半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能够抑制半导体芯片的位置偏移的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1区域与第2区域，且在第2区域具备：安装构件，具有沿第1区域的外周的至少一部分而设置的多个第1周边部、及设置在多个第1周边部的至少一者与多个第1周边部的其他至少一者之间的多个第2周边部；隔壁层，至少设置在第1周边部上；及半导体芯片，隔着焊料材而搭载在第1区域上；且多个第2周边部位于相对于半导体芯片而对称的位置。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2015-52733号(申请日：2015年3月16日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
作为将半导体芯片安装在引线架等安装构件上的芯片接合技术之一，众所周知的是使用焊料膏来将半导体芯片与引线架接合的方法。在使用焊料膏来将半导体芯片与引线架接合的情况下，相对于与半导体芯片的接合面垂直的轴而易于产生旋转方向的半导体芯片的位置偏移(在将半导体芯片的接合面的一方向设为X方向，将半导体芯片的接合面内的与X方向正交的方向设为Y方向，且将与XY方向正交的方向设为Z方向的情况下的以Z方向为轴的旋转方向的位置偏移)，从而难以提高半导体芯片的位置精度。作为抑制半导体芯片的位置偏移的方法，例如众所周知的是减少焊料膏的量、或在引线架的安装面上设置沟槽而使多余的焊料流入至沟槽中的方法。然而，在所述方法中，存在将引线架与半导体芯片接合的焊料材变薄的情况。此外，作为抑制半导体芯片的位置偏移的方法，众所周知的是通过激光形成对引线架的润湿性较安装区域更低的区域来抑制焊料不必要的扩散的方法。然而，用于引线架的铜等材料对YAG(Yttrium Aluminum Garnet，钇铝石榴石)激光等高频激光的吸收率较低，此外，存在通过焊料膏中所包含的助焊剂而还原的情况。由此，在所述方法中，存在无法充分抑制焊料不必要的扩散的情况。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够抑制半导体芯片的位置偏移的半导体装置。实施方式的半导体装置包括第1区域与第2区域，在第2区域具备：安装构件，具有沿第1区域的外周的至少一部分而设置的多个第1周边部、及设置在多个第1周边部的至少一者与多个第1周边部的其他至少一者之间的多个第2周边部；隔壁层，至少设置在第1周边部上；及半导体芯片，隔着焊料材而搭载在第1区域上；且多个第2周边部位于相对于半导体芯片而对称的位置。附图说明图1是表示半导体装置的构造例的俯视示意图。图2是表示半导体装置的构造例的剖视示意图。图3是表示半导体装置的其他构造例的俯视示意图。图4是表示半导体装置的其他构造例的俯视示意图。图5是表示半导体装置的其他构造例的俯视示意图。图6是表示半导体装置的其他构造例的俯视示意图。图7是表示半导体装置的其他构造例的俯视示意图。图8是表示半导体装置的其他构造例的俯视示意图。图9是表示半导体装置的其他构造例的俯视示意图。具体实施方式以下，参照图式对实施方式进行说明。另外，图式为示意性的图，例如厚度与俯视尺寸的关系、各层的厚度的比率等存在与现实情况不同的情况。此外，在各实施方式中，对实质上相同的构成要素附上相同符号并省略说明。图1及图2是表示半导体装置的构造例的图，图1为俯视示意图，图2为剖视示意图。图1及图2所示的半导体装置10具备安装构件1、半导体芯片2、隔壁层3、焊料材4、接合线5及树脂层6。另外，图1中为方便起见而省略树脂层6。安装构件1具有第1面(安装构件1的上表面)、及相对于第1面为相反侧的第2面(安装构件1的下表面)。作为安装构件1，例如能够使用包含铜、铜合金、或42合金等铁及镍的合金等的引线架等金属板。例如，通过采用具有使用铜的第1面的引线架，能够提高半导体装置的散热性。图1中，第1面及第2面分别划分成芯片搭载部1a、引线部1b、及悬引脚部1c的至少3个区域。芯片搭载部1a为搭载半导体芯片2的区域。芯片搭载部1a的平面具有四边形状，但并不限定于此。芯片搭载部1a具有区域11、及包围区域11的区域12。区域11为芯片搭载区域(第1区域)，区域12为芯片搭载区域的周边区域(第2区域)。区域12具有沿区域11的外周的至少一部分而设置的多个周边部(第1周边部)12a、及设置在周边部12a的至少一者与周边部12a的其他至少一者之间的多个周边部(第2周边部)12b。