,N’-二异丙基戊烷脒)锰(参见，例如，专利文献12和13及非专利文献9和10)。作为用于形成薄膜的锌化合物，提出了例如，双(乙酰丙酮)锌(参见，例如，专利文献14和15)。作为用于形成含铁薄膜、含镍薄膜或含镧薄膜的金属化合物，提出了例如，双(N,N’-二异丙基乙酰脒)铁,双(N,N’-二异丙基乙酰脒)镍和三(N,N’-二异丙基-2-叔丁基脒)镧(参见，例如，专利文献11)。现有技术文献专利文献专利文献1:JP-A-2002-170993专利文献2:JP-A-2005-298874专利文献3:US2005/0130417A1专利文献4:US2006/0157863A1专利文献5:WO2008/111499A1专利文献6:WO2004/046417A1专利文献7:WO2009/088522A1专利文献8:JP-A-2010-524264专利文献9:WO2010/116889A1专利文献10:WO2011/037090A1专利文献11:JP-A-2010-156058专利文献12:WO2009/117670A1专利文献13:WO2011/050073A1专利文献14:JP-A-2009-277357专利文献15:JP-A-2003-31846非专利文献非专利文献1:Eur.J.SolidStateInorg.Chem.,p.241(1993)非专利文献2:TetrahedronLett.,p.4175(2004)非专利文献3:JapaneseJournalofAppliedPhysics,vol.36,p.705(1997)非专利文献4:ChemistryofMaterials,vol.13,p.588(2001)非专利文献5:ThinSolidFilms,vol.485,p.95(2005)非专利文献6:JapaneseJournalofAppliedPhysics,vol.46,p.173(1997)非专利文献7:JournalofTheElectrochemicalSociety,vol.157,D10-D15(2010)非专利文献8:DaltonTransactions,p.2592-2597(2008)非专利文献9:JournalofTheElectrochemicalSociety,vol.157,D341-D345(2010)非专利文献10:JournalofTheElectrochemicalSociety,vol.158,D248-D253(2011)非专利文献11:Jpn.J.Appl.Phys.1114(2004)
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题但是，用于形成薄膜的常规金属化合物不一定具有用于形成含金属的薄膜的最佳性能，如蒸汽压、热稳定性和反应性，这可能是没有金属化合物适合形成含金属的薄膜。因此，需要具有如蒸汽压、热稳定性和反应性等所有性能均满足要求的金属化合物。本专利技术的一个目的是解决上述问题，提供一种适于工业用途的金属化合物，并可由所述金属化合物通过简单方法在物体上制备含金属的薄膜，更具体而言，提供一种适合通过CVD方法形成含金属的薄膜的金属化合物。本专利技术的另一个目的是提供一种使用所述金属化合物制备含金属的薄膜的方法。解决问题的技术手段本专利技术涉及以下方面：[1]一种由式(1)表示的(酰胺氨基烷烃)金属化合物：[化学式1]其中M代表金属原子；R1代表具有1-6个碳原子的直链、支链或环状的烷基；R2和R3可以彼此相同或不同，各自独立地代表具有1-3个碳原子的直链或支链的烷基，或R2和R3可以与它们连接的氮原子一起形成一个经取代的或未经取代的5元或6元环；Z代表具有1-10个碳原子的直链或支链的亚烷基(可选地，其一部分可形成环)；且n代表配位体的个数，与金属(M)的化合价相等，并且代表1-3中的一个整数；条件是排除M为Li(锂)、Be(铍)、Ge(锗)或Nd(钕)的金属化合物；排除M为Mg(镁)且R1为甲基的金属化合物；排除M为Zn(锌)且R1为甲基的金属化合物；排除M为Bi(铋)且R1为叔丁基的金属化合物；并且在n为2或更大的情况下，两个或多个配位体可以彼此相同或不同。[2]根据[1]中所述的(酰胺氨基烷烃)金属化合物，其中M为钠，镁，锰，铁，钴，镍，锌，钇，镧，或铟。[3]根据[1]中所述的(酰胺氨基烷烃)金属化合物，其中Z为具有1-5个碳原子的直链或支链的亚烷基，或由下式表示的基团：[化学式2]其中Z1代表具有1-3个碳原子的直链亚烷基；且R代表具有1-6个碳原子的直链或支链的烷基，或具有3-6个碳原子的环烷基。[4]一种制备[1]中所述(酰胺氨基烷烃)金属化合物的方法，所述金属化合物由下式(1)表示：所述式(1)为：其中M,R1,R2,R3,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由式(1)表示的(酰胺氨基烷烃)金属化合物：其中M代表镁或锰；R1代表异丙基或叔丁基；R2和R3代表甲基；Z代表亚乙基；且n代表配位体的个数，与金属(M)的化合价相等，并且代表2；条件是两个配位体可以彼此相同或不同。

【技术特征摘要】
2010.11.02 JP 2010-245941;2011.01.05 JP 2011-000371.一种由式(1)表示的(酰胺氨基烷烃)金属化合物：
其中
M代表镁或锰；
R1代表异丙基或叔丁基；
R2和R3代表甲基；
Z代表亚乙基；且
n代表配位体的个数，与金属(M)的化合价相等，并且代表2；
条件是两个配位体可以彼此相同或不同。
2.一种制备权利要求1中所述(酰胺氨基烷烃)金属化合物的方法，所述金属化合物由下式
(1)表示：
其中M,R1,R2,R3,Z和n定义如上；
所述方法包括以下步骤：
使由式(2a)或(2b)表示的单烷基金属化合物或二烷基金属化合物与由式(3)表示的
二氨基烷烃化合物反应：
所述式(2a)或(2b)为：
R4M(2a)
R4R5M(2b)
其中
M代表镁或锰；且
R4和R5可以彼此相同或不同，并且各自独立地代表具有1-10个碳原子的直链或支链的烷
基；
所述式(3)为：
其中R1,R2,R3和Z定义如上。
3.一种制备权利要求1中所述(酰胺氨基烷烃)金属化合物的方法，所述金属化合物由下式
(1)表示：
其中M,R1,R2,R3,Z和n定义如上；
所述方法包括以下步骤：
使由式(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤村整，金户宏树，白井昌志，二瓶央，
申请(专利权)人：宇部兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP