一种保护芯片测试模式的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E‑fuse模块的预定存储位置的比特位串作为保护码；在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E‑fuse模块的预定存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码。本发明专利技术能够防止攻击者进入芯片的测试模式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片测试
，尤其涉及的是一种保护芯片测试模式的方法和装置。
技术介绍
芯片一般都会有一个测试模式，这是在制造芯片的过程中检验芯片用的，用于在晶圆上或封装后的芯片执行内部测试程序所用。测试模式往往允许使用那些在芯片实际应用中严格禁止的访问类型。此外，例如扫描链这样的测试电路，可以使工程师在拿到芯片后对芯片内部的寄存器状态进行控制，这样就很容易读出芯片内部的数据。但是对芯片检测而言，这些又是不可避免的。因此，在芯片出厂后，就必须禁止芯片从工作模式向测试模式的转换。为了防止非法用户进入到测试模式，通常将控制芯片进入测试模式的信号线放入划片槽中，芯片完成测试后，在封装芯片的时候，通过划片将该信号线划断，使芯片无法再进入到测试模式。随着对智能卡芯片的攻击手段的迅速发展，攻击者可以定位到划片槽中熔丝(fuse)的位置，再利用聚焦粒子束(FocusedIonbeam，FIB)技术重新连接被划断的信号线，使芯片再次进入测试模式，从而获得芯片中的重要信息。因此，在芯片封装后，如何限制进入芯片测试模式，是需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种保护芯片测试模式的方法和装置，能够防止攻击者进入芯片的测试模式。本专利技术实施例提供一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的预定存储位置的比特位串作为保护码；在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的预定存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码。本专利技术实施例还提供一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的第一存储位置的比特位串作为保护码，在所述E-fuse模块的第二存储位置写入密钥，在所述E-fuse模块的第三存储位置写入第一密文；在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的第一存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，从所述E-fuse模块的第二存储位置读取所述密钥，从所述E-fuse模块的第三存储位置读取所述第一密文，从所述芯片中的其他存储模块中读取明文，利用所述密钥对所述明文进行加密获得第二密文；如果所述第二密文与所述第一密文不相同，则禁止所述芯片进入测试模式；如果所述第二密文与所述第一密文相同，则允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码，或者，更改所述保护码和所述密钥。本专利技术实施例还提供一种保护芯片测试模式的装置，包括：初始化模块，用于在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的预定存储位置的比特位串作为保护码；测试模式判断模块，用于在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的预定存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码。本专利技术实施例还提供一种保护芯片测试模式的装置，包括：初始化模块，用于在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的第一存储位置的比特位串作为保护码，在所述E-fuse模块的第二存储位置写入密钥，在所述E-fuse模块的第三存储位置写入第一密文；测试模式判断模块，用于在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的第一存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，从所述E-fuse模块的第二存储位置读取所述密钥，从所述E-fuse模块的第三存储位置读取所述第一密文，从所述芯片中的其他存储模块中读取明文，利用所述密钥对所述明文进行加密获得第二密文；如果所述第二密文与所述第一密文不相同，则禁止所述芯片进入测试模式；如果所述第二密文与所述第一密文相同，则允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码，或者，更改所述保护码并且更改所述密钥。与现有技术相比，本专利技术提供的一种保护芯片测试模式的方法和装置，在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的预定存储位置的比特位串作为保护码，在芯片完成测试前的初始化后，在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码。由于E-fuse模块集成于芯片内部，攻击者很难定位到它的位置，并且利用E-fuse模块中的比特位一旦由0改为1，就不能再改为0的特点设置了保护码，或者保护码、密钥和密文，通过多重保护芯片的测试模式，防止攻击者进入芯片的测试模式。附图说明图1为本专利技术实施例中一种保护芯片测试模式的方法流程图。图2为本专利技术实施例中另一种保护芯片测试模式的方法流程图。图3为本专利技术实施例中一种保护芯片测试模式的装置示意图。图4为本专利技术实施例中另一种保护芯片测试模式的装置示意图。图5为本专利技术示例1中保护芯片测试模式的方法流程图。图6为本专利技术示例2中保护芯片测试模式的方法流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。E-fuse(电子可编程熔丝)是一种非易失性存储单元，通过熔丝可以在芯片上编程并存储信息。E-fuse模块的特点是默认存储的比特位全部为0，可以通过编程将需要的任何比特位由0改为1，一旦改为1，就不能再改为0了，这个过程是不可逆的。E-fuse模块集成于芯片内部，攻击者很难定位到它的位置，所以本文利用E-fuse技术防止攻击者进入芯片的测试模式。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：S110，在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的预定存储位置的比特位串作为保护码；S120，在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的预定存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码；所述方法还可以包括下述特点：其中，E-fuse模块默认存储的比特位全部为0；E-fuse模块的特点是：可以通过编程将需要的任何比特位由0改为1，一旦改为1，就不能再改为0了；可选地，更改所述保护码，包括：将所述保护码的每一个比特位置为1；可选地，所述保护码的长度是预先约定的；如图2所示，本专利技术实施例提供了一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：S210，在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的第一存储位置的比特位串作为保护码，在所述E-fuse模块的第二存储位置写入密钥，在所述E-fuse模块的第三存储位置写入第一密文；S220，在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E‑fuse模块的预定存储位置的比特位串作为保护码；在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E‑fuse模块的预定存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码。

【技术特征摘要】
1.一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的预定存储位置的比特位串作为保护码；在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的预定存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：更改所述保护码，包括：将所述保护码的每一个比特位置为1。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述保护码的长度是预先约定的。4.一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的第一存储位置的比特位串作为保护码，在所述E-fuse模块的第二存储位置写入密钥，在所述E-fuse模块的第三存储位置写入第一密文；在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的第一存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，从所述E-fuse模块的第二存储位置读取所述密钥，从所述E-fuse模块的第三存储位置读取所述第一密文，从所述芯片中的其他存储模块中读取明文，利用所述密钥对所述明文进行加密获得第二密文；如果所述第二密文与所述第一密文不相同，则禁止所述芯片进入测试模式；如果所述第二密文与所述第一密文相同，则允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码，或者，更改所述保护码和所述密钥。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，更改所述保护码，包括：将所述保护码的每一个比特位置为1；可选地，更改所述密钥，包括：将所述密钥的每一个比特位置为1。6.一种保护芯片测试模式的装置，包括：初始化模块，用于在芯片进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：田圆，高洪福，
申请(专利权)人：大唐微电子技术有限公司，大唐半导体设计有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11