薄膜晶体管基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了薄膜晶体管基板及其制造方法。薄膜晶体管基板包括开关元件，该开关元件包括：栅电极，电连接到在第一方向上延伸的栅线；有源图案，交叠栅电极；源电极，设置在有源图案上并电连接到在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线；以及漏电极，与源电极间隔开。薄膜晶体管基板还包括：有机层，设置在开关元件上；第一电极，设置在有机层上；以及第二电极，交叠第一电极，并电连接到漏电极。第二电极的厚度比第一电极的厚度厚。

【技术实现步骤摘要】

本公开的示范性实施方式涉及薄膜晶体管基板以及制造该薄膜晶体管基板的方法。
技术介绍
通常，液晶显示(LCD)装置包括显示基板、上基板以及插设在显示基板与上基板之间的液晶层。多个信号线和多个薄膜晶体管形成在显示基板上。为了在LCD装置上显示图像，液晶显示面板通常使用扭转向列(TN)模式。为了保证宽视角，液晶显示面板可以以不同的模式诸如面线转换(PLS)模式操作。PLS模式的液晶显示面板形成像素电极和交叠像素电极的公共电极。电场施加在像素电极和公共电极之间以改变液晶分子的取向从而表现灰度级。PLS模式的液晶显示面板的像素电极经由接触孔电连接到漏电极。在具有低分辨率的液晶显示面板中，有机层没有被接触孔暴露。然而，在具有高分辨率的液晶显示面板中，有机层可以被接触孔暴露用于增大开口率。当有机层被暴露时，有机层的表面会在形成接触孔的工艺中被损伤。有机层可能由于有机层的表面上的损伤而变成亲水性的，因此H2O被吸收到有机层的表面。结果，会形成活性未填充区域(active unfilled area，AUA)。
技术实现思路
本公开的示范性实施方式提供能够减小电阻并增大透射率的显示基板以及制造该显示基板的方法。在根据一个实施方式的示范性实施方式中，一种薄膜晶体管基板包括开关元件，该开关元件包括：栅电极，电连接到在第一方向上延伸的栅线；有源图案，交叠栅电极；源电极，设置在有源图案上并电连接到在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线；以及漏电极，与源电极间隔开。薄膜晶体管
基板还包括：有机层，设置在开关元件上；第一电极，设置在有机层上；以及第二电极，交叠第一电极，并电连接到漏电极。第二电极的厚度比第一电极的厚度厚。在示范性实施方式中，薄膜晶体管基板还可以包括设置在第一电极和第二电极之间以使第一电极和第二电极绝缘的钝化层。在示范性实施方式中，钝化层可包括暴露漏电极的一部分和有机层的一部分的接触孔。在示范性实施方式中，有机层的表面可以具有崎岖不平的结构(bumpy structure)。有机层的表面的凸块(bump)的平均高度可以小于在示范性实施方式中，第二电极可以包括透明导电材料。在示范性实施方式中，第二电极的厚度可以大于且小于在根据一个实施方式的薄膜晶体管基板的示范性实施方式中，薄膜晶体管基板包括开关元件，该开关元件包括：栅电极，电连接到在第一方向上延伸的栅线；有源图案，交叠栅电极；源电极，设置在有源图案上并电连接到在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线；以及漏电极，与源电极间隔开。薄膜晶体管基板还包括：有机层，设置在开关元件上；第一电极，设置在有机层上；第二电极，交叠第一电极，并电连接到漏电极；钝化层，设置在第一电极和第二电极之间以使第一电极和第二电极绝缘，并包括暴露漏电极的一部分和有机层的一部分的接触孔；以及覆盖图案，设置在接触孔中以覆盖有机层的暴露部分。在示范性实施方式中，覆盖图案可以覆盖有机层的暴露部分和漏电极的暴露部分。在示范性实施方式中，覆盖图案可以设置在与第一电极相同的层上。在示范性实施方式中，覆盖图案可以与第一电极绝缘并电连接到第二电极。在示范性实施方式中，第一电极和第二电极可以包括透明导电材料。在示范性实施方式中，其中有机层的表面可以具有崎岖不平的结构。有机层的表面的凸块的平均高度可以小于在根据实施方式的制造薄膜晶体管基板的方法的示范性实施方式中，该方法包括：在基底基板上形成栅极金属图案，该栅极金属图案包括在第一方向上延伸的栅线和电连接到栅线的栅电极；形成交叠栅电极的有源图案；在
有源图案上形成数据金属图案，该数据金属图案包括在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线、与栅线电连接的源电极以及与源电极间隔开的漏电极；在数据金属图案上形成有机层；在有机层上形成第一电极；在第一电极上形成钝化层；通过利用具有大于7kW且小于13kW的功率蚀刻钝化层以形成暴露漏电极的一部分和有机层的一部分的接触孔；以及在钝化层上形成电连接到漏电极的第二电极。在示范性实施方式中，第二电极的厚度可以比第一电极的厚度厚。在示范性实施方式中，第二电极厚厚度可以大于且小于在示范性实施方式中，形成第一电极还可以包括设置在与第一电极相同的层上的覆盖图案。在示范性实施方式中，覆覆盖图案可以覆盖有机层的暴露部分。在示范性实施方式中，覆盖图案可以覆盖有机层的暴露部分和漏电极的暴露部分。在示范性实施方式中，覆盖图案可以与第一电极绝缘并电连接到第二电极。在示范性实施方式中，第一电极、第二电极和覆盖图案可以包括透明导电材料。根据本示范性实施方式，钝化层通过相对低功率的干蚀刻形成。因此，有机层的表面的损伤可以被减小，减少有机层的表面的崎岖不平结构的形成。结果，H2O可以不被吸收到有机层的表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。此外，根据一个实施方式的像素电极PE的厚度大于且小于因此像素电极PE可以整个地覆盖有机层130的暴露部分。此外，覆盖图案覆盖有机层的暴露部分。附图说明通过参照附图详细描述本公开的示范性实施方式，本公开的以上和其他的特征和优点将变得更加明显，附图中：图1是示出根据本公开的示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图；图2是沿图1的线I-I'截取的截面图；图3至图12是示出制造图2的薄膜晶体管的方法的截面图；图13是示出根据本公开的示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图；图14是沿图13的线II-II'截取的截面图；图15至图20是示出制造图14的薄膜晶体管的方法的截面图；图21是示出根据本公开的示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图；图22是沿图21的线III-III'截取的截面图；以及图23至图28是示出制造图22的薄膜晶体管的方法的截面图。具体实施方式在下文，将参照附图详细地解释本公开。图1是示出根据本公开的示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图。图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。参照图1和图2，根据示范性实施方式的薄膜晶体管基板10包括：基底基板100、包括栅线GL和栅电极GE的栅极金属图案、包括数据线DL的数据金属图案、栅极绝缘物110、有源图案AP、第一钝化层120、有机层130、公共电极CE、第二钝化层160以及像素电极PE。栅线GL在第一方向D1上延伸。在一个实施方式中，栅线GL具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及其混合物的单层结构。在另一些实施方式中，栅线GL具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，栅线GL可以包括铜层和设置在铜层上和/或下的钛层。栅线GL电连接到开关元件的栅电极GE。此外，栅线GL的部分可以形成栅电极GE。栅极绝缘层110形成在栅线GL和栅电极GE上。栅极绝缘层110可以包括无机材料诸如硅氧化物(SiOx)和/或硅氮化物(SiNx)。在一个实施方式中，栅极绝缘层110包括硅氧化物(SiOx)，并可以具有约的厚度。在另一个实施方式中，栅极绝缘层110包括包含彼此不同的材料的多个层。有源图案AP形成在栅极绝缘层110上。根据一个实施方式，有源图案AP包括半导体图案和欧姆接触图案。欧姆接触图案形成在半导体图案上。半导体图案可以包括硅半导体材料。例如，半导体图案可以包括非晶硅(a-Si:H)。欧姆接触图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：开关元件，包括栅电极、有源图案、源电极和漏电极，该栅电极电连接到在第一方向上延伸的栅线，该有源图案交叠所述栅电极，该源电极设置在所述有源图案上并电连接到在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的数据线，该漏电极与所述源电极间隔开；有机层，设置在所述开关元件上；第一电极，设置在所述有机层上；以及第二电极，交叠所述第一电极并电连接到所述漏电极，并且其中所述第二电极的厚度比所述第一电极的厚度厚。

【技术特征摘要】
2015.03.04 KR 10-2015-00304851.一种薄膜晶体管基板，包括：开关元件，包括栅电极、有源图案、源电极和漏电极，该栅电极电连接到在第一方向上延伸的栅线，该有源图案交叠所述栅电极，该源电极设置在所述有源图案上并电连接到在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的数据线，该漏电极与所述源电极间隔开；有机层，设置在所述开关元件上；第一电极，设置在所述有机层上；以及第二电极，交叠所述第一电极并电连接到所述漏电极，并且其中所述第二电极的厚度比所述第一电极的厚度厚。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述有机层的表面具有崎岖不平的结构，并且所述有机层的表面的凸块的平均高度小于3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二电极的厚度大于且小于4.一种薄膜晶体管基板，包括：开关元件，包括栅电极、有源图案、源电极和漏电极，该栅电极电连接到在第一方向上延伸的栅线，该有源图案交叠所述栅电极，该源电极设置在所述有源图案上并电连接到在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的数据线，该漏电极与所述源电极间隔开；有机层，设置在所述开关元件上；第一电极，设置在所述有机层上；第二电极，交叠所述第一电极，并电连接到所述漏电极；钝化层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间以绝缘所述第一电极和所述第二电极，并包括暴露...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳容，田雄淇，金显镇，宋溱镐，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR