半导体发光元件结构物及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体发光元件结构物及其制造方法，半导体发光元件结构物的特征在于，其包括：半导体发光元件，其包括有源层；第一密封剂，其包围半导体发光元件的上部及侧表面；第二密封剂，其位于第一密封剂的上部；及反射层，其位于第二密封剂的下部，并包围第一密封剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术整体涉及半导体发光元件结构物，特别是，涉及提高了光效率的半导体发光元件结构物及其制造方法。
技术介绍
在此，提供关于本专利技术的
技术介绍
，这些
技术介绍
并非表示一定是公知技术。图1是表示以往的半导体发光元件的一例的图。半导体发光元件具备基板(10；例如：蓝宝石基板)，在基板10上依次层叠有缓冲层20、具备第一导电性的第一半导体层(30；例如：n型GaN层)、通过电子与空穴的再结合而生成光的有源层(40；例如；NGaN/(In)GaN MQWs)、具备不同于第一导电性的第二导电性的第二半导体层(50；例如：p型GaN层)，并在其上形成有用于电流扩散的透光性导电膜60和作用为接合焊盘的电极70，在通过蚀刻而露出的第一半导体层30上形成有作用为接合焊盘的电极(80：例如：Cr/Ni/Au层叠金属焊盘)。将如图1这样的形态的半导体发光元件特称为正装芯片(Lateral Chip)。在此，在基板10侧处于封装时，作用为安装面。图2是表示以往的半导体发光元件的其他例的图。半导体发光元件具备基板10，在基板10上依次层叠具备第一导电性的第一半导体层30、通过电子和空穴的再结合而生成光的有源层40、具备不同于第一导电性的第二导电性的第二半导体层50，在其上形成有用于向基板10侧反射光的由3层构成的电极膜(90，91，92)。第一电极膜90为Ag反射膜，第二电极膜91为Ni扩散防止膜，第三电极膜92为Au粘接层。在通过蚀刻而露出的第一半导体层30上形成有作用为接合焊盘的电极80。在此，在电极膜92侧处于封装时，作用为安装面。将如图2这样的形态的半导体发光元件特称为倒装芯片(Flip Chip)。在图2所示的倒装芯片的情况下，形成在第一半导体层30上的电极80与形成在第二半导体层上的电极膜(90，91，92)相比，位于更低的位置，但也可以形成在相同的高度处。在此，高
度基准可以是从基板10算起的高度。从散热效率的观点看，正装芯片比倒装芯片散热效率更优异。这是因为：正装芯片需通过具备80～180um的厚度的蓝宝石基板10来散热，而倒装芯片可通过靠近有源层40的由金属构成的电极90，91，92来散热。图3是表示以往的半导体发光元件的封装或半导体发光元件结构物的一例的图。半导体发光元件结构物100具备引线框架110，120、模具130、以及腔体140内的垂直型半导体发光元件(150；Vertical Type Light Emitting Chip)，腔体140由含有荧光体160的密封剂70来填充。垂直型半导体发光元件150的下表面与引线框架110直接电连接，上表面通过引线180而与引线框架120电连接。从垂直型半导体发光元件150发出的光的一部分激发荧光体160，从而荧光体160生成不同颜色的光，并混合两个彼此不同的光而生成白色光。例如，半导体发光元件150生成蓝色光，被荧光体160激发而生成黄色光，并混合蓝色光和黄色光而生成白色光。图3表示使用了垂直型半导体发光元件的半导体发光元件结构物，而也可以使用图1及图2所示的半导体发光元件来制造图3所示的形态的半导体发光元件结构物。最近，半导体发光元件结构物的尺寸具有小型化的倾向，对此，比起图3这样的形态的半导体发光元件结构物，更加活跃地进行着对芯片尺寸封装(CSP：ChipScalePackage)的研发。
技术实现思路
本专利技术要提供提高光性能的结构的CSP。对此，将在“具体实施例”的后面段落中叙述。在此，提供本专利技术的整体概要，其并非限定本专利技术的框架。根据本专利技术的一实施形态，提供一种半导体发光元件结构物，其特征在于，其包括：半导体发光元件，其包括有源层；第一密封剂，其包围半导体发光元件的上部及侧表面；第二密封剂，其位于第一密封剂的上部；及反射层，其位于第二密封剂的下部，并包围第一密封剂。根据本专利技术的另一实施形态，提供一种半导体发光元件结构物的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在平板上形成第一密封剂；在第一密封剂上形成第二密封剂；以使电极朝上的方式，将半导体发光元件固定在第一密封剂上；及以包围第二密封剂的侧表面及半导体发光元件的侧表面的一部分的方式形成反射层。专利技术效果对此，将在“具体实施方式”的后面段落中进行叙述。附图说明图1是表示以往的半导体发光元件的一例的图。图2是表示以往的半导体发光元件的另一例的图。图3是表示以往的半导体发光元件封装或半导体发光元件结构物的一例的图。图4是表示本专利技术的半导体发光元件结构物的一例的图。图5是表示本专利技术的半导体发光元件结构物的另一例的图。图6是详细说明反射层的作用的图。图7是表示本专利技术的半导体发光元件结构物的制造方法的一例的图。图8是表示本专利技术的半导体发光元件结构物的制造方法的另一例的图。(符号说明)半导体发光元件：150，210，310第一密封剂：220，320，420，520第二密封剂：230，330，410，510反射层：240，340，440，540半导体发光元件结构物：210，310，430，530具体实施方式下面，参照附图，对本专利技术进行详细说明。图4是表示本专利技术的半导体发光元件结构物的一例的图。图4的(a)是本专利技术的半导体发光元件结构物200的俯视图，图4的(b)是以AA'为基准的剖面图。本专利技术的半导体发光元件结构物200包括：包括有源层的半导体发光元件210、包围半导体发光元件的上部及侧表面的第一密封剂220、位于第一密封剂220的上部的第二密封剂230及位于第二密封剂230下部，并包围第一密封剂220的反射层240。半导体发光元件210可以是在半导体发光元件下部设有电极211的倒装芯片。第一密封剂220可以是由环氧树脂、硅树脂中的至少一个构成的透光树脂层。第
一密封剂220包围半导体发光元件210的上部及侧表面。特别地，优选为第一密封剂220包围半导体发光元件210的侧表面的上侧一部分。由反射层240来包围未被第一密封剂220包围的剩余的半导体发光元件210的侧表面的下侧一部分。在该情况下，优选为，反射层240包围至有源层为止。具体地，将在图6中进行说明。第一密封剂220起到缩减半导体发光元件210与第二密封剂230之间的间隔的作用，由此第一密封剂220起到扩散从半导体发光元件210发生的光的窗口及透镜的作用，提高从半导体发光元件210发出的光的性能。另外，第一密封剂220起到将第二密封剂230粘接到半导体发光元件210的作用。第二密封剂230可以是包括由钇铝石榴石(YAG)、硅酸盐(Silicate)、氮化物(Nitride)中的至少一个构成的荧光体的荧光体树脂层。第二密封剂230通过荧光体而激发从半导体发光元件210发出的光而发出不同颜色的光。反射层240可以是由SiO2、Al2O3、TiO2等氧化物及含有它们的陶瓷颗粒物的高分子组合物中的至少一个构成的反射树脂层。反射层240起到防止从半导体发光元件210发出的光从侧表面泄漏的作用。图5是表示本专利技术的半导体发光元件结构物的另一例的图。图5的(a)是本专利技术的半导体发光元件结构物300的俯视图，图5的(b)是以BB'为基准的剖面图。本专利技术的半导体发光元件结构物300包括：包括有源层的半导体发光元件310、包围半导体发光元件的上部及侧表面的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件结构物，其特征在于，其包括：半导体发光元件，其包括有源层；第一密封剂，其包围半导体发光元件的上部及侧表面；第二密封剂，其位于第一密封剂的上部；及反射层，其位于第二密封剂的下部，并包围第一密封剂。

【技术特征摘要】
2015.05.28 KR 10-2015-00749501.一种半导体发光元件结构物，其特征在于，其包括：半导体发光元件，其包括有源层；第一密封剂，其包围半导体发光元件的上部及侧表面；第二密封剂，其位于第一密封剂的上部；及反射层，其位于第二密封剂的下部，并包围第一密封剂。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件结构物，其特征在于，电极露出于半导体发光元件的下部。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件结构物，其特征在于，第一密封剂包围半导体发光元件的侧表面的上侧一部分，反射层包围半导体发光元件的剩余侧表面的下侧一部分。4.根据权利要求3所述的半导体发光元件结构物，其特征在于，包围半导体发光元件的侧表面的下侧一部分的反射层包围半导体发光元件的有源层。5.根据权利要求1所述的半导体发光元件结构物，其特征在于，反射层的一部分包围第二密封剂的侧表面。6.一种半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昌台，郑贤敏，南起堜，金石中，
申请(专利权)人：思特亮株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR