一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法，封装件包括芯片、打线区域和芯片感应区，芯片整体呈长方体结构，一面的四个角均为倒梯形空间的打线区域，剩余部分构成十字结构，在十字结构中部为一个长方形的芯片感应区，在由内向外靠近芯片感应区的边缘部分，有一圈围坝，围坝拐弯处为圆弧过渡。所述围坝通过晶圆光刻方式实现。该结构具有防止表面溢塑封料的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，具体是一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法。
技术介绍
现有技术中，芯片整体呈长方体结构，一面的四个角均为倒梯型空间的打线区域，剩余部分构成十字结构，且拐角为直角；在十字结构中部为一个小长方形的芯片感应区。在制造过程中，胶膜与芯片表面很难做到紧密贴合，十字结构的八个方向均有可能存在缝隙而导致溢塑封料。如图1所示，芯片1、DAF粘胶2、基板3、焊线4等构成基本芯片结构；如图2、图3、图4所示，上模具8和下模具9为基础的塑封，图3中的胶膜6与芯片上表面有缝隙7。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术公开了一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法，通过围坝的建造，可有效防止表面溢塑封料的问题。一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构，封装件包括芯片、打线区域和芯片感应区，芯片整体呈长方体结构，一面的四个角均为倒梯型空间的打线区域，剩余部分构成十字结构，在十字结构中部为一个小长方形的芯片感应区，在由内向外靠近芯片感应区的边缘部分，有一圈围坝，围坝拐弯处为圆弧过渡。所述围坝为PA胶。所述围坝整体为长方形、圆形、椭圆形或者不规则形。一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构的制造方法，所述围坝通过晶圆光刻方式实现。附图说明图1、图2、图3、图4为现有技术图；图5为本专利技术主视图；图6为本专利技术左视图；图7为本专利技术俯视图。图中，1为芯片、2为DAF粘胶、3为基板、4为焊线、5为塑封料、6为胶膜、7为缝隙、8为上模具、9为下模具、10为打线区域、11为芯片感应区、12为围坝、13为围坝拐弯处。具体实施方式一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构，封装件包括芯片1、打线区域10和芯片感应区11，芯片1整体呈长方体结构，一面的四个角均为倒梯型空间的打线区域10，剩余部分构成十字结构，在十字结构中部为一个小长方形的芯片感应区11，在由内向外靠近芯片感应区11的边缘部分，有一圈围坝12，围坝拐弯处13为圆弧过渡。所述围坝12为PA胶。所述围坝12整体为长方形、圆形、椭圆形或者不规则形。一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构的制造方法，所述围坝12通过晶圆光刻方式实现。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法，封装件包括芯片(1)、打线区域(10)和芯片感应区(11)，芯片(1)整体呈长方体结构，一面的四个角均为倒梯型空间的打线区域(10)，剩余部分构成十字结构，在十字结构中部为一个小长方形的芯片感应区(11)，其特征在于，在由内向外靠近芯片感应区(11)的边缘部分，有一圈围坝(12)，围坝拐弯处(13)为圆弧过渡。

【技术特征摘要】
1.一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法，封装件包括芯片(1)、打线区域(10)和芯片感应区(11)，芯片(1)整体呈长方体结构，一面的四个角均为倒梯型空间的打线区域(10)，剩余部分构成十字结构，在十字结构中部为一个小长方形的芯片感应区(11)，其特征在于，在由内向外靠近芯片感应区(11)的边缘部分，有一圈围坝(12)，围坝拐弯处(...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢建友，陈文钊，詹亮，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61