半导体装置的制造方法及积层体制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供能够确保生产性且以低成本进行半导体基板的薄化的半导体装置的制造方法及积层体。本实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体基板中的与应研削的第1面为相反侧的第2面形成含有树脂的支撑体，在所述支撑体上形成导电膜，通过对第1面进行研削而使半导体基板的厚度变薄，去除支撑体及导电膜。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2015-53890号(申请日：2015年3月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法及积层体。
技术介绍
以前，在半导体装置的制造工艺中，在前步骤(晶片工艺)中对晶片进行处理后，在后步骤中，为了收容到封装体而使晶片的厚度变薄(以下也称作薄化)。薄化是在利用粘合剂将晶片临时粘合于支撑基板上的状态下进行。而且，薄化后，将支撑基板从晶片剥离，然后从晶片的表面去除粘合剂。而且，以前，作为支撑基板，使用玻璃制或硅制的支撑基板。玻璃制及硅制的支撑基板因成本较高，所以在用于一块晶片的薄化后，会在新的晶片的薄化中再利用。然而，以前，因需要构筑用以再利用支撑基板的环境及工艺，所以即便再利用支撑基板也无法充分抑制成本。而且，以前，由剥落剥离或利用溶剂的清洗从晶片去除粘合剂。然而，剥落剥离中，因产生剥离后的粘合剂残余，所以存在成品率变差的问题。而且，在利用溶剂的清洗中，因溶剂的使用量多，所以存在成本高的问题或清洗时间长的问题因此，寻求确保生产性且以低成本进行半导体基板的薄化。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够确保生产性且以低成本进行半导体基板的薄化的半导体装置的制造方法及积层体。本实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体基板中的与应研削的第1面为相反侧的第2面形成含有树脂的支撑体，在该支撑体上形成导电膜，通过对第1面进行研削
而使半导体基板的厚度变薄，并去除支撑体及导电膜。附图说明图1是表示本实施方式的积层体1的概略剖面图。图2A～C是表示本实施方式的半导体制造法的概略剖面图。图3A～D是继图2后的半导体装置的制造方法的概略剖面图。图4A及B是继图3后的半导体装置的制造方法的概略剖面图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本专利技术。图1是表示本实施方式的积层体1的概略剖面图。如图1所示，积层体1依次具备半导体基板11、平头电极12(第2电极)及钝化膜13、支撑体14、导电膜15、及保护膜16。半导体基板11例如为硅基板。半导体基板11的表面11a(图1中的上表面)为形成着半导体元件等未图示的器件的器件面(第2面)。另一方面，半导体基板11的背面11b(图1中的下表面)为半导体基板11的薄化中应被研削的被研削面(第1面)。平头电极12与半导体基板11的表面11a相接。具体来说，平头电极12电连接于形成在半导体基板11的表面11a的器件。而且，平头电极12为了在将半导体基板11单片化后进行三维安装，而电连接于后述的硅通孔。平头电极12例如也可为Cu电极。钝化膜13在平头电极12间与半导体基板11的表面11a相接。钝化膜13将平头电极12彼此绝缘。钝化膜13例如为SiN膜。钝化膜13还可包含SiO2或聚酰亚胺树脂。支撑体14在平头电极12及钝化膜13的上层，整个面地覆盖半导体基板11的表面11a。支撑体14在半导体基板11的加工(例如薄化、硅通孔的形成、切割等)时，对半导体基板11进行支撑。即，支撑体14对半导体基板11进行增强，使得在半导体基板11的加工时半导体基板11不会产生裂纹等破损。支撑体14为使硬化性树脂硬化的树脂层。硬化性树脂可为热硬化性树脂及紫外线硬化性树脂中的任一个。因支撑体14为树脂层，而能够以低成本制造支撑体14。而且，在半导体基板11的加工后，能够不使成品率劣化地以低成本去除支撑体14。而且，能够简化半导体基板11的切割。另外，如图1所示，半导体基板11的端部的表面11a也可利用阶差而凹陷。而且，如图1所示，支撑体14的端部141也可与凹陷的表面11a接触。即，支撑体14的端部
141也可以覆盖半导体基板11的侧面11c及表面11a的方式向半导体基板11侧突出。通过支撑体14的端部141覆盖半导体基板11的侧面11c，而能够在半导体基板11的薄化时抑制在半导体基板11的端部产生毛边。导电膜15整个面地覆盖支撑体14的表面。导电膜15能够在对半导体基板11进行加工时，用于对半导体基板11进行静电夹持。导电膜15也可为金属薄膜。保护膜16整个面地覆盖导电膜15的表面。保护层16对支撑体14的表面进行保护。保护膜16例如也可为树脂膜。根据本实施方式的积层体1，因支撑体14含有树脂，而能够以比玻璃制或硅制的支撑基板低的成本支撑半导体基板11。而且，因能够将支撑体14直接设置在半导体基板11上，所以不会产生在利用粘合剂将半导体基板粘合于支撑基板时所产生的粘合残余。而且，能够省略利用粘合剂将半导体基板粘合于支撑基板时所需的粘合剂的剥离步骤。因此，根据本实施方式的积层体1，能够确保生产性(成品率、制造效率)且以低成本进行半导体基板11的薄化。接下来，对具备图1的积层体1的制造步骤的本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。图2A～图2C是表示本实施方式的半导体制造法的概略剖面图。具体来说，图2A是表示支撑体14的形成步骤的图。图2B是表示导电膜15及保护膜16的形成步骤的图。图2C是表示半导体基板11的薄化步骤的图。另外，初始状态下，在半导体基板11的表面11a形成着平头电极12及钝化膜13。而且，首先，如图2A所示，在半导体基板11的表面11a上涂布硬化性树脂140。硬化性树脂140也能够称作粘合剂。硬化性树脂140例如为热硬化性树脂或紫外线硬化性树脂。硬化性树脂140也可利用旋转涂布、螺旋式涂布或印刷等来涂布。从增强半导体基板11以使其能够经受得住加工或搬送的观点来说，硬化性树脂140的厚度也可为50μm以上。而且，在涂布硬化性树脂140后，通过使硬化性树脂140硬化而获得支撑体14。在硬化性树脂140为热硬化性树脂的情况下，利用加热使硬化性树脂140硬化即可。在硬化性树脂140为紫外线硬化性树脂的情况下，利用紫外线的照射使硬化性树脂140硬化即可。接下来，如图2B所示，在支撑体14的表面形成导电膜15，然后，在导电膜15的表面形成保护膜16。由此，获得图1的积层体1。接下来，如图2C所示，将半导体基板11薄化。在薄化时，经由导电膜15将积层
体1静电夹持于未图示的研磨装置。然后，利用研磨装置的研磨部(研磨石)对半导体基板11的背面11b进行研削。另外，如图2C所示，半导体基板11的背面11b也可研磨到与支撑体14的端部141的表面141a相同高度的位置。在薄化时，朝向厚度方向D1的研磨压力对半导体基板11发挥作用。本实施方式中，半导体基板11由支撑体14加强，因而能够抑制研磨压力所引起的半导体基板11的破损。而且，通过支撑体14的端部141覆盖半导体基板11的侧面11c，而能够抑制在半导体基板11的端部产生毛边。图3A～图3D是继图2后的半导体装置的制造方法的概略剖面图。具体来说，图3A是表示硅通孔(TSV)17等的形成步骤的图。图3B是表示切割步骤的图。图3C是表示支撑带的贴附步骤的图。图3D是表示支撑体14的去除步骤的图。薄化步骤(图2C)后，如图3A所示，形成在厚度方向D1上贯通半导体基板11的硅通孔17。在硅通孔17的形成中，首先，形成在厚度方向D1上贯通半导体基板11的通孔111(贯通孔)。通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在半导体基板中的与应研削的第1面为相反侧的第2面形成支撑体；在所述支撑体上形成导电膜；通过对所述第1面进行研削而使所述半导体基板的厚度变薄；及去除所述支撑体及所述导电膜，所述支撑体含有树脂。

【技术特征摘要】
2015.03.17 JP 2015-0538901.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在半导体基板中的与应研削的第1面为相反侧的第2面形成支撑体；在所述支撑体上形成导电膜；通过对所述第1面进行研削而使所述半导体基板的厚度变薄；及去除所述支撑体及所述导电膜，所述支撑体含有树脂。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述支撑体的形成包括：在所述第2面涂布硬化性树脂；及使所述硬化性树脂硬化。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述支撑体的形成包括：在使所述硬化性树脂硬化后，使所述硬化性树脂的表面平坦化。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在使所述半导体基板的厚度变薄后，将所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野英治，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP