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一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域;在所述第一区域的半导体衬底上形成第一栅极结构,在所述第二区域的半导体衬底上形成第二栅极结构;形成覆盖所述第二区域的半导体衬底和第二栅极结构的第一光刻胶层;...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域;在所述第一区域的半导体衬底上形成第一栅极结构,在所述第二区域的半导体衬底上形成第二栅极结构;形成覆盖所述第二区域的半导体衬底和第二栅极结构的第一光刻胶层;...