成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜技术

本发明专利技术提供成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。成膜掩膜的制造方法制造将设有预先决定的规定形状的开口图案(4)的树脂制的薄膜层(1)和设有能够包含上述开口图案(4)的大小的缝隙(7)的磁性金属材料层(2)相层叠的构造的成膜掩膜，上述开口图案(4)通过向薄膜层(1)的与上述缝隙(7)对应的部分从两面侧照射激光使上述薄膜层(2)贯通而形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将形成开口图案的树脂制的薄膜层和磁性金属材料层相层叠的构造的成膜掩膜的制造方法，特别是涉及在通过激光加工形成开口图案时，能够抑制在开口图案的缘部产生毛刺的成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。
技术介绍
以往的这种掩膜的制造方法使用被图案化的掩膜，向树脂制薄膜照射例如KrF准分子激光的约248nm的短波长光的光束，而磨蚀上述树脂制薄膜，以便形成开口图案(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特表2005-517810号公报但是，在这样的以往的掩膜(mask)的制造方法中，通常向树脂制薄膜的一面侧照射激光来形成开口图案，因此存在在开口图案的与激光的照射侧相反一侧的开口缘部产生切割残余(以下称为“毛刺”)的问题。这样的毛刺可能会成为以下问题的产生原因：产生形成成膜的阴影而被成膜的薄膜图案的缘部的形状杂乱、在成膜掩膜和被成膜基板之间产生缝隙而使成膜材料容易向掩膜的下侧卷入致使薄膜图案的缘部模糊。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于应对这样的问题点，提供一种在通过激光加工形成开口图案时，能够抑制在开口图案的缘部产生毛刺的成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。为了实现上述目的，本专利技术的成膜掩膜的制造方法是一种将树脂制的薄膜层和磁性金属材料层相层叠的构造的成膜掩膜的制造方法，上述
薄膜层设有预先决定的规定形状的开口图案，上述磁性金属材料层设有能够包含上述开口图案的大小的缝隙，其特征在于，上述开口图案通过向与薄膜层的上述缝隙对应的部分从两面侧照射激光使上述薄膜层贯通而形成。另外，本专利技术的成膜掩膜是一种将树脂制的薄膜层和磁性金属材料层相层叠的构造的成膜掩膜，上述薄膜层设有预先决定的规定形状的开口图案，上述磁性金属材料层设有能够包含上述开口图案的大小的缝隙，其特征在于，上述开口图案通过向薄膜层的与上述缝隙对应的部分从两面侧照射激光使上述薄膜层贯通而形成。根据本专利技术，由于从薄膜层的两面侧照射激光来形成开口图案，因此能够抑制在薄膜层的与磁性金属材料层相反的一侧(与被成膜基板紧贴的面侧)的开口图案的缘部产生毛刺。因此，能够防止开口图案的上述毛刺成为成膜的阴影，并能够防止因毛刺的存在而在薄膜层和被成膜基板之间产生缝隙。由此，能够提高包括形状和位置精度在内的薄膜图案的形成精度。附图说明图1是示出本专利技术的成膜掩膜的一实施方式的图，(a)是俯视图，(b)是(a)的O-O线剖面向视图，(c)是(a)的P-P线剖面向视图，(d)是(c)的局部放大剖视图。图2是示出本专利技术的成膜掩膜的磁性金属材料层的变形例的俯视图。图3是说明本专利技术的成膜掩膜的制造方法中的开口图案的形成例的图，且是示出第一凹部的形成工序的剖视图，(a)示出激光加工开始，(b)示出激光加工结束，(c)是第一凹部的放大剖视图。图4是说明本专利技术的成膜掩膜的制造方法中的开口图案的形成例的图，且是示出第二凹部的形成工序的剖视图，(a)示出激光加工开始，(b)示出激光加工结束，(c)是第二凹部的放大剖视图。图5是说明本专利技术的成膜掩膜的制造方法中的开口图案的形成的变
