晶片的生成方法技术

提供晶片的生成方法，经济性地生成晶片。晶片的生成方法从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对六方晶单晶锭进行支承而使上表面相对于水平面倾斜偏离角α；改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距上表面的第1深度，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使聚光点和六方晶单晶锭相对地移动而对上表面照射激光束，在六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；和转位步骤，使聚光点在第2方向上相对地移动而转位进给规定的量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的生成方法，将六方晶单晶锭切片成晶片状。
技术介绍
在以硅等作为原材料的晶片的正面上层叠功能层，在该功能层上在通过多个分割预定线划分出的区域中形成有IC、LSI等各种器件。并且，通过切削装置、激光加工装置等加工装置对晶片的分割预定线实施加工，将晶片分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。并且，在以SiC、GaN等六方晶单晶作为材料的晶片的正面上层叠有功能层，在所层叠的功能层上通过形成为格子状的多条分割预定线进行划分而形成有功率器件或者LED、LD等光器件。形成有器件的晶片通常是利用线切割对锭进行切片而生成的，对切片得到的晶片的正面背面进行研磨而精加工成镜面(例如，参照日本特开2000-94221号公报)。在该线切割中，将直径约为100～300μm的钢琴丝等一根金属丝缠绕在二～四条通常设置于间隔辅助辊上的多个槽中，按照一定间距彼此平行配置且使金属丝在一定方向或者双向上行进，将锭切片成多个晶片。六方晶单晶锭等锭中，包含原子呈平面状生长的无数的c面、以及在与c面垂直的方向上原子以层叠的方式生长的c轴。在六方晶单晶锭中，通常以c面露出于上表面、c轴与其垂直的方式制造出锭。为了改善与层叠在作为基板的晶片的上表面上的功能层的相容性，以往，以在晶片中形成相对于c面呈3.5°、4.0°、8.0°等这样根据功能层的种类而具有偏离角的上表面的方式，将从相对于c轴倾斜3.5°、4.0°、8.0°的方向进行制造的六方晶单晶锭加工成圆柱状，并对该加工出的六方晶单晶锭进行切片，从而制造出所需要的六方晶单晶晶片。专利文献1：日本特开2000-94221号公报但是，当利用线切割将锭切断，并对正面背面进行研磨而生成晶片时，锭的70～80％被舍弃，存在不经济这样的问题。特别是SiC、GaN等六方晶单晶锭的莫氏硬度较高，存在利用线切割进行的切断很困难、生产性较差这样的问题。并且，当对通过结晶生长制造出的在上表面上具有c面的六方晶单晶锭进行加工，而制造上表面相对于c面倾斜3.5°、4.0°、8.0°的圆柱状的六方晶单晶锭并对这样加工成圆柱状的六方晶单晶锭进行切片而制造出六方晶单晶晶片时，存在当从因结晶生长而制造出的原来的六方晶单晶锭制造出上表面相对于c面倾斜规定的角度的圆柱状六方晶单晶锭时，会从锭排出大量的昂贵边角料而不经济这样的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的点而完成的，其目的在于提供晶片的生成方法，能够经济性地从上表面与c面一致的六方晶单晶锭生成与上表面具有规定的偏离角的六方晶单晶晶片。根据技术方案1所述的专利技术，提供一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对该六方晶单晶锭进行支承，使该上表面相对于水平面倾斜偏离角α；第1改质层形成步骤，在实施了该支承步骤之后，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在从该上表面起的第1深度，并且在与形成有该偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使该聚光点和该六方晶单晶锭相对地移动而对该上表面照射激光束，在该六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从该第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；第1转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给规定的量；以及初始晶片剥离步骤，以形成在该六方晶单晶锭的内部的该第1改质层和该第1裂纹为起点而将初始晶片从该六方晶单晶锭剥离，在该第1改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，将L设定为使从相邻的该直线状的第1改质层沿着该c面延伸的相邻的该第1裂纹相重叠的长度以下。优选在该晶片的生成方法中，在实施了该初始晶片剥离步骤之后，还具有如下的步骤：分离起点形成步骤，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距剥离了该初始晶片而露出的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该露出的上表面照射激光束，形成与该露出的上表面平行的第2改质层和从该第2改质层沿着c面伸长的第2裂纹而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成晶片，该分离起点形成步骤包含：第2改质层形成步骤，在与该第2方向垂直的该第1方向上使激光束的聚光点相对地移动而形成沿着该第1方向延伸的直线状的该第2改质层；以及第2转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给该规定的量。优选在该晶片的生成方法中，在实施该分离起点形成步骤之前还具有平坦化步骤，对露出有该第1改质层和该第1裂纹或者该第2改质层和该第2裂纹而相对于c面倾斜了偏离角α的该六方晶单晶锭的露出的该上表面进行磨削而使其平坦化。根据技术方案4所述的专利技术，提供一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与该c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：第1改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在从该上表面起的第1深度，并且使该聚光点和该六方晶单晶锭相对地移动而对该上表面照射激光束，在该六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从该第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；第2改质层形成步骤，在实施了该第1改质层形成步骤之后，在与该直线状的第1改质层垂直的方向上对该六方晶单晶锭与该聚光点相对地进行了转位进给，然后，将该聚光点定位于第2深度而照射激光束，并对该六方晶单晶锭与该聚光点相对地进行加工进给而在该六方晶单晶锭内部形成与该直线状的第1改质层平行的直线状的第2改质层和从该第2改质层沿着c面延伸的第2裂纹，在该第2改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，将L设定为使从该直线状的第1改质层沿着c面延伸的该第1裂纹与从该直线状的第2改质层沿着c面与该第1裂纹对置地延伸的该第2裂纹相重叠的长度以下，在令该聚光点被定位的该第1深度与该第2深度在c轴方向上的差值为h的情况下，设定为h＝L·tanα；第2改质层形成重复步骤，一边使激光束的聚光点依次下降到由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔L的交点，一边依次重复地实施该第2改质层形成步骤，与要生成的晶片的整个面对应地形成该第2改质层和该第2裂纹；以及初始晶片剥离步骤，以形成在该六方晶单晶锭的内部的该第1改质层和第2改质层以及该第1裂纹和第2裂纹作为起点，而将初始晶片从该六方晶单晶锭剥离。优选在该晶片的生成方法中，在实施了该初始晶片剥离步骤之后，还具有如下的步骤：分离起点形成步骤，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距剥离了该初始晶片而露出的上表面相当于晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而照射激光束，形成与该露出的上表面平行的第3改质层和从该第3改质层沿着c面延伸的第3裂纹而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成晶片，该分离起点形成步骤包含：第3改质层形成步骤，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使激光束的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对该六方晶单晶锭进行支承，使该上表面相对于水平面倾斜偏离角α；第1改质层形成步骤，在实施了该支承步骤之后，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在从该上表面起的第1深度，并且在与形成有该偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使该聚光点和该六方晶单晶锭相对地移动而对该上表面照射激光束，在该六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从该第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；第1转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给规定的量；以及初始晶片剥离步骤，以形成在该六方晶单晶锭的内部的该第1改质层和该第1裂纹为起点而将初始晶片从该六方晶单晶锭剥离，在该第1改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，将L设定为使从相邻的该直线状的第1改质层沿着该c面延伸的相邻的该第1裂纹相重叠的长度以下。

【技术特征摘要】
2015.06.05 JP 2015-1145811.一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对该六方晶单晶锭进行支承，使该上表面相对于水平面倾斜偏离角α；第1改质层形成步骤，在实施了该支承步骤之后，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在从该上表面起的第1深度，并且在与形成有该偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使该聚光点和该六方晶单晶锭相对地移动而对该上表面照射激光束，在该六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从该第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；第1转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给规定的量；以及初始晶片剥离步骤，以形成在该六方晶单晶锭的内部的该第1改质层和该第1裂纹为起点而将初始晶片从该六方晶单晶锭剥离，在该第1改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，将L设定为使从相邻的该直线状的第1改质层沿着该c面延伸的相邻的该第1裂纹相重叠的长度以下。2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其特征在于，在该晶片的生成方法中，在实施了该初始晶片剥离步骤之后，还具有如下的步骤：分离起点形成步骤，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距剥离了该初始晶片而露出的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该露出的上表面照射激光束，形成与该露出的上表面平行的第2改质层和从该第2改质层沿着c面伸长的第2裂纹而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成晶片，该分离起点形成步骤包含：第2改质层形成步骤，在与该第2方向垂直的该第1方向上使激光束的聚光点相对地移动而形成沿着该第1方向延伸的直线状的该第2改质层；以及第2转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给该规定的量。3.根据权利要求2所述的晶片的生成方法，其中，在该晶片的生成方法中，在实施该分离起点形成步骤之前还具有平坦化步骤，对露出有该第1改质层和该第1裂纹或者该第2改质层和该第2裂纹而相对于c面倾斜了偏离角α的该六方晶单晶锭的露出的该上表面进行磨削而使其平坦化。4.一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与该c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：第1改质层形成步骤，将...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP