主动元件阵列基板制造技术

本发明专利技术公开了一种主动元件阵列基板，包含基板、第一主动层、栅极介电层、图案化导电层、层间介电层、第二主动层、至少一导电柱以及至少一蚀刻阻挡层。第一主动层设置于基板的非显示区。栅极介电层至少设置于第一主动层上。图案化导电层包含设置于第一主动层上的第一栅极电极以及位于显示区的第二栅极电极。层间介电层覆盖第一主动层、栅极介电层与图案化导电层且包含连接第一主动层的至少一开口。第二主动层设置于层间介电层之上且位于第二栅极电极上方。导电柱设置于开口内。蚀刻阻挡层至少设置于开口的底部，其中蚀刻阻挡层与第二主动层的材料相同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种主动元件阵列基板。
技术介绍
如今，随着个人电脑、个人数字助理或智能型电话等数据处理设备的发展，对重量轻、外形薄且尺寸小的显示设备的需求不断增加，为满足这些市场趋向，开发了各种平板显示设备，包括液晶显示设备、场致发射显示器或电致发光器件等。为了实现大规模生产、驱动简便、高清晰度的显示画面和低能量损失，通常使用以矩阵形式布置有薄膜晶体管的液晶显示设备或有机发光二极管显示设备。液晶显示装置采用薄膜晶体管作为开关元件来呈现显示画面。由于非晶硅薄膜晶体管以低成本且在低温处理条件下制造，因而常见地，采用非晶硅来制造平板显示设备的薄膜晶体管基板。然而，由于非晶硅薄膜晶体管的电子迁移率偏低且容易漏电，当它应用于大面积显示设备时，很难保证良好的显示品质。如何设计平板显示设备基板兼具有较佳的电子迁移率且不易漏电是未来的发展方向之一。
技术实现思路
本专利技术的部分实施方式中，在非显示区与显示区分别设计不同的第一与第二晶体管，以兼顾高画质(低漏电)与省电的优点。此不同的第一与第二晶体管的制作方法经由整合，而一同形成第一晶体管内的蚀刻停止层与第二晶体管的主动层。如此一来，在设置第二晶体管的相关结构而进行蚀刻时，可以使第一晶体管的主动层受到蚀刻停止层的保护，而避免第一晶体管的主动层因二次蚀刻而变薄。此外，也可以一同形成第二晶体管的主动层与转线结构的蚀刻停止层，以使转线结构的电极受到保护而免于二次蚀刻侵害。根据本专利技术的部分实施方式，主动元件阵列基板具有显示区与设置于显示区的至少一侧的非显示区。主动元件阵列基板包含基板、第一主动层、栅极介电层、图案化导电层、第一层间介电层、第二主动层、第一导电柱以及第一蚀刻阻挡层。第一主动层设置于基板的非显示区。栅极介电层至少设置于第一主动层上。图案化导电层设置于该基板上且包含第一栅极电极以及一第二栅极电极，分别位于非显示区与显示区，其中第一栅极电极设置于第一主动层上。第一层间介电层覆盖第一主动层、栅极介电层与图案化导电层，其中第一层间介电层包含至少一第一开口，第一开口的底部连接第一主动层。第二主动层设置于第一层间介电层之上且位于第二栅极电极上方。第一导电柱设置于第一开口内。第一蚀刻阻挡层至少设置于第一开口的底部，其中第一蚀刻阻挡层与第二主动层的材料相同。于本专利技术的部分实施方式中，第一蚀刻阻挡层更设置于第一开口的侧壁上。于本专利技术的部分实施方式中，第一蚀刻阻挡层将第一导电柱与第一主动层隔绝开来。于本专利技术的部分实施方式中，第一蚀刻阻挡层的厚度与第二主动层的厚度大致相同。于本专利技术的部分实施方式中，图案化导电层包含至少一转线电极，第一层间介电层包含至少一第二开口，第二开口的底部连接转线电极，主动元件阵列基板更包含第二导电柱以及第二蚀刻阻挡层。第二导电柱设置于第二开口内。第二蚀刻阻挡层至少设置于第二开口的底部，其中第二蚀刻阻挡层与第二主动层一同形成。于本专利技术的部分实施方式中，第一蚀刻阻挡层与第一主动层接触。于本专利技术的部分实施方式中，主动元件阵列基板更包含第二层间介电层以及至少一导电柱。第二层间介电层设置于第一层间介电层与第二主动层之上，其中第二层间介电层包含至少一开口，第二层间介电层的开口的底部连接第二主动层。导电柱设置于第二层间介电层的开口内，其中导电柱与第一导电柱的材料相同。于本专利技术的部分实施方式中，主动元件阵列基板更包含电极层，电极层设置于第二层间介电层之上，电极层包含至少一第一源极/漏极电极以及至少一第二源极/漏极电极。第一源极/漏极电极位于非显示区且透过第一导电柱电性连接第一主动层。第二源极/漏极电极位于显示区且透过导电柱电性连接第二主动层。于本专利技术的部分实施方式中，第一蚀刻阻挡层包含上部份，上部份位于第一层间介电层与第二层间介电层之间。于本专利技术的部分实施方式中，上部份的厚度与第二主动层的厚度大致相同。于本专利技术的部分实施方式中，第一蚀刻阻挡层与第二主动层一同形成。于本专利技术的部分实施方式中，第二主动层与第一主动层的材料不同。根据本专利技术的部分实施方式，主动元件阵列基板包含基板、图案化导电层、第一层间介电层、主动层、至少一第一导电柱以及至少一蚀刻阻挡层。图案化导电层设置于该基板上且包含栅极电极以及转线电极。第一层间介电层设置于图案化导电层上，其中第一层间介电层包含至少一第一开口，第一开口的底部连接转线电极。主动层设置于第一层间介电层上且位于栅极电极的上方。第一导电柱设置于第一开口内。蚀刻阻挡层至少设置于第一开口的底部，其中蚀刻阻挡层与主动层的材料相同。于本专利技术的部分实施方式中，蚀刻阻挡层与主动层一同形成。于本专利技术的部分实施方式中，主动元件阵列基板更包含第二层间介电层以及至少一第二导电柱。第二层间介电层设置于第一层间介电层与主动层之上，其中第二层间介电层包含至少一第二开口，第二层间介电层的第二开口的底部连接主动层。第二导电柱设置于第二层间介电层的第二开口内，其中第二导电柱与第一导电柱的材料相同。于本专利技术的部分实施方式中，蚀刻阻挡层包含上部份，上部份位于第一层间介电层与第二层间介电层之间。根据本专利技术的部分实施方式，一种制造主动元件阵列基板的方法包含形成第一主动层于基板的非显示区上，基板包含显示区与设置于显示区的一侧的非显示区；形成栅极介电层于第一主动层上；形成图案化导电层至少于栅极介电层上，其中图案化导电层包含第一栅极电极以及一第二栅极电极，分别位于非显示区与显示区，其中第一栅极电极位于第一主动层之上；形成一第一层间介电层于图案化导电层上；蚀刻第一层间介电层，以形成至少一第一开口，其中第一开口露出第一主动层；形成一氧化物半导体层于第一层间介电层上，其中氧化物半导体层至少填入第一开口且至少位于第二栅极电极上；以及图案化氧化物半导体层，以形成一第二主动层以及一蚀刻阻挡层，其中第二主动层位于第二栅极电极上，蚀刻阻挡层至少位于第一开口的底部。于本专利技术的部分实施方式中，制造主动元件阵列基板的方法更包含形成第二层间介电层于第二主动层与蚀刻阻挡层上；蚀刻第二层间介电层，以露出蚀刻阻挡层，且形成至少一第二开口以露出第二主动层；以及填入导电材料于第一开口与第二开口中，以分别形成至少一第一导电柱以及至少一第二导电柱，其中第一导电柱电性连接第一主动层，第二导电柱电性连接第二主动层。于本专利技术的部分实施方式中，制造主动元件阵列基板的方法更包含设置至少一电极层于第二层间介电层之上，其中电极层包含至少一第一源极/漏极电极以及至少一第二源极/漏极电极，第一导电柱电性连接第一主动层与第一源极/漏极电极，第二导电柱电性连接第二主动层与第二源极/漏极电极。附图说明图1为根据本专利技术的一实施方式的主动元件阵列基板的上视示意图。图2A至图2H为根据本专利技术的一实施方式的主动元件阵列基板于制造过程中的剖面示意图图3为根据本专利技术的另一实施方式的主动元件阵列基板的剖面示意图。图4为本专利技术的再一实施方式的主动元件阵列基板的局部上视示意图。图5为本专利技术的又一实施方式的主动元件阵列基板的局部上视示意图。图6为本专利技术的另一实施方式的主动元件阵列基板的局部上视示意图。其中，附图标记：100：主动元件阵列基板110：基板120：第一主动层122：N型重掺杂区124：N型轻掺杂区126：P型重掺杂区130：栅极介电层140：图案化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动元件阵列基板，具有一显示区与设置于该显示区的至少一侧的一非显示区，包含：一基板；一第一主动层，设置于该基板的该非显示区；一栅极介电层，至少设置于该第一主动层上；一图案化导电层，包含一第一栅极电极以及一第二栅极电极，分别位于该非显示区与该显示区，其中该第一栅极电极设置于该第一主动层上；一第一层间介电层，覆盖该第一主动层、该栅极介电层与该图案化导电层，其中该第一层间介电层包含至少一第一开口，该第一开口的底部连接该第一主动层；一第二主动层，设置于该第一层间介电层之上且位于该第二栅极电极上方；至少一第一导电柱，设置于该第一开口内；以及至少一第一蚀刻阻挡层，至少设置于该第一开口的底部，其中该第一蚀刻阻挡层与该第二主动层的材料相同。

【技术特征摘要】
2016.05.25 TW 1051163261.一种主动元件阵列基板，具有一显示区与设置于该显示区的至少一侧的一非显示区，包含：一基板；一第一主动层，设置于该基板的该非显示区；一栅极介电层，至少设置于该第一主动层上；一图案化导电层，包含一第一栅极电极以及一第二栅极电极，分别位于该非显示区与该显示区，其中该第一栅极电极设置于该第一主动层上；一第一层间介电层，覆盖该第一主动层、该栅极介电层与该图案化导电层，其中该第一层间介电层包含至少一第一开口，该第一开口的底部连接该第一主动层；一第二主动层，设置于该第一层间介电层之上且位于该第二栅极电极上方；至少一第一导电柱，设置于该第一开口内；以及至少一第一蚀刻阻挡层，至少设置于该第一开口的底部，其中该第一蚀刻阻挡层与该第二主动层的材料相同。2.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一蚀刻阻挡层更设置于该第一开口的侧壁上。3.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一蚀刻阻挡层将该第一导电柱与该第一主动层隔绝开来。4.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一蚀刻阻挡层的厚度与该第二主动层的厚度大致相同。5.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该图案化导电层包含至少一转线电极，该第一层间介电层包含至少一第二开口，该第二开口的底部连接该转线电极，其中该主动元件阵列基板还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭耀，陈培铭，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71