一种非易失性存储器的擦除方法及非易失性存储器技术

本发明专利技术公开了一种非易失性存储器的擦除方法及非易失性存储器，其中，该擦除方法包括：控制单元接收由温度监测器传输的当前温度信息；控制单元基于所述当前温度信息确定所述待擦除块的当前擦除电压；控制单元基于所述当前擦除电压对所述待擦除块进行擦除操作。利用该擦除方法，能够基于外界温度信息实时调节待擦除块的擦除电压，在保证擦除操作正确性的同时，缩短擦除时间，降低无效擦除损耗，进而达到提高非易失性存储器擦除效率，以及提高非易失性存储器的稳定性和可靠性保持的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储设备硬件
，尤其涉及一种非易失性存储器的擦除方法及非易失性存储器。
技术介绍
非易失性存储器(Non-volatile Memory)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。广泛应用于嵌入式产品中，如数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。图1是现有非易失性存储器的一个简易结构图，由图1可知，该非易失性存储器由存储单元阵列11、字线选择单元12、位线选择单元13、电压泵14、以及控制单元15组成，其中，存储单元阵列11由多个存储单元块组成，每个存储单元块由多个存储单元页组成，每个存储单元页又基于每个存储单元字线和位线连接形成；控制单元15为整个非易失性存储器的控制核心，分别与字线选择单元12、位线选择单元13以及电压泵14连接，可控制字线选择单元12和位线选择单元13实现对存储单元阵列11的存储地址选取，还可控制电压泵14对存储单元阵列11施加电压，并控制所施加的电压大小。在非易失性存储器中，一个存储单元可看作为一个金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-E本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器，包括存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元以及控制单元，其特征在于，还包括：温度监测器，所述温度监测器，与所述控制单元相连，用于监测非易失性存储器所处环境的温度，并向所述控制单元传输所处环境的温度信息。

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器，包括存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元以及控制单元，其特征在于，还包括：温度监测器，所述温度监测器，与所述控制单元相连，用于监测非易失性存储器所处环境的温度，并向所述控制单元传输所处环境的温度信息。2.根据权利要求1所述非易失性存储器，其特征在于，所述温度监测器通过排线与所述控制单元上的排线接口相连。3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述温度监测器为温度传感器。4.一种非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，包括：控制单元接收由温度监测器传输的当前温度信息；控制单元基于所述当前温度信息确定所述待擦除块的当前擦除电压；控制单元基于所述当前擦除电压对所述待擦除块进行擦除操作。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在控制单元接收由温度监测器传输的温度信息之前，还包括：基于所述温度监测器监测外界环境的当前温度值，并将所述当前温度值转换为二进制编码形式的当前温度信息。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在控制单元基于所述当前温度信息确定所述待擦除块的...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛子恒，潘荣华，刘奎伟，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11