阵列基板及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板包括：在氧化物半导体材料层形成后，在射频照射下、并在压缩空气中进行退火中形成钝化层或栅极绝缘层。通过上述方式，本发明专利技术能够多个调节氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。

Array substrate and liquid crystal display panel

The invention discloses an array substrate and a liquid crystal display panel, the array substrate comprises a metal oxide semiconductor material layer is formed after irradiation, and the RF passivation layer or a gate insulating layer is formed during annealing in compressed air. By the way, the invention can adjust the difference between a plurality of oxide thin film transistor threshold voltage, and then in order to reduce the oxide semiconductor TFT threshold voltage drift, achieve uniform display to provide a technical basis effect.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
技术介绍
氧化物半导体TFT(Oxide semiconductor TFT)具有高迁移率、较为廉价的大面积生产等优势，正逐渐成为下一代显示技术的有力竞争者。但是，目前的情况是，面板上氧化物半导体TFT阈值电压发生漂移，各个氧化物半导体TFT阈值电压之间的差异很大，不均匀，这给液晶显示的质量和效果带来很不好的影响。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及液晶显示面板，能够调节多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，其中，所述阵列基板上设置有阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管，所述阵列基板包括：基板；栅极层，形成在所述基板上；栅极绝缘层，覆盖在所述基板和所述栅极层上；氧化物半导体材料层，形成在所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极层的垂直正上方；源极层和漏极层，分别间隔地形成在所述栅极绝缘层上，且分别部分覆盖所述氧化物半导体材料层，使得所述源极层和漏极层分别位于所述氧化物半导体材料层的两边；钝化层，覆盖在所述源极层、所述漏极层以及所述氧化物半导体材料层上，其中，所述钝化层是在射频照射下、并在压缩空气中进行退火形成的，以调节所述多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差值；平坦层，覆盖在所述钝化层上，其在所述平坦层中形成贯穿所述平坦层的接触孔，所述接触孔的一端延伸并贯穿所述钝化层、与所述漏极层连接，所述接触孔中填充的材料为透明电极材料；像素电极层，形成在所述平坦层上，其材料为透明电极材料，所述像素电极层与所述接触孔的另一端连接，以实现所述漏极层与所述像素电极层之间的电性连接。其中，所述射频的电源功率的范围为400W～4000W。其中，所述射频的电源功率分别为600W、1000W以及1400W。其中，退火时的温度为200～40℃C。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，包括：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对设置，其上设置有阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管，其包括：基板；栅极层，形成在所述基板上；栅极绝缘层，覆盖在所述基板和所述栅极层上；氧化物半导体材料层，形成在所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极层的垂直正上方；源极层和漏极层，分别间隔地形成在所述栅极绝缘层上，且分别部分覆盖所述氧化物半导体材料层，使得所述源极层和漏极层分别位于所述氧化物半导体材料层的两边；钝化层，覆盖在所述源极层、所述漏极层以及所述氧化物半导体材料层上，其中，所述钝化层是在射频照射下、并在压缩空气中进行退火形成的，以调节所述多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差值；平坦层，覆盖在所述钝化层上，其在所述平坦层中形成贯穿所述平坦层的接触孔，所述接触孔的一端延伸并贯穿所述钝化层、与所述漏极层连接，所述接触孔中填充的材料为透明电极材料；像素电极层，形成在所述平坦层上，其材料为透明电极材料，所述像素电极层与所述接触孔的另一端连接，以实现所述漏极层与所述像素电极层之间的电性连接；液晶层，夹设在所述第一基板和所述第二基板之间。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是：提供一种阵列基板，其中，所述阵列基板上设置有阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管，所述阵列基板包括：基板；绝缘的缓冲层，覆盖在所述基板上；氧化物半导体材料层，其包括沟道区域、源极区域和漏极区域，所述氧化物半导体材料层形成在所述缓冲层上，其中，所述源极区域和所述漏极区域分别位于所述沟道区域的两端，所述源极区域和所述漏极区域通过对所述氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成；栅极绝缘层，覆盖在所述沟道区域上，其中，所述栅极绝缘层在射频的照射下、并在压缩空气中进行退火而形成的，以调节所述多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差值；栅极层，覆盖在所述栅极绝缘层上；绝缘的互联层，覆盖在所述缓冲层、所述源极区域、所述栅极层以及所述漏极区域上，且在所述互联层中分别形成贯穿所述互联层的第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔的一端与所述源极区域连接，所述第二接触孔的一端与所述漏极区域连接，其中所述第一接触孔和第二接触孔中填充的材料为透明电极材料；源极层和漏极层，其分别间隔形成在所述互联层上，其材料均为金属导体材料，其中，所述源极层与所述第一接触孔的另一端相连，以实现所述源极层与所述源极区域之间的电性连接，所述漏极层与所述第二接触孔的另一端相连，以实现所述漏极层与所述漏极区域之间的电性连接。其中，所述射频的电源功率的范围为400W～4000W。其中，所述射频的电源功率分别为600W、1000W以及1400W。其中，退火时的温度为200～400℃。