纯化含有氢化合物的四氯化硅或四氯化锗的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种纯化被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法，其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗，以目标方式，通过冷的等离子体来处理，和，所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。本发明专利技术还涉及一种进行本发明专利技术方法的装置，其包括四氯化硅或四氯化锗的存储和汽化设备（４．１或５．１），其通过连接管线与反应器（４．３或５．３）的入口连接，反应器具有控制设备（４．４或５．４），用于产生介电受阻放电，反应器的出口通过导管，直接或间接通过至少一个另外的反应器（５．５）与冷凝设备（４．５或５．１１）连接，冷凝设备的下游是收集容器（４．６或５．１２），其通过排出管线（４．６．２或５．１２．１）与蒸馏设备（４．８或５．１３）连接，如果适合，配有加料管线（４．６．１）至设备（４．１）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】纯化含有氢化合物的四氯化硅或四氯化锗的方法和装置本专利技术涉及一种用于处理被至少一种难于通过蒸馏分离的氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法和装置四氯化硅(SiCl4)被尤其用于光波导的制备。上述应用需要非常高纯度的SiCl4。具体而言，含氢的杂质是极度不利的，即使它们只以ppm的量存在。在四氯化硅的含氢杂质中，需要明确杂质间的差别，哪些杂质是难于分离的，哪些杂质是容易分离的。例如，HCl可通过简单的分馏从四氯化硅中分离将其降低至＜1ppm重量的浓度。另一方面，特别是烃，还有氯代烃和相应的化合物如含有烷基的硅烷，不能通过简单的分馏来分离而降低至＜1ppm重量的浓度。同样的努力用于制备尽可能最纯的四氯化锗，特别是其高纯度形式。从四氯化硅中除去烃、氯代烃和相应的化合物如含有烷基的硅烷的可能手段是很久就已知的。因而，含有上述成分的四氯化硅可如US4372834和EP0488765A1中所述在氯存在下用波长为200-380nm的UV辐射进行处理，所获得的氯化产物随后可通过精细蒸馏从SiCl4中分离。根据EP0488765A1，该方法明显的缺点是设备构件与大量加入的氯气接触，从而造成特别严重的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法，其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗，以目标方式，通过冷的等离子体来处理，所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2004-8-4 10 2004 037 675.11.一种处理被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法，其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗，以目标方式，通过冷的等离子体来处理，所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。2.权利要求1所述的方法，其中，冷的等离子体通过介电受阻放电、电容偶合放电、射频放电、微波放电、电晕放电、(高压至低压)辉光放电、高频率放电、屏蔽放电，或上述放电的混合形式来产生。3.权利要求1或2所述的方法，其中，介电受阻放电利用1V-1x106V的AC电压或脉冲电压来产生。4.权利要求1-3中任何一项所述的方法，其中，介电受阻放电在50Hz-100MHz的频率产生。5.权利要求1-4中任何一项所述的方法，其中，所要处理的四氯化硅或四氯化锗以0.01-100m/s的流速通过放电区。6.权利要求1-5中任何一项所述的方法，其中，每次放电的曝光时间为10ns-1ms。7.权利要求1-6中任何一项所述的方法，其中，所要处理的四氯化硅或四氯化锗在放电区度过1ms-10分钟。8.权利要求1-7中任何一项所述的方法，其中，介电受阻放电于气相中在-40-200℃的温度下产生。9.权利要求1-8中任何一项所述的方法，其中，稀有气体、氮气或惰性缓冲气体或上述气体的混合物在该工艺的一处或多处加入到所要处理的相中。10.权利要求1-9中任何一项所述的方法，其中，氯和/或氯化氢被加入到所要处理的相中。11.权利要求1-10中任何一项所述的方法，其中，该处理在0.1mb...

【专利技术属性】
技术研发人员：HP波普，R尼科莱，H劳勒德，J朗，
申请(专利权)人：德古萨公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]