形例的图，且是示出贯通孔的形成工序的剖视图，(a)示出激光加工开始，(b)示出激光加工结束，(c)是贯通孔的放大剖视图。图6是说明本专利技术的成膜掩膜的制造方法中的开口图案的形成的变形例的图，且是示出凹部的形成工序的剖视图，(a)示出激光加工开始，(b)示出激光加工结束，(c)是凹部的放大剖视图。具体实施方式下面根据附图详细说明本专利技术的实施方式。图1是示出本专利技术的成膜掩膜的一实施方式的图，(a)是俯视图，(b)是(a)的O-O线剖面向视图，(c)是(a)的P-P线剖面向视图，(d)是(c)的局部放大剖视图。该成膜掩膜用于在被成膜基板上形成多个预先决定的形状的薄膜图案，构成为具备薄膜层1、磁性金属材料层2以及框架3。上述薄膜层1为用于在被成膜基板上形成薄膜图案的主掩膜，例如在厚度为5μm～30μm左右的例如聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等供可见光透过的树脂制的薄膜如图1(a)所示具备预先决定的形状的开口图案4。优选线膨胀系数近似于作为被成膜基板(以下简称为“基板”)的玻璃的线膨胀系数的3×10-6～5×10-6/℃左右的聚酰亚胺。具体而言，上述开口图案4如图1(a)所示具有与上述薄膜图案相同的形状，与薄膜图案相对应地配置为纵横矩阵状，如同一图(d)所示，由形成于薄膜层1的一面1a的例如深度为4μm～5μm左右的第一凹部5、和以到达第一凹部5的深度形成于薄膜层1的另一面1b的第二凹部6构成。在该情况下，优选第二凹部6的开口面积大于第一凹部5的开口面积。此外，第一凹部5如后所述，也可以是贯通薄膜层1的贯通孔13(参照图5)。在上述薄膜层1的另一面1b侧层叠地设置有磁性金属材料层2。该磁性金属材料层2由设有能够包含开口图案4的大小的缝隙7的、例如厚度为10μm～50μm左右的、例如镍、镍合金、因瓦或者因瓦合金等磁性金属材料构成，用于在成膜时被配设于基板背面的磁铁吸引而发挥使上述薄膜层1紧贴于基板的成膜面的功能。在该情况下，上述缝隙7如图1(a)～(c)所示，是贯通磁性金属
材料层2而设置的狭缝。或者，也可以如图2所示，是构成磁性金属材料层2的一部分的细长状的多个岛图案8中的相邻接的上述岛图案8之间的部分。在磁性金属材料层2构成为包含图2所示的岛图案8的情况下，因磁性金属材料层2和薄膜层1之间的线膨胀系数的差异而产生于薄膜层1的内部应力变小，从而能够抑制在层叠后进行激光加工而形成的开口图案4的位置偏移。因此，具有磁性金属材料的选择范围变宽的效果。此外，上述岛图案8还可以被分割为多个长度在其长度方向较短的单位岛图案。由此，能够更加缩小产生于薄膜层1的内部应力。在图2中，附图标记9是具有内包上述多个岛图案8的大小的开口，且层叠于薄膜层1的周边部的、构成磁性金属材料层2的一部分的框状图案。在上述磁性金属材料层2的与上述薄膜层1相反一侧的面2a设置有框架3。该框架3固定并支承上述磁性金属材料层2的周缘部，例如由磁性金属材料形成，该磁性金属材料由因瓦或者铁镍合金等构成，形成具有内包上述磁性金属材料层2的多个缝隙7的大小的开口10的框状。此外，框架3不限定于由磁性金属材料构成，还可以由非磁性金属材料或者硬质树脂构成。在本实施方式中，框架3由磁性金属材料形成。接下来，对这样构成的成膜掩膜的制造方法进行说明。