半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，包括半导体基体以及第一半导体元件；半导体基体具有一电路集中区域；第一半导体元件布局于半导体基体之上，且至少部分环绕在电路集中区域的外围；第一半导体元件的布局面积大于电路集中区域中的任一半导体元件的布局面积。本发明专利技术提供的半导体装置，能够减少晶粒面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种半导体装置。
技术介绍
在集成电路中，大电流半导体元件往往需要占用大量的核心电路(core circuit)面积。举例来说，在静电放电(Electrostatic Discharge,简称：ESD)防护电路中，静电放电钳位(ESD clamp)因为要即时传输大量的瞬时电流(ESD电流)而必须占用大量的核心电路面积。再举例来说，电源集成电路的输出级要即时提供大量的电流给负载电路，因此输出级的功率晶体管必须占用大量的核心电路面积。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体装置，以节省晶粒面积(Die Size)。本专利技术的实施例提供一种半导体装置，包括半导体基体以及第一半导体元件；半导体基体具有一电路集中区域；第一半导体元件布局于半导体基体之上，且至少部分环绕在电路集中区域的外围；第一半导体元件的布局面积大于电路集中区域中的任一半导体元件的布局面积。在本专利技术的一实施例中，上述第一半导体元件的布局面积是电路集中区域中的所述任一半导体元件的布局面积的2倍以上。在本专利技术的一实施例中，上述第一半导体元件为齐纳二极管(Zener diode)或功率晶体管(power tr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：半导体基体，具有电路集中区域；以及第一半导体元件，布局于所述半导体基体之上，且至少部分环绕在所述电路集中区域的外围，其中所述第一半导体元件的布局面积大于所述电路集中区域中的任一半导体元件的布局面积。

【技术特征摘要】
2015.03.27 TW 1041099861.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：半导体基体，具有电路集中区域；以及第一半导体元件，布局于所述半导体基体之上，且至少部分环绕在所述电路集中区域的外围，其中所述第一半导体元件的布局面积大于所述电路集中区域中的任一半导体元件的布局面积。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体元件的布局面积是所述电路集中区域中的所述任一半导体元件的布局面积的2倍以上。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体元件为齐纳二极管或功率晶体管。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体元件呈C字形或环形而环绕在所述电路集中区域的外围。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体元件包括：第一电极线，布局于所述半导体基体之上，且呈C字形或环形而至少部分环绕在所述电路集中区域的外围，其中所述第一电极线的第一连接部通过电源轨线电性连接至第一电源焊垫；第二电极环，布局于所述半导体基体之上，且至少部分环绕在所述电路集中区域的外围，其中所述第二电极环的第二连接部电性连接至第二电源焊垫；以及第二电极线，布局于所述半导体基体之上，且呈L字形、C字形或环形而环绕在所述电路集中区域的外围，其中所述第二电极线电性连接至所述第二电源焊垫；其中所述第一电极线被配置于所述第二电极环与所述第二电极线之间。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电路集中区域中的所述任一半导体元件包括二极管或驱动控制器。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电路集中区域中的所述任一半导体元件包括：第一电源焊垫，布局于所述半导体基体的上方，且在所述电路集中区域
\t中，其中所述第一电源焊垫通过电源轨线电性连接至所述第一半导体元件的第一连接部；第二电源焊垫，布局于所述半导体基体的上方，且在所述电路集中区域的边缘部，其中所述第二电源焊垫电性连接至所述第一半导体元件的第二连接部；信号焊垫，布局于所述半导体基体的上方且在所述电路集中区域中；第一个二极管，布局在所述电路集中区域中，以及位于所述第一电源焊垫与所述信号焊垫之间，其中所述第一个二极管的第一端电性连接至所述第一电源焊垫，以及所述第一个二极管的第二端电性连接至所述信号焊垫；以及第二个二极管，布局在所述电路集中区域中，以及位于所述第一半导体元件的第三连接部与所述信号焊垫之间，其中所述第二个二极管的第一端电性连接至所述信号焊垫，以及所述第二个二极管的第二端电性连接至所述第一半导体元件的所述第三连接部。8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪根刚，陈志豪，
申请(专利权)人：力祥半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71