周边部12a为能够围堵焊料材4的区域。周边部12b为能够使焊料材逃散的区域。多个周边部12b较理想的是位于相对于半导体芯片2而对称的位置。但是，不必处于完全点对称、线对称的关系，只要处于实质上对称的位置即可。多个周边部12a具有沿区域11的外周以相互分离的方式设置的多个第1单位区域121。图1所示的多个周边部12a包含相对于半导体芯片2的一边而分别设置1个的4个第1单位区域121。此时，也可将1个第1单位区域121视为1个周边部12a。此外，周边部12b包含设置在多个第1单位区域121之间的多个第2单位区域122。图1所示的周边部12b包含相对于半导体芯片2的角部而分别设置1个的4个第2单位区域122。周边部12b接触于树脂层6，或接触于焊料材4。引线部1b是成为半导体装置的引线的区域。引线部1b设置在芯片搭载部1a的周边部。引线部1b与芯片搭载部1a分离。图1中，引线部1b在芯片搭载部1a的上下左右设置有多个，但并不限定于此。悬引脚部1c具有在制造时支撑芯片搭载部1a的功能。图1中，悬引脚部1c从芯片搭载部1a的角部向外侧延伸，但并不限定于此。例如，也能以从芯片搭载部1a的周缘的一边向外侧延伸的方式设置悬引脚部1c。另外，也可在制造时去除悬引脚部1c的一部分。半导体芯片2搭载在第1面上。图1中，半导体芯片2搭载在区域11上。图1中，半导体芯片2的平面具有四边形状，但并不限定于此。隔壁层3设置在第1面上。图1中，隔壁层3至少接触于周边部12a而设置。隔壁层3具有设置在多个第1单位区域121上的多个单位层30。半导体芯片2与隔壁层3的间隔例如能够设为0.05mm以上且0.4mm以下。隔壁层3的厚度优选厚于焊料材4的厚度。由此，能够抑制焊料材4超过隔壁层3而流出。作为隔壁层3，能够使用例如油墨或阻焊剂等热固化树脂、或紫外线固化树脂等。例如，作为隔壁层3，能够使用聚酰亚胺树脂或环氧树脂等。此外，隔壁层3也可具有排斥焊料的功能。例如，能够通过进行隔壁层3的表面加工而对隔壁层3赋予排斥焊料的功能。隔壁层3是在通过焊料材4将安装构件1与半导体芯片2接合之前形成。例如，也 可通过使用印写、压印、或喷墨等方法形成涂布层，并利用热或紫外线使涂布层固化而形成隔壁层3。焊料材4将安装构件1与半导体芯片2接合。图1中，焊料材4设置在区域11与半导体芯片2之间，并固定在区域11及半导体芯片2。即，半导体芯片2隔着焊料材4而搭载在区域11上。作为焊料材4，例如能够使用锡-银系、锡-银-铜系的无铅焊料等。焊料材4也可在半导体芯片2的周围扩散。图1中，焊料材4接触于隔壁层3，但未必限定于此。此外，焊料材4也可接触于周边部12b。焊料材4是通过例如在隔壁层3的形成步骤之后，利用分配器等涂布焊料膏，并在载置半导体芯片2之后使焊料膏熔融而形成。接合线5将安装构件1与半导体芯片2电性连接。在图1及图2中，接合线5的一端接合于引线部1b，且另一端接合于半导体芯片2的连接垫。接合线5是例如在利用焊料材4将安装构件1与半导体芯片2接合之后形成。树脂层6以密封半导体芯片2的方式设置在第1面及第2面。图1中，树脂层6以覆盖半导体芯片2、隔壁层3、焊料材4及接合线5的方式设置在安装构件1的第1面及第2面。此时，引线部1b的一部分从树脂层6露出。树脂层6是在接合线5的形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于具备第1区域与第2区域，且在所述第2区域具备：安装构件，具有沿所述第1区域的外周的至少一部分而设置的多个第1周边部、及设置在所述多个第1周边部的至少一者与所述多个第1周边部的其他至少一者之间的多个第2周边部；隔壁层，至少设置在所述第1周边部上；及半导体芯片，隔着焊料材而搭载在所述第1区域上；且所述多个第2周边部位于相对于所述半导体芯片而对称的位置。

【技术特征摘要】
2015.03.16 JP 2015-0527331.一种半导体装置，其特征在于具备第1区域与第2区域，且在所述第2区域具备：安装构件，具有沿所述第1区域的外周的至少一部分而设置的多个第1周边部、及设置在所述多个第1周边部的至少一者与所述多个第1周边部的其他至少一者之间的多个第2周边部；隔壁层，至少设置在所述第1周边部上；及半导体芯片，隔着焊料材而搭载在所述第1区域上；且所述多个第2周边部位于相对于所述半导体芯片而对称的位置。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田史朗，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP