【技术实现步骤摘要】
一种纳米棒阵列材料
:本专利技术涉及材料科学,特别提供了一种纳米棒阵列材料。
技术介绍
:自1991年饭岛博士(Iijima)用电弧蒸发法发现碳纳米管以来,科技界掀起了研究准一维纳米材料(包括纳米管、纳米线等)的热潮。由于纳米线具有近于完美的晶体材料,因此,研究纳米线对推动纳米材料的研究与开发,对凝聚态理论的发展有着重要的意义。氮化铝由于具有和硅匹配的热膨胀系数,高的热导率,高的热、化学稳定性,在整个可见光和红外频带都具有很高的光学透射率;同时,它还具有抗腐蚀性好、密度低、力学性能优良、介电性能好等特点,其已被广泛用于制作电子基板、电子封装材料、复合材料,它还是优异的多功能宽禁带半导体薄膜等材料,在电子和光电子器件等领域有着十分广阔的应用前景。制备出一维和准一维AlN纳米材料也必将非常有助于研究和发展纳米电子和光电子器件。一维和准一维纳米AlN材料具有传统大块材料所不具备的一些奇特性能,其制备和应用近来引起人们的普遍关注。前人研究表明:因氮化铝具有非常低的电子亲合势,故可望是一种优异的场发射材料;同时,由于AlN纳米棒材硬度较高,其还可望被用作纳米探针。目前AlN准一维纳米材料制备手段主要有化学气相沉积法、电弧放电法和激光烧蚀等方法,但尚未制备出单晶AlN垂直定向排列的纳米棒阵列。
技术实现思路
:-->本专利技术的目的是提供一种AlN纳米棒阵列的场发射材料。本专利技术一种纳米棒阵列材料,其特征在于:所述材料组成成份为AlN,所述材料宏观上形成一种纳米棒阵列。本专利技术纳米棒阵列材料,其特征在于:所述材料中单个纳米棒为单晶AlN纳米棒,AlN纳米棒的分布密度 ...
【技术保护点】
一种纳米棒阵列材料,其特征在于:所述材料组成成份为AlN,所述材料宏观上形成一种纳米棒阵列。
【技术特征摘要】
1、一种纳米棒阵列材料,其特征在于:所述材料组成成份为AlN,所述材料宏观上形成一种纳米棒阵列。2、按照权利要求1所述纳米棒阵列材料,其特征在于:所述材料中单个纳米棒为单晶AlN纳米棒,AlN纳米棒的分布密度为每平方厘米105~1010根。3、按照权利要求1所述纳米棒阵列材料,其特征在于:所述材料中单个AlN蘑菇状纳米棒由头部和支持头部的杆状支座构成;所述材料中单个单晶AlN蘑菇状纳米棒的具体结构尺寸是:蘑菇头直径为100-400纳米,杆直径为50-200纳米,棒总长度为1-10微米;所述材料组成的纳米棒阵列为垂直定向均匀排列。4、按照权利要求2所述纳米棒阵列材料,其特征在于:所述材料中单个AlN纳米棒为单晶纳米棒,AlN纳米棒的分布密度为每平方厘米107~108根。5、按照权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:丛洪涛,唐永炳,成会明,
申请(专利权)人:中国科学院金属研究所,
类型:发明
国别省市:89[中国|沈阳]
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