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本发明一种纳米锥阵列材料，其组成成份为ＡｌＮ，所述材料宏观上形成一种纳米锥阵列；本发明一种纳米锥阵列材料的制备方法，所述材料采用化学气相沉积法制备，制备出单晶ＡｌＮ塔状纳米锥阵列并与硅基板原位垂直组装。本发明的优点是：此场发射材料具有很低的...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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