发光二极管封装以及承载板制造技术

本发明专利技术公开一种发光二极管封装以及承载板。该发光二极管封装具有横贯芯片座的多个沟槽，用以提供一机械连接，以强化芯片座与绝缘材间的结合，并降低可能发生于芯片座及绝缘层间的脱层的可能性。位于沟槽内及电极与芯片座间的间隙内的绝缘层共同形成一阻隔部，而阻隔部定义出一芯片承载区，以使光转变层限位于阻隔部内。

Light emitting diode package and bearing plate

The invention discloses a light emitting diode package and a bearing plate. The light emitting diode package having a plurality of grooves across the chip seat, is used to provide a mechanical connection, in order to strengthen the chip seat and the combination of insulating material between, and reduce possible on the chip seat and an insulating layer between the possibility of delamination. An insulating layer is formed in the gap between the electrodes and the gap between the electrode and the chip seat to form a barrier part, and the barrier part defines a chip bearing area so as to limit the light transition layer to the barrier part.

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是中国专利技术专利申请(申请号：201210260681.6，申请日：2012年7月25日，专利技术名称：发光二极管封装以及承载板)的分案申请。
本专利技术涉及一种封装结构，且特别是涉及一种发光二极管的封装结构。
技术介绍
发光二极管装置已有许多不同的应用，例如扫描器灯源、投影装置的灯源、液晶显示器的背光源或前光源，汽车仪表板上的照明灯源，交通号志的灯源以及一般照明装置的灯源等等。相比较于传统灯管，例如白炽灯，发光二极管装置具有例如体积较小、使用寿命较长、驱动电压/电流较低、结构强度较高、不含汞(减少废弃时造成的污染)以及高发光效率以节省能源等显著优势。发光二极管装置通常包括至少一表面粘着型的发光二极管封装，其内具有一发光二极管芯片。近年来，具有预封型导线架以承载发光二极管芯片的发光二极管封装已被提出，取代传统的陶制基板。预封型导线架包括一绝缘封装胶材包覆一导线架且封装胶材暴露出导线架的正电极与负电极。然而，导线架与封装胶材间的结合力通常较弱，且导线架与封装胶材的热膨胀系数也有极大的差异。由于导线架与封装胶材的热膨胀系数不同，当传统的封装结构经历温度循环时，其导线架与封装胶材的界面即会诱发应力的产生。例如当发光二极管封装是以表面粘着方式至一印刷线路板时，其于回流焊接制作工艺期间应力会造成导线架与封装胶材之间的脱层现象。还可能使发光二极管封装经脱层处暴露于空气或湿气中，进而造成发光二极管封<br>装的损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种发光二极管封装，其可减少材料上的浪费及简化发光二极管封装的制作工艺。为达上述目的，本专利技术的一实施例提出一种发光二极管封装，包括一壳体。壳体具有一开口，开口具有一开放式顶部、一封闭式底部及多个侧壁，侧壁连接封闭式底部及开放式顶部，壳体包括一导线架。导线架具有一芯片座及至少一电极。至少一电极经由至少一间隙而与芯片座隔离。芯片座包括一第一沟槽与一第二沟槽，第一沟槽及第二沟槽位于壳体的开口内，各沟槽的一端连接至少一间隙。壳体还包括一第一绝缘材。第一绝缘材部分地包覆导线架，且暴露一部分芯片座的一上表面及一部分至少一电极，部分第一绝缘材填入至少一间隙及第一及第二沟槽。发光二极管封装还包括一发光二极管芯片。发光二极管芯片配置于暴露的芯片座的上表面上，且位于第一沟槽及第二沟槽之间。发光二极管封装还包括一导线，导线连接发光二极管芯片至电极的暴露部分。发光二极管封装还包括一第二绝缘材。第二绝缘材包覆发光二极管芯片及导线。本专利技术的另一实施例提出一种承载板，用于一发光二极管封装，承载板包括一导线架。导线架包括一芯片座。芯片座具有一上表面、一下表面、一第一沟槽及一第二沟槽。第一沟槽及第二沟槽完全地横贯上表面。导线架还包括一第一电极以及一第二电极。第一电极以及第二电极分别位于芯片座的相对两侧，第一电极以及第二电极与芯片座隔离。芯片座与第一电极通过一第一间隙分离，且第一间隙连通第一沟槽的一第一端以及第二沟槽的一第二端，而芯片座与第二电极通过一第二间隙分离，且第二间隙连通第一沟槽的一第二端以及第二沟槽的一第二端。芯片座的上表面具有以第一间隙、第二间隙、第一沟槽以及第二沟槽为边界的一芯片承载区。导线架还包括一绝缘材。绝缘材包覆部分的导线架。绝缘材至少暴露出芯片座的芯片承载区、一部分的第一电极以及一部分的第二电极，且一部分的绝缘材填入第一间隙、第二间隙、第一沟槽以及第二沟槽。本专利技术的另一实施例提出一种发光二极管封装，发光二极管封装包括一导线架。导线架包括一芯片座。芯片座具有一第一沟槽与一第二沟槽，第一沟槽与第二沟槽横跨芯片座的一上表面。导线架还包括一第一电极以及一第二电极。第一电极以及第二电极分别位于芯片座的相对两侧，第一电极及第二电极通过连通第一沟槽及第二沟槽的第一间隙及第二间隙与芯片座间隔。第一间隙、第二间隙、第一沟槽及第二沟槽于芯片座上定义出的一芯片承载区。发光二极管封装还包括一第一绝缘材。第一绝缘材至少部分地填入第一间隙、第二间隙、第一沟槽以及第二沟槽且形成围绕芯片承载区的一阻隔部。发光二极管封装还包括一发光二极管芯片。发光二极管芯片位于芯片承载区内。发光二极管封装还包括多条导线。导线连接发光二极管芯片至第一电极与第二电极。发光二极管封装还包括一第二绝缘材，第二绝缘材包覆发光二极管芯片及导线。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1为根据本专利技术一实施例的发光二极管封装的立体示意图；图2为图1的发光二极管封装沿2-2线的剖面示意图；图3为图1的发光二极管封装的导线架的立体示意图；图4为图3的导线架的仰视示意图；图5为图1的发光二极管封装的俯视示意图；图6为本专利技术另一实施例的发光二极管封装的俯视示意图；图7为图2的发光二极管封装的部分剖面示意图；图8A为本专利技术另一实施例的发光二极管封装的部分剖面示意图；图8B为图8A的发光二极管封装的立体示意图；图9为本专利技术另一实施例的发光二极管封装的部分剖面示意图；图10为本专利技术另一实施例的发光二极管封装的部分剖面示意图；图11为本专利技术另一实施例的用于发光二极管封装的导线架的立体示意图；图12为本专利技术另一实施例的发光二极管封装的俯视示意图；图13为图12的发光二极管封装的立体示意图；图14至图16为本专利技术的三个不同实施例的发光二极管封装的侧视示意图。主要元件符号说明100：发光二极管封装102：壳体110、110a：导线架112：芯片座112a：上表面112b：芯片承载区113：下表面113a、115：凹部114：第一电极114a：第一打线接合区116：第二电极116a：第二打线接合区117a：第一沟槽117b：第二沟槽120：第一绝缘材122、622、722、822：阻隔部122a、622a、722a、822a：阻隔部上表面122b：斜面124：周缘部124a：垂直外壁130：发光二极管芯片132：保护元件140：导线142：第二导线150：第二绝缘材160：光转变层170：第一间隙180：第二间隙190：侧壁192：第一让位缺口194：第二让位缺口具体实施方式请参考图1，本专利技术一实施例的发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包括：导线架，具有芯片座及至少一电极，该至少一电极经由至少一间隙而与该芯片座隔离，该芯片座包括一沟槽，该沟槽的一端连接该至少一间隙；绝缘材，部分地包覆该导线架以暴露一部分该芯片座的一上表面及一部分该至少一电极，且该绝缘材部分地填入该至少一间隙及该沟槽；以及芯片，配置于暴露的该芯片座的该上表面上，且位于该沟槽及该间隙之间。

【技术特征摘要】
2012.03.16 US 13/422,2131.一种半导体封装，包括：
导线架，具有芯片座及至少一电极，该至少一电极经由至少一间隙而与
该芯片座隔离，该芯片座包括一沟槽，该沟槽的一端连接该至少一间隙；
绝缘材，部分地包覆该导线架以暴露一部分该芯片座的一上表面及一部
分该至少一电极，且该绝缘材部分地填入该至少一间隙及该沟槽；以及
芯片，配置于暴露的该芯片座的该上表面上，且位于该沟槽及该间隙之
间。
2.如权利要求1所述的半导体封装，其中该间隙更包含一第一间隙、一
第二间隙、该沟槽更包含一第一沟槽以及一第二沟槽，位于该第一间隙、该
第二间隙、该第一沟槽以及该第二沟槽的部分该绝缘材形成围绕该芯片承载
区的一阻隔部，该阻隔部的一上表面实质上与该芯片座的该上表面共平面。
3.如权利要求1所述的半导体封装，其中该至少一电极包括至少一凹
部，且该绝缘材填入至少部分的该凹部。
4.如权利要求1所述的半导体封装，其中该芯片座的一下表面包括至少
一凹部，且该第一绝缘材填入至少部分的该凹部。
5.如权利要求1所述的半导体封装，其中该绝缘材暴露出该电极的一打
线接合区。

【专利技术属性】
技术研发人员：詹勋伟，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71