【技术实现步骤摘要】
一种纳米锥阵列材料及其制备方法
：本专利技术涉及材料科学，特别提供了一种纳米锥阵列材料及其制备方法。
技术介绍
：自1991年饭岛博士用电弧蒸发法发现碳纳米管以来，科技界掀起了研究准一维纳米材料(包括纳米管、纳米线等)的热潮。由于纳米线具有近于完美的晶体材料，因此，研究纳米线对推动纳米材料的研究与开发，对凝聚态理论的发展有着重要的意义。氮化铝由于具有和硅匹配的热膨胀系数，高的热导率，高的热、化学稳定性，在整个可见光和红外频带都具有很高的光学透射率；同时，它还具有抗腐蚀性好、密度低、力学性能优良、介电性能好等特点，其已被广泛用于制作电子基板、电子封装材料、复合材料，它还是优异的多功能宽禁带半导体薄膜等材料，在电子和光电子器件等领域有着十分广阔的应用前景。制备出一维和准一维AlN纳米材料也必将非常有助于研究和发展纳米电子和光电子器件。一维和准一维纳米AlN材料具有传统大块材料所不具备的一些奇特性能，其制备和应用近来引起人们的普遍关注。前人研究表明：因氮化铝具有非常低的电子亲合势，故可望是一种优异的场发射材料；同时，由于AlN纳米锥材硬度较高，其还可望被用作纳米探针。...
【技术保护点】
一种纳米锥阵列材料，其特征在于：所述材料组成成份为ＡｌＮ，所述材料宏观上形成一种纳米锥阵列。
【技术特征摘要】
1、一种纳米锥阵列材料，其特征在于：所述材料组成成份为AlN，所述材料宏观上形成一种纳米锥阵列。2、按照权利要求1所述纳米锥阵列材料，其特征在于：所述材料中单个AlN纳米锥为单晶纳米锥，AlN纳米锥的分布密度为每平方厘米104～1010根。3、按照权利要求1所述纳米锥阵列材料，其特征在于：所述材料中单个AlN纳米锥的微观形貌为塔锥状，锥尖直径在10-100纳米，锥座直径为100-700纳米，锥高为1-10微米；这些纳米锥均匀、垂直组装在硅基板上。4、按照权利要求1所述纳米锥阵列材料，其特征在于：所述材料中单个AlN纳米锥为单晶纳米锥，AlN纳米锥的分布密度为每平方厘米106～107根。5、一种如权利要求1所述纳米锥阵列材料的制备方法，其特征在于：所述材料采用化学气相沉积法制备，制备出单晶AlN塔状纳米锥阵列并...
【专利技术属性】
技术研发人员：丛洪涛，唐永炳，成会明，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]
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