像素电路、驱动方法、阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种像素电路、驱动方法、阵列基板、显示面板和显示装置。像素电路包括薄膜晶体管TFT和电容；所述TFT的栅极与栅线连接，所述TFT的第一极与所述电容的一端连接；所述电容的另一端与电源线连接；所述像素电路还包括：数据电压控制单元，用于将偏置电压和数据电压输出至所述TFT的第二极。本发明专利技术可以补偿由于TFT的栅极和TFT的源极之间存在寄生电容Cgs从而在栅线打开和关闭时实际像素上的波动电压△Vp，并能改善现有技术中由于公共电极电压被耦合而产生的显示不良现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电路、驱动方法、阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
如图1A所示，现有的像素电路包括薄膜晶体管TFT和电容C，由于TFT的栅极和TFT的源极之间存在寄生电容Cgs，因此在栅线打开和关闭时实际像素上的电压存在波动(波动电压即△Vp)，现有技术通过在电容C的一端设置公共电极电压VCOM来抵消△Vp的影响。但由于输出公共电极电压VCOM的公共电极线的电压驱动能力有限，在重载画面下极易被数据电压耦合，发生波动，使得实际加载到像素上的电压出现偏差，发生发绿等不良现象。在图1中，Data标示数据线，Gate标示栅线。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种像素电路、驱动方法、阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有技术中在补偿由于TFT的栅极和TFT的源极之间存在寄生电容从而在栅线打开和关闭时实际像素上的波动电压时由于公共电极线驱动能力差从而产生的公共电极电压容易被数据电压耦合而产生显示不良现象的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种像素电路，包括薄膜晶体管TFT和电容(C)；所述TFT的栅极与栅线连接，所述TFT的第一极与所述电容(C)的一端连接；所述电容(C)的另一端与电源线连接；所述像素电路还包括：数据电压控制单元，用于将偏置电压和数据电压输出至所述TFT的第二
极。实施时，所述数据电压控制单元分别与所述数据线、偏置电压信号线和所述TFT的第二极连接，用于将偏置电压信号线提供的偏置电压和数据线提供的数据电压输出至所述TFT的第二极。实施时，所述数据电压控制单元包括加载电容和加载电阻；所述加载电容的两端分别与所述数据线和所述TFT的第二极连接；所述加载电阻的两端分别与所述偏置电压信号线和所述TFT的第二极连接。实施时，所述电源线为地线。本专利技术还提供了一种像素电路的驱动方法，应用于上述的像素电路，所述驱动方法包括：数据电压控制单元将偏置电压和数据电压输出至TFT的第二极。实施时，所述驱动方法具体包括：所述数据电压控制单元将偏置电压信号线提供的偏置电压和数据线提供的数据电压输出至所述TFT的第二极。本专利技术还提供了一种阵列基板，包括上述的像素电路。本专利技术还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。与现有技术相比，本专利技术所述的像素电路、驱动方法、阵列基板、显示面板和显示装置通过将电容C的第二端改为与驱动能力强的电源线连接，然后通过数据电压控制单元改变输入至所述薄膜晶体管(TFT)的漏极的电压，从而可以补偿由于TFT的栅极和TFT的源极之间存在寄生电容Cgs从而在栅线打开和关闭时实际像素上的波动电压△Vp，并能改善现有技术中由于公共电极电压被耦合而产生的显示不良现象。附图说明图1A是现有的像素电路的结构图；图1B是本专利技术实施例所述的像素电路的结构图；图2是本专利技术另一实施例所述的像素电路的结构图；图3是本专利技术又一实施例所述的像素电路的结构图；图4是本专利技术再一实施例所述的像素电路的结构图；图5A是本专利技术所述的像素电路的一具体实施例的电路图；图5B是多个本专利技术实施例所述的像素电路的结构示意图；图6是偏置伽马电压加载模块的电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1B所示，本专利技术实施例所述的像素电路，包括TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)和电容C；所述TFT的栅极与栅线Gate连接，所述TFT的第一极与所述电容C的第一端连接；所述电容C的第二端与电源线VL连接；所述像素电路还包括：数据电压控制单元11，用于将偏置电压Vb和数据线(图1B中未示出)提供的数据电压Vdata输出至所述TFT的第二极。本专利技术实施例所述的像素电路在工作时，当所述电容C与地线连接时，所述偏置电压能够补偿由于所述TFT的栅极和所述TFT的第二极之间的寄生电容而在像素电容上产生的波动电压；当所述电容C与除了地线之外的其他电源线连接时，所述偏置电压与所述电源线上的电源电压的电压差值能够补偿所述波动电压。在图1B中，所述TFT为n型晶体管时，所述第一极为源极，所述第二极为漏极，但是在实际操作时，所述TFT也可以被替换为p型晶体管，本专利技术实施例对所述TFT的类型并不作限定。在实际操作时，由于所述电容C的第二端在现有技术中通常是与公共电极线连接的，然而公共电极线的驱动能力差，从而会导致由于公共电极线上的公共电极电压VCOM耦合相关的不良现象。本专利技术实施例所述的像素驱动电
路将所述电容C的第二端改为与电压驱动能力强的电源线连接，然后通过数据电压控制单元改变输入至所述薄膜晶体管(TFT)的漏极的电压，从而可以补偿由于TFT的栅极和TFT的源极之间存在寄生电容Cgs从而在栅线打开和关闭时实际像素上的波动电压△Vp，并能改善现有技术中由于公共电极电压被耦合而产生的显示不良现象。本专利技术实施例所述的像素电路通过数据电压控制单元将数据线上的数据电压和偏置电压Vb叠加，将数据电压的正负压进行上下整体调节，之后再将偏置后的数据电压输出到电容C的一端，而电容C的另一端接地，这样偏置后的数据电压直接作为像素电压进行驱动。本专利技术实施例所述的像素电路通过电源线和数据线来驱动像素点亮，数据线和电源线的能力都远远好于公共电极线，不会轻易造成像素电压的波动，有效防止发绿等不良现象，并且与此同时，FLK(闪烁度)调节、公共电极电压写入和像素电压调节也很方便。在实际中，如图2所示，所述电容C包括相互并联的存储电容Cst和液晶电容Clc，标号为Cgs的为TFT的栅极和TFT的源极之间的寄生电容。具体的，如图3所示，所述数据电压控制单元11分别与数据线Data、偏置电压信号线PL和所述TFT的第二极连接，用于将偏置电压信号线PL提供的偏置电压Vb和数据线Data提供的数据电压Vdata输出至所述TFT的第二极。具体的，如图4所示，所述数据电压控制单元11包括加载电容CL和加载电阻RL；所述加载电容CL的两端分别与所述数据线Data和所述TFT的第二极连接；所述加载电阻CR的两端分别与所述偏置电压信号线PL和所述TFT的第二极连接。如图4所示的数据电压控制单元在上电前，CL的两端未被接入电压信号；当数据电压控制单元工作时，偏置电压信号线PL输出的偏置电压通过RL输出至TFT的第二极，Vdata写入CL的左端，由于加载电容CL的自举作用，电容的两端的电压差不能突变，CL的右端电压也上升Vdata，因此此时输出
至所述TFT的第二极的电压即为Vb+Vdata。在实际操作时，数据线Data输出的数据电压和偏置电压Vb的叠加可以通过其他任何可能的方法实现，并不局限于电阻电容的叠加方法。优选的，所述电源线可以为地线。地线的电压驱动能力强，当所述电容C与地线连接时，所述偏置电压能够补偿由于所述TFT的栅极和所述TFT的第二极之间的寄生电容而在像素电容上产生的波动电压，从而增强驱动能力，以解决现有技术中与公共电极耦合相关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，包括薄膜晶体管TFT和电容(C)；所述TFT的栅极与栅线连接，所述TFT的第一极与所述电容(C)的一端连接；其特征在于，所述电容(C)的另一端与电源线连接；所述像素电路还包括：数据电压控制单元，用于将偏置电压和数据电压输出至所述TFT的第二极。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，包括薄膜晶体管TFT和电容(C)；所述TFT的栅极与栅线连接，所述TFT的第一极与所述电容(C)的一端连接；其特征在于，所述电容(C)的另一端与电源线连接；所述像素电路还包括：数据电压控制单元，用于将偏置电压和数据电压输出至所述TFT的第二极。2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述数据电压控制单元分别与所述数据线、偏置电压信号线和所述TFT的第二极连接，用于将偏置电压信号线提供的偏置电压和数据线提供的数据电压输出至所述TFT的第二极。3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述数据电压控制单元包括加载电容和加载电阻；所述加载电容的两端分别与所述数据线和所述TFT的第二极连接；所述加载电阻的两端分别与所述偏置电压信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭蕾，杨刚，王智勇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11