半导体存储器件及其操作方法技术

根据本发明专利技术的一实施例的半导体存储器件包括分别耦接至第一字线群组和第二字线群组的第一单元串和第二单元串。一种操作所述半导体存储器件的方法可以包括通过施加通过电压至所述第二字线群组以在所述第二单元串中形成通道；通过所述位线以将在所述第一单元串的存储单元中耦接至所述第一字线群组的选中的字线的选中的存储单元的数据反映在所述第二单元串的通道上；以及通过经由所述位线以感测所述第二单元串的电荷量，来确定选中的存储单元的数据。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请主张2014年7月15日申请的韩国专利申请号10-2014-0089235的优先权，其内容通过引用合并于此。
本专利技术的各种范例的实施例是总体而言涉及一种电子器件，并且更具体而言是涉及一种。
技术介绍
半导体存储器件是利用例如是硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或是磷化铟(InP)的半导体来体现。半导体存储器件被分类成为易失性(volatile)存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在电源切断时可能会失去所储存的数据。易失性存储器件的例子包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器件可以保存所储存的数据，而不论电源的通/断状况为何。非易失性存储器的例子包括只读存储器(R0M)、掩蔽型只读存储器(MR0M)、可编程只读存储器(PR0M)、可擦除可编程只读存储器(EPR0M)、电性可擦除的可编程只读存储器(EEPR0M)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和铁电随机存取存储器(FRAM)。闪本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件的操作方法，所述半导体存储器件包括第一单元串和第二单元串，所述第一单元串和第二单元串共享位线并且分别耦接至第一字线群组和第二字线群组，所述操作方法包括：通过施加第一通过电压至所述第二字线群组，以在所述第二单元串中形成通道；通过所述位线以将所述第一单元串的存储单元之中的耦接至所述第一字线群组的选中的字线的选中的存储单元的数据反映在所述第二单元串的通道上；以及通过经由所述位线感测所述第二单元串的电荷量，来确定选中的存储单元的数据。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林仁根，李珉圭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR