存储器件及其操作方法技术

一种存储器件可以包括：单元阵列，包括多个存储单元和耦接至多个存储单元的位线；感测放大器，适用于放大第一线与第二线之间的电压差；以及分离单元，适用于将位线与第一线电耦接，以及在感测放大器的操作的初始时段期间将位线与第一线电分离。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年4月6日提交的申请号为10-2015-0048212的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种存储器件。
技术介绍
诸如DRAM的存储器件具有很多存储单元，并且随着集成度增加，存储单元的数量也增加。这种存储单元有规律地布置以形成存储单元阵列。存储器件的结构可以被分类为折叠式位线结构和开放式位线结构，且这些结构具有以下不同。位线感测放大器放大驱动位线(数据通过所述驱动位线来驱动)与参考位线(用作参考)之间的电压差。在折叠式位线结构中，驱动位线与参考位线布置在基本上同一单元阵列中。在折叠式位线结构中，由于驱动位线与参考位线布置在同一单元阵列中，因此在驱动位线和参考位线二者上反映出相同的噪音，且这些噪声彼此抵消。通过这种抵消，折叠式位线结构对噪声鲁棒。在开放式位线结构中，驱动位线和参考位线在不同的单元阵列中。因此，由于在驱动位线与参考位线中产生的噪声可能不同，因此与折叠式位线结构相比，开放式位线结构易受噪声的干扰。然而，与折叠式位线结构相比，开放式位线结构在其利用多少面积方面有优势。在折叠式位线结构中，单位存储单元的面积可以被设计为8F2，而在开放式位线结构中，单位存储单元的面积可以被设计为6F2。单位存储单元的面积是决定存储器件的大小(面积)的最重要的因素。在假设具有恒定的数据储存容量的情况下，具有开放式位线结构的存储器件可以被设计为比具有折叠式位线结构的存储器件小。由于存储器件的大小(面积)是制造成本的最大原因，因此大多数存储器件被设计为使用开放式位线结构。图1是具有开放式位线结构的传统存储器件的配置图。参照图1，存储器件包括第一单元阵列111至第三单元阵列113、第一感测放大器阵列121、第二感测放大器阵列122和字线驱动器131至136。第一单元阵列111至第三单元阵列113中的每个包括多个字线WL和多个位线BL，并且包括在字线WL与位线BL之间的交叉点处的存储单元。字线驱动器131至136驱动第一单元阵列111至第三单元阵列113的字线WL。第一感测放大器阵列121包括多个感测放大器S/A。每个感测放大器S/A放大第一单元阵列111的每个位线BL与第二单元阵列112的每个位线BL之间的电压差。当第一单元阵列111的位线BL是驱动位线时，第二单元阵列112的位线BL是参考位线。当第二单元阵列112的位线BL是驱动位线时，第一单元阵列111的位线BL是参考位线。第二感测放大器阵列122包括多个感测放大器S/A，其中，每个感测放大器S/A放大第二单元阵列112的每个位线BL与第三单元阵列113的每个位线BL之间的电压差。当第二单元阵列112的位线BL是驱动位线时，第三单元阵列113的位线BL是参考位线。当第三单元阵列113的位线BL是驱动位线时，第二单元阵列112的位线BL是参考位线。因为第一单元阵列111中的未耦接至第一感测放大器阵列121的位线BL以及第三单元阵列113中的未耦接至第二感测放大器阵列122的位线BL未被第一感测放大器阵列121和第二感测放大器阵列122的感测放大器S/A放大，所以不使用它们。即使当额外的感测放大器阵列设置在第一单元阵列111的上端以及第三单元阵列113的下端以耦接至第一单元阵列111和第三单元阵列113的未耦接位线BL时，由于不存在用于未耦接位线BL的参考位线，因此仍不可以使用这些未耦接位线。
技术实现思路
各种实施例针对一种不浪费单元阵列的开放式位线结构的存储器件及其操作方法。在一个实施例中，一种存储器件可以包括：单元阵列，包括多个存储单元和耦接至多个存储单元的位线；感测放大器，适用于放大第一线与第二线之间的电压差；以及分离单元，适用于将位线与第一线电耦接，以及在感测放大器的操作的初始时段期间将位线与第一线电分离。分离单元可以响应于分离信号的激活而将位线与第一线电分离，以及分离信号可以在从多个存储单元中选择的存储单元与位线之间的电荷共享已完成时被激活，以及可以在从感测放大器的激活时间开始经过了预定时间之后被去激活。存储器件还可以包括预充电单元，所述预充电单元适用于对第一线和第二线预充电。存储器件还可以包括数据输入/输出单元，所述数据输入/输出单元适用于控制第一线和第二线与数据总线之间的电耦接。位线可以沿第一方向形成，单元阵列可以位于感测放大器的基于第一方向的一侧处，并且在感测放大器的基于第一方向的另一侧处可以不存在单元阵列。在另一个实施例中，一种存储器件的操作方法可以包括：激活字线；执行对应于字线的存储单元与位线之间的电荷共享，且第一线电耦接至所述位线；在电荷共享之后将位线与第一线电分离；以及在电分离之后放大第一线与第二线之间的电压差。在存储器件的操作方法中，放大步骤可以包括：在预定时间之后将位线与第一线电耦接；在将位线与第一线电耦接之后去激活字线；在去激活字线之后结束放大；以及在结束放大之后对第一线和第二线预充电。在另一个示例中，一种存储器件可以包括：第一感测放大器阵列至第N感测放大器阵列(N是大于或等于3的整数)；以及第一单元阵列至第N-1单元阵列，位于第一感测放大器阵列至第N感测放大器阵列之间，其中，第K单元阵列位于第K感测放大器阵列(K是大于或等于1且小于或等于N-1的整数)的下端，其中，第N-1单元阵列包括多个存储单元和耦接至多个存储单元的第一位线，以及其中，第N感测放大器阵列包括：第一感测放大器，适用于放大第一线与第二线之间的电压差；以及第一分离单元，适用于将第一位线与第一线电耦接，以及在第一感测放大器的操作的初始时段期间将第一位线与第一线电分离。在另一个实施例中，一种存储器件可以包括：第一单元阵列，包括多个存储单元和耦接至多个存储单元的第二位线；感测放大器，适用于放大第一线与第二线之间的电压差，其中，位线和第一线耦接；以及分离单元，适用于在存储单元与位线之间的电荷共享完成时将位线与第一线电分离。分离单元可以在放大电压差之后恢复位线与第一线之间的电耦接。感测放大器可以设置在多个存储单元的最上端和最下端中的一种或更多种处。多个存储单元可以包括多个单元阵列。根据本专利技术的实施例，当使用开放式位线结构时，可以使用布置在边缘处的单元阵列的所有位线。附图说明图1是具有开放式位线结构的传统存储器件的配置图。图2是根据本专利技术的实施例的存储器件的配置图。图3是图示图2的第一感测放大器阵列中的感测放大器及与其相关的配置的实施例的示图。图4是图示图2的第三感测放大器阵列中的感测放大器及与其相关的配置的实施例的示图。图5是图示图3的第一感测放大器阵列的操作的示图。具体实施方式以下将参照附图来更详细地描述各种实施例。然而，本专利技术可以以不同的形式来实施，并且不应当被解释为局限于本文中所阐述的实施例。更确切地说，这些实施例被提供使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿本公开，相同的附图标记在贯穿本专利技术的各种附图和实施例中指代相同的部分。图2是根据本专利技术的实施例的存储器件的配置图。参照图2，存储器件可以包括第一单元阵列211、第二单元阵列212、第一感测放大器阵列221至第三感测放大器阵列223和字线驱动器231至234。第一单元阵列211可以包括多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：单元阵列，包括多个存储单元和耦接至所述多个存储单元的位线；感测放大器，适用于放大第一线与第二线之间的电压差；以及分离单元，适用于将位线与第一线电耦接，以及在感测放大器的操作的初始时段期间将位线与第一线电分离。

【技术特征摘要】
2015.04.06 KR 10-2015-00482121.一种存储器件，包括：单元阵列，包括多个存储单元和耦接至所述多个存储单元的位线；感测放大器，适用于放大第一线与第二线之间的电压差；以及分离单元，适用于将位线与第一线电耦接，以及在感测放大器的操作的初始时段期间将位线与第一线电分离。2.如权利要求1所述的存储器件，其中，分离单元响应于分离信号的激活而将位线与第一线电分离，以及其中，分离信号在存储单元与位线之间的电荷共享已完成时被激活，以及在从感测放大器的激活开始经过了预定时间之后被去激活。3.如权利要求1所述的存储器件，还包括预充电单元，所述预充电单元适用于对第一线和第二线预充电。4.如权利要求3所述的存储器件，还包括数据输入/输出单元，所述数据输入/输出单元适用于控制第一线和第二线与数据总线之间的电耦接。5.如权利要求1所述的存储器件，其中，位线沿第一方向形成，单元阵列位于感测放大器的基于第一方向的一侧处，而在感测放大器的基于第一方向的另一侧处不存在单元阵列。6.一种存储器件的操作方法，包括：激活字线；执行对应于所述字线的存储单元与位线之间的电荷共享，且第一线电耦接至所述位线；在电荷共享之后将所述位线与第一线电分离；以及在电分离之后放大第一线与第二线之间的电压差。7.如权利要求6所述的存储器件的操作方法，其中，放大的步骤包括：在预定时间之后再次将所述位线与第一线电耦接；在将所述位线与第一线再次电耦接之后去激活所述字线；在去激活所述字线之后结束放大；以及在结束放大之后对第一线和第二线预充电。8.一种存储器件，包括：第一感测放大器阵列至第N感测放大器阵列，N是大于或等于3的整数；以及第一单元阵列至第N-1单元阵列，位于第一感测放大器阵列至第N感测放大器阵列之间，其中，第K单元阵列位于第K感测放大器阵列的下端，K是大于或等于1且小于或等于N-1的整数，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：元炯植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR