CMOS存储器单元无导线隐形供电方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术用于CMOSSRAM芯片的设计，具体地指一种CMOSSRAM存储器单元无导线隐形供电方法节省布线，提高面积效率。
技术介绍
存储类芯片对价格和芯片面积高度敏感，通常的SRAM有VCC、VSS、WL、BL、BLB五个端口，这些在阵列里需要用金属导线相连。加上单元内的布线需求，金属线所占面积往往直接影响阵列面积和芯片成本，或至少对导线的利用率产生不利影响。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种CMOS存储器单元无导线隐形供电方法，减少每个单元的金属线连接，实现本专利技术目的采用的技术方案是：在一定大小的阵列内，对阵列内的单元利用N井对PMOS供电。PMOS的S极通过N井的N+连接，经过硅表面下的N井实现连接。在阵列外，通过N井内的N+连接到正电源，附图说明：图1为本专利技术CMOS存储器单元无导线隐形供电方法中主SRAM单元的原理图，图2为符合本专利技术CMOS存储器单元无导线隐形供电方法的硅片布局示意图，图2.1为对应图2C区的结构示意图，图3为使用本专利技术CMOS存储器单元无导线隐形供电方法前传统供电方法的金属布线示意图，图4为使用本专利技术CMOS存储器单元无导线隐形供电方法的金属布线示意图，图5使用本专利技术CMOS存储器单元无导线隐形供电方法的电路模拟原理图，图6使用本专利技术CMOS存储器单元无导线隐形供电方法的PMOS接线结构图，具体实施方式：下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的详细说明如图1所示，传统的CMOSSRAM单元，包括VCC、VSS、BL、BLB、WL五个端口，在传统设计中，这五个端口均用金属导线连接，组成SR...
【技术保护点】
CMOS存储器单元无导线隐形供电方法其特征在于，对阵列内的单元利用N 井对 PMOS 供电 以节省金属布线，提高面积利用率。
【技术特征摘要】
1.CMOS存储器单元无导线隐形供电方法其特征在于，对阵列内的单元利用N井对PMOS供电以节省金属布线，提高面积利用率。2.CMOS存储器单元无导线隐形供电方法其特征在于：PMOS的S极通过N井的N+...
【专利技术属性】
技术研发人员：李煜文，聂琦，叶菲，陈效军，
申请(专利权)人：绍兴嘉恒创能电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。