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，包括：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对设置，其上设置有阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管，其包括：基板；绝缘的缓冲层，覆盖在所述基板上；氧化物半导体材料层，其包括沟道区域、源极区域和漏极区域，所述氧化物半导体材料层形成在所述缓冲层上，其中，所述源极区域和所述漏极区域分别位于所述沟道区域的两端，所述源极区域和所述漏极区域通过对所述氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成；栅极绝缘层，覆盖在所述沟道区域上，其中，所述栅极绝缘层在射频的照射下、并在压缩空气中进行退火而形成的，以调节所述多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差值；栅极层，覆盖在所述栅极绝缘层上；绝缘的互联层，覆盖在所述缓冲层、所述源极区域、所述栅极层以及所述漏极区域上，且在所述互联层中分别形成贯穿所述互联层的第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔的一端与所述源极区域连接，所述第二接触孔的一端与所述漏极区域连接，其中所述第一接触孔和第二接触孔中填充的材料为透明电极材料；源极层和漏极层，其分别间隔形成在所述互联层上，其材料均为金属导体材料，其中，所述源极层与所述第一接触孔的另一端相连，以实现所述源极层与所述源极区域之间的电性连接，所述漏极层与所述第二接触孔的另一端相连，以实现所述漏极层与所述漏极区域之间的电性连接；液晶层，夹设在所述第一基板和所述第二基板之间。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术在氧化物半导体材料层形成后，在射频的照射下、并在压缩空气中进行退火中形成钝化层或栅极绝缘层，通过这种方式，能够调节氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。附图说明图1是本专利技术阵列基板一实施方式的结构示意图；图2是图1的阵列基板在实际应用中一制备流程第一部分示意图；图3是图1的阵列基板在实际应用中一制备流程第二部分示意图；图4是通过图2和图3的制备流程获得的基板上测试TFT器件的位点示意图；图5是图4的TFT器件在600W的电流电压(IdVg)曲线；图6是图4的TFT器件在1000W的电流电压(IdVg)曲线；图7是图4的TFT器件在1400W的电流电压(IdVg)曲线；图8是本专利技术阵列基板另一实施方式的结构示意图；图9是图8的阵列基板在实际应用中一制备流程第一部分示意图；图10是图8的阵列基板在实际应用中一制备流程第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其中，所述阵列基板上设置有阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；栅极层，形成在所述基板上；栅极绝缘层，覆盖在所述基板和所述栅极层上；氧化物半导体材料层，形成在所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极层的垂直正上方；源极层和漏极层，分别间隔地形成在所述栅极绝缘层上，且分别部分覆盖所述氧化物半导体材料层，使得所述源极层和漏极层分别位于所述氧化物半导体材料层的两边；钝化层，覆盖在所述源极层、所述漏极层以及所述氧化物半导体材料层上，其中，所述钝化层是在射频照射下并在压缩空气中进行退火形成的，以调节所述多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差值；平坦层，覆盖在所述钝化层上，其在所述平坦层中形成贯穿所述平坦层的接触孔，所述接触孔的一端延伸并贯穿所述钝化层、与所述漏极层连接，所述接触孔中填充的材料为透明电极材料；像素电极层，形成在所述平坦层上，其材料为透明电极材料，所述像素电极层与所述接触孔的另一端连接，以实现所述漏极层与所述像素电极层之间的电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其中，所述阵列基板上设置有阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；栅极层，形成在所述基板上；栅极绝缘层，覆盖在所述基板和所述栅极层上；氧化物半导体材料层，形成在所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极层的垂直正上方；源极层和漏极层，分别间隔地形成在所述栅极绝缘层上，且分别部分覆盖所述氧化物半导体材料层，使得所述源极层和漏极层分别位于所述氧化物半导体材料层的两边；钝化层，覆盖在所述源极层、所述漏极层以及所述氧化物半导体材料层上，其中，所述钝化层是在射频照射下并在压缩空气中进行退火形成的，以调节所述多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差值；平坦层，覆盖在所述钝化层上，其在所述平坦层中形成贯穿所述平坦层的接触孔，所述接触孔的一端延伸并贯穿所述钝化层、与所述漏极层连接，所述接触孔中填充的材料为透明电极材料；像素电极层，形成在所述平坦层上，其材料为透明电极材料，所述像素电极层与所述接触孔的另一端连接，以实现所述漏极层与所述像素电极层之间的电性连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述射频的电源功率的范围为400W～4000W。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述射频的电源功率分别为600W、1000W以及1400W。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，退火时的温度为200～400℃。5.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对设置，其上设置有阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管，其包括：基板；栅极层，形成在所述基板上；栅极绝缘层，覆盖在所述基板和所述栅极层上；氧化物半导体材料层，形成在所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极层的垂直正上方；源极层和漏极层，分别间隔地形成在所述栅极绝缘层上，且分别部分覆盖所述氧化物半导体材料层，使得所述源极层和漏极层分别位于所述氧化物半导体材料层的两边；钝化层，覆盖在所述源极层、所述漏极层以及所述氧化物半导体材料层上，其中，所述钝化层是在射频照射下并在压缩空气中进行退火形成的，以调节所述多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差值；平坦层，覆盖在所述钝化层上，其在所述平坦层中形成贯穿所述平坦层的接触孔，所述接触孔的一端延伸并贯穿所述钝化层、与所述漏极层连接，所述接触孔中填充的材料为透明电极材料；像素电极层，形成在所述平坦层上，其材料为透明电极材料，所述像素电极层与所述接触孔的另一端连接，以实现所述漏极层与所述像素电极层之间的电性连接；液晶层，夹设在所述第一基板和所述第二基板之间。6.一种阵列基板，其中，所述阵列基板上设置有阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；绝缘的缓冲层，覆盖在所述基板上；氧化物半导体材料层，其包括沟道区域、源极区域和漏极区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢应涛，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42