The invention provides a COA array substrate and a manufacturing method thereof. Type COA array substrate of the invention, the TFT layer is arranged on the color photoresist layer of color photoresist layer protection and flattening protective layer is arranged between the color photoresist layer and TFT layer, so as to avoid opening to achieve the connection between the electrodes arranged in the color photoresist layer, and the color photoresist flat layer is the protective layer and the gate insulating layer covering the entire surface, strengthen the protection ability of the color photoresist layer, can prevent the bubble oozing from the color photoresist layer, thereby improving the liquid crystal display panel appears bubble phenomena, and the production method is simple. Production method of COA array substrate of the invention, the color photoresist layer is fabricated on the TFT layer, and the color photoresist layer and the subsequent completion of covering the whole face of the flat protective layer, without increasing the time of the process under way, can improve the liquid crystal panel appears bubble bad phenomenon, improve the yield of product.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种COA型阵列基板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中,液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列(Thin Film Transistor Array,TFT Array)基板、一彩色滤光片(Color Filter,CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成,其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面。COA(Color-filter on Array)技术是一种将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术,能够有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题,并能显著提升显示开口率。请参阅图1,为现有的一种COA型液晶显示面板的结构示意图,其包括下基板1、与所述下基板1相对设置的上基板2、及位于所述下基板1与上基板2之间的液晶层(未图示);其中,该下基板1为阵列基板,具体包括:第一基板100、设于第一基板100上的TFT层200、设于所述TFT层200上的第一钝化层310、设于第一钝化层310上的彩色光阻层400、设于所述彩色光阻层400上的第二钝化层320、及设于所述第二钝化层320上的像素 ...
【技术保护点】
一种COA型阵列基板,其特征在于,包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的彩色光阻层(20)、覆盖所述彩色光阻层(20)的整面的平坦保护层(30)、设于所述平坦保护层(30)上的TFT层(40)、设于所述TFT层(40)上的钝化层(50)、及设于钝化层(50)上的导电层(60)。
【技术特征摘要】
1.一种COA型阵列基板,其特征在于,包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的彩色光阻层(20)、覆盖所述彩色光阻层(20)的整面的平坦保护层(30)、设于所述平坦保护层(30)上的TFT层(40)、设于所述TFT层(40)上的钝化层(50)、及设于钝化层(50)上的导电层(60)。2.如权利要求1所述的COA型阵列基板,其特征在于,所述平坦保护层(30)的材料为PFA,厚度为2-3μm。3.如权利要求1所述的COA型阵列基板,其特征在于,所述TFT层(40)包括设于所述平坦保护层(30)上的栅极(41)、设于所述栅极(41)、及平坦保护层(30)上的栅极绝缘层(42)、设于栅极绝缘层(42)上的半导体层(43)、及设于所述半导体层(43)、及栅极绝缘层(42)上的源极(44)与漏极(45)。4.如权利要求3所述的COA型阵列基板,其特征在于,所述导电层(60)包括像素电极(61),所述钝化层(50)上设有对应于所述漏极(45)上方的过孔(55),所述像素电极(61)通过所述过孔(55)与所述漏极(45)相连接。5.如权利要求1所述的COA型阵列基板,其特征在于,所述钝化层(50)为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层组成的复合层,所述导电层(60)为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、及铟锗锌氧化物中的一种或多种。6.一种COA型阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上形成彩色光阻层(20);步骤2、在所述彩色光阻层(20)上形成一层整面的覆盖所述彩色光阻层(20)的平坦...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓竹明,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。