半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的半导体衬底上形成第一栅极结构，在所述第二区域的半导体衬底上形成第二栅极结构；形成覆盖所述第二区域的半导体衬底和第二栅极结构的第一光刻胶层；形成覆盖所述第一区域的半导体衬底和第一光刻胶层的第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为阻挡层，对第一区域的第一栅极结构两侧的半导体衬底进行浅掺杂离子注入，在第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一浅掺杂区。本发明专利技术的方法适于形成深度较浅的浅掺杂区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管是半导体制造中的最基本器件，其广泛适用于各种集成电路中，根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同，分为NMOS和PMOS晶体管。现有技术提供了一种MOS晶体管的制作方法。请参考图1至图3所示的现有技术的MOS晶体管的形成过程的剖面结构示意图。请参考图1，提供半导体基底100，在所述半导体基底100内形成隔离结构101，所述隔离结构101之间的半导体基底100为有源区，在所述有源区内形成阱区(未示出)；通过第一离子注入在阱区表面掺杂杂质离子，以调节后续形成的晶体管的阈值电压。然后，在所述隔离结构101之间的半导体基底100上依次形成栅介质层102和栅电极103，所述栅介质层102和栅电极103构成栅极结构。继续参考图1，进行氧化工艺，形成覆盖所述栅极结构的氧化层104。参考图2，进行浅掺杂离子注入(LDD)，在栅极结构两侧的半导体基底100内依次形成浅掺杂区105。参考图3，在栅极结构两侧的侧壁上形成栅极结构的侧墙111；以所述栅极结构为掩膜，进行栅极结构两侧的阱区进行深掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的半导体衬底上形成第一栅极结构，在所述第二区域的半导体衬底上形成第二栅极结构；形成覆盖所述第二区域的半导体衬底和第二栅极结构的第一光刻胶层；形成覆盖所述第一区域的半导体衬底和第一光刻胶层的第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为阻挡层，对第一区域的第一栅极结构两侧的半导体衬底进行浅掺杂离子注入，在第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一浅掺杂区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的半导体衬底上形成第一栅极结构，在所述第二区域的半导体衬底上形成第二栅极结构；形成覆盖所述第二区域的半导体衬底和第二栅极结构的第一光刻胶层；形成覆盖所述第一区域的半导体衬底和第一光刻胶层的第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为阻挡层，对第一区域的第一栅极结构两侧的半导体衬底进行浅掺杂离子注入，在第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一浅掺杂区。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一浅掺杂区的深度为15～35埃，所述浅掺杂离子注入的注入能量为1.5Kev～3.0Kev。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度满足：T＝(D1-(15～35))*D2/D1，其中T表示第二光光刻胶层的厚度，D1表示杂质离子在1.5Kev～3.0Kev能量下在半导体衬底材料中的注入深度，D2表示杂质离子在1.5Kev～3.0Kev能量下在第二光刻胶层中的注入深度。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述浅掺杂离子注入掺杂的杂质离子为N型杂质离子或P型杂质离子。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述N型杂质离子为磷离子、砷离子、锑离子中的一种或几种。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述注入的N型杂质离子为磷离子，所述第二光刻胶层的厚度为250～350埃，所述浅掺杂离子注入的能量为1.5Kev～3.0Kev，剂量为1E14～4E15atom/cm2。7.如权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱红波，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31