首先，以与作为成膜对象的基板的表面积对应的方式切出例如由镍、镍合金、因瓦或者因瓦合金等构成的厚度为10μm～50μm左右的磁性金属材料的金属片，在该金属片的一面例如涂覆聚酰亚胺的树脂液，使其在200℃～300℃左右的温度下干燥，而形成厚度为5μm～30μm左右的供可见光透过的薄膜层1。继而，在对金属片的另一面例如喷涂抗蚀剂(resist)后，使其干燥，而形成抗蚀剂薄膜，接下来，使用光掩膜对抗蚀剂薄膜进行曝光后，进行显影，而形成与多列狭缝的形成位置相对应地具有多个细长状的开口的抗蚀剂掩膜。接着，使用上述抗蚀剂掩膜，对金属片进行湿式蚀刻，在除去与抗蚀剂掩膜的开口相对应的部分的金属片，设置贯通金属片的狭缝而形成磁性金属材料层2后，使抗蚀剂掩膜例如溶解于有机溶剂而将其除去。由此，形成将薄膜层1和磁性金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜掩膜的制造方法，其制造将树脂制的薄膜层和磁性金属材料层相层叠的构造的成膜掩膜，所述薄膜层设有预先决定的规定形状的开口图案，所述磁性金属材料层设有能够包含所述开口图案的大小的缝隙，该成膜掩膜的制造方法的特征在于，所述开口图案通过向薄膜层的与所述缝隙对应的部分从两面侧照射激光使所述薄膜层贯通而形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.03 JP 2014-0186511.一种成膜掩膜的制造方法，其制造将树脂制的薄膜层和磁性金属材料层相层叠的构造的成膜掩膜，所述薄膜层设有预先决定的规定形状的开口图案，所述磁性金属材料层设有能够包含所述开口图案的大小的缝隙，该成膜掩膜的制造方法的特征在于，所述开口图案通过向薄膜层的与所述缝隙对应的部分从两面侧照射激光使所述薄膜层贯通而形成。2.根据权利要求1所述的成膜掩膜的制造方法，其特征在于，对于所述开口图案而言，所述磁性金属材料层侧的开口面积大于与该磁性金属材料层相反的一侧的开口面积。3.根据权利要求1或2所述的成膜掩膜的制造方法，其特征在于，向所述薄膜层的与所述磁性金属材料层相反的一侧的面照射激光而设置一定深度的第一凹部后，向所述薄膜层的所述磁性金属材料层侧的面照射激光而设置到达所述第一凹部的深度的第二凹部，来形成所述开口图案。4.根据权利要求1或2所述的成膜掩膜的制造方法，其特征在于，向所述薄膜层的与所述磁性金属材料层相反的一侧的面照射激光而设置贯通所述薄膜层的贯通孔后，向所述薄膜层的所述磁性金属材料层侧的面照射激光而设置一定深度的凹部，来形成所述开口图案。5.根据权利要求1或2所述的成膜掩膜的制造方法，其特征在于，所述缝隙是贯通所述磁性金属材料层而设置的狭缝。6.根据权利要求3所述的成膜掩膜的制造方法，其特征在于，所述缝隙是贯通所述磁性金属材料层而设置的狭缝。7.根据权利要求4所述的成膜掩膜的制造方法，其特征在于，所述缝隙是贯通所述磁性金属材料层而设置的狭缝。8.根据权利要求1或2所述的成膜掩膜的制造方法，其特征在于，所述缝隙是构成所述磁性金属材料层的一部分的细长状的多个岛图案中的相邻接的所述岛图案之间的部分。9.根据权利要求3所述的成膜掩膜的制造方法，其特征在于，所述缝隙是构成所述磁性金属材料层的一部分的细长状的多个岛
\t图案中的相邻接的所述岛图案之间的部分。10.根据权利要求4所述的成膜掩膜的制造方法，其特征在于，所述缝隙是构成所述磁性金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：水村通伸，
申请(专利权)人：株式会社V技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP