The invention provides a method for generating a wafer, which efficiently generates a wafer from ingot. With the method of generating chip separation: starting point forming step for the six party crystal ingot with laser beam spot positioning wavelength at a distance equivalent to the thickness of the wafer front to generate depth, make the focal point and the spindle moved relative to laser beam irradiation and on the positive, positive parallel formation and modification and from the modified layer and the formation of cracks in elongation of the starting point and separation; wafer stripping steps, separated from the starting point will plate is equal to the thickness of the wafer from the ingot stripping and generate six square crystal wafer. In the step of forming the separation point, the laser beam is positioned in the direction of the deviation angle to locate more than 2 points of the laser beam at a prescribed interval, and at the same time, more than 2 linear modification layers are formed at the same time.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的生成方法,将六方晶单晶锭切片成晶片状。
技术介绍
在以硅等作为原材料的晶片的正面上层叠功能层,在该功能层上在通过多个分割预定线划分出的区域中形成有IC、LSI等各种器件。并且,通过切削装置、激光加工装置等加工装置对晶片的分割预定线实施加工,将晶片分割成各个器件芯片,分割得到的器件芯片广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。并且,在以SiC、GaN等六方晶单晶作为材料的晶片的正面上层叠有功能层,在所层叠的功能层上通过形成为格子状的多条分割预定线进行划分而形成有功率器件或者LED、LD等光器件。形成有器件的晶片通常是利用线切割对锭进行切片而生成的,对切片得到的晶片的正面背面进行研磨而精加工成镜面(例如,参照日本特开2000-94221号公报)。在该线切割中,将直径约为100~300μm的钢琴丝等一根金属丝缠绕在通常二~四条设置于间隔辅助辊上的多个槽中,按照一定间距彼此平行配置且使金属丝在一定方向或者双向上行进,将锭切片成多个晶片。但是,当利用线切割将锭切断,并对正面背面进行研磨而生成晶片时,会浪费锭的70~80%,存在不经济这样的问题。特别是SiC、GaN等六方晶单晶锭的莫氏硬度较高,利用线切割而进行的切断很困难,花费相当长的时间,生产性较差,在高效地生成晶片方面存在课题。为了解决这些问题,在日本特开2013-49161号公报中记载了如下技术:将对于SiC具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在六方晶单晶锭的内部而进行照射,在切断预定面上形成改质层和裂痕,并施加外力而沿着形成有改质层和裂痕的切断预定面割断晶片,从锭分离晶片。在该公开公 ...
【技术保护点】
一种晶片的生成方法,从六方晶单晶锭生成晶片,该六方晶单晶锭具有:第一面和位于该第一面的相反侧的第二面;从该第一面至该第二面的c轴;以及与该c轴垂直的c面,该晶片的生成方法的特征在于,具有如下的步骤:分离起点形成步骤,将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距该第一面相当于要生成的晶片的厚度的深度,并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该第一面照射该激光束,形成与该第一面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕而形成分离起点;以及晶片剥离步骤,在实施了该分离起点形成步骤之后,从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成六方晶单晶晶片,该分离起点形成步骤包含如下的步骤:改质层形成步骤,该c轴相对于该第一面的垂线倾斜偏离角,使激光束的聚光点沿着与在该第一面和该c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层;以及转位步骤,在形成该偏离角的方向上使该聚光点相对地移动而转位规定的量,在该改质层形成步骤中,在形成有偏离角的方向上将激光束的聚光点隔着规定的间隔定位2个以上而同时形成2条以上的直线状的改质层。
【技术特征摘要】
2015.06.02 JP 2015-1123171.一种晶片的生成方法,从六方晶单晶锭生成晶片,该六方晶单晶锭具有:第一面和位于该第一面的相反侧的第二面;从该第一面至该第二面的c轴;以及与该c轴垂直的c面,该晶片的生成方法的特征在于,具有如下的步骤:分离起点形成步骤,将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距该第一面相当于要生成的晶片的厚度的深度,并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该第一面照射该激光束,形成与该第一面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕而形成分离起点;以及晶片剥离步骤,在实施了该分离起点形成步骤之后,从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成六方晶单晶晶片,该分离起点形成步骤包含如下的步骤:改质层形成步骤,该c轴相对于该第一面的垂线倾斜偏离角,使激...
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