一种磁场强度可调节式磁控溅射装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种磁场强度可调节式磁控溅射装置，包括有磁控腔室、磁控装置和基板，所述的磁控腔室为真空腔室，所述的磁控腔室由一侧开口的矩形槽钢构成，所述的磁控装置设置于磁控腔室内部，所述的磁控腔室的开口面上设置有靶材附着板，所述的靶材附着板上附着有靶材，所述的靶材裸露于磁控腔室之外，且正对基板，所述的磁控腔室上与开口面相对的侧面上靠上部和下部位置均设置有一个密封法兰，所述的密封法兰上设置有穿入磁控腔室内部并与磁控装置连接的调节杆，所述的调节杆上设置有螺纹。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种磁控溅射装置，尤其涉及一种磁场强度可调节式磁控溅射装置。
技术介绍
在现有的磁控溅射技术中，磁控装置一般为固定装置，其与靶材之间的间距为固定间距，从而传统的磁控溅射装置具有固定的磁场强度，从而导致其使用范围比较局限，对不同产品需求进行磁控溅射时需要更换设备或内部磁控装置进行更换，整个过程相当麻烦，而且磁控溅射均需要进行真空处理，所有的器件之间的密封要求较为严格，所以在拆装更换磁控装置时容易造成密封不严产生工艺气体泄漏的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，而提供一种结构简单、可调节磁场强度的磁控溅射装置。本技术的目的是这样实现的：一种磁场强度可调节式磁控溅射装置，包括有磁控腔室、磁控装置和基板，所述的磁控腔室为真空腔室，所述的磁控腔室由一侧开口的矩形槽钢构成，所述的磁控装置设置于磁控腔室内部，所述的磁控腔室的开口面上设置有靶材附着板，所述的靶材附着板上附着有靶材，所述的靶材裸露于磁控腔室之外，且正对基板，所述的磁控腔室上与开口面相对的侧面上靠上部和下部位置均设置有一个密封法兰，所述的密封法兰上设置有穿入磁控腔室内部并与磁控装置连接的调节杆，所述的调节杆上设置有螺纹。所述的靶材附着板为内部中空板，且在其靠上部设置有一个进水口，并在其靠下部位置设置有一个出水口，所述的靶材通过非磁体物质粘结在靶材附着板上。所述的调节杆穿过密封法兰伸入内部，且在密封法兰外部设置有一个限位片，限位片上设置有两个呈水平设置的矩形调节孔，所述的调节杆穿过限位片上设置的矩形调节孔，所述的限位杆上还设置有一个调节螺栓。本技术所产生的有益效果是：本方案中将磁控装置采用一个调节杆进行限位连接，调节杆穿过设置于磁控腔室侧面上的密封法兰穿出，因此可人工在外部对磁控装置进行位置移动；在密封法兰外部设置的限位片可对调节杆进行限位固定，避免在工作过程中限位杆产生移动改变磁控腔室内部的磁场强度，在限位片上设置的两个矩形调节孔可使限位杆具有一定的左右水平移动自由度；设置于限位杆上的调节螺栓可通过人工在外部拧动，对磁控腔室内部的磁控装置进行前后平移，通过对磁控装置的前后平移来改变磁控装置与靶材之间的距离，从而改变靶材处于磁场之中的磁场强度。本方案可根据不同的产品生产需求在不拆解、不更换的情况下实现对靶材处于磁场中磁场强度的改变，整体方案操作方便、减少了人工投入、在不拆解的情况下完成调节也保证了整个设备的密封度。另一方面靶材附着板采用中空板材，并在其靠上位置设置一个进水孔、在其靠底部位置设置一个出水孔，进水孔进入冷水将靶材上的热量吸收，并从出水孔流出，通过为在图中标出的软连接管通出磁控腔室外部，实现冷水循环降温，改变了传统技术中在磁控腔室内部充水降温的方法，此降温方法更加科学有效。总的本技术具有结构简单、调节方便的优点。附图说明图1为本技术的整体结构示意图。图2为本技术的密封法兰、限位片和调节螺栓之间的连接结构示意图。图中：1、磁控腔室 2、磁控装置 3、基板 4、靶材附着板 5、靶材 6、密封法兰 7、调节杆 8、进水口 9、出水口 10、限位片 11、矩形调节孔 12、调节螺栓。具体实施方式下面根据附图和实施例对本技术的技术方案做进一步说明。实施例1如图1—2所示，一种磁场强度可调节式磁控溅射装置，包括有磁控腔室1、磁控装置2和基板3，所述的磁控腔室1为真空腔室，所述的磁控腔室1由一侧开口的矩形槽钢构成，所述的磁控装置2设置于磁控腔室1内部，所述的磁控腔室1的开口面上设置有靶材附着板4，所述的靶材附着板4上附着有靶材5，所述的靶材5裸露于磁控腔室1之外，且正对基板3，所述的磁控腔室1上与开口面相对的侧面上靠上部和下部位置均设置有一个密封法兰6，所述的密封法兰6上设置有穿入磁控腔室1内部并与磁控装置2连接的调节杆7，所述的调节杆7上设置有螺纹。所述的靶材附着板4为内部中空板，且在其靠上部设置有一个进水口8，并在其靠下部位置设置有一个出水口9，所述的靶材5通过非磁体物质粘结在靶材附着板4上。所述的调节杆7穿过密封法兰6伸入内部，且在密封法兰6外部设置有一个限位片10，限位片10上设置有两个呈水平设置的矩形调节孔11，所述的调节杆7穿过限位片10上设置的矩形调节孔11，所述的限位杆7上还设置有一个调节螺栓12。本技术在使用时：基板通过转送装置从靶材正对面平行通过，根据不同的工艺要求通过旋进或旋出调节螺母使调节杆带动磁控装置相对靶材附着板做前后平移运动，从而改变磁控装置与靶材之间的距离，从而改变靶材处在磁场中的磁场强度，实现对磁场强度的控制。靶材附着板进水口处连接在图示中未标出的进水管，靶材附着板出水口处连接在图示中为标出的出水管，实现冷水循环，实现对靶材附着板和靶材的降温作用。本方案采用调节杆对磁控装置进行距离控制，操作十分方便，且能够保证在不拆解设备的情况下对靶材处于磁场中的磁场强度进行改变。总的本技术具有结构简单、调节方便的优点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁场强度可调节式磁控溅射装置，包括有磁控腔室、磁控装置和基板，所述的磁控腔室为真空腔室，所述的磁控腔室由一侧开口的矩形槽钢构成，所述的磁控装置设置于磁控腔室内部，所述的磁控腔室的开口面上设置有靶材附着板，所述的靶材附着板上附着有靶材，所述的靶材裸露于磁控腔室之外，且正对基板，其特征在于：所述的磁控腔室上与开口面相对的侧面上靠上部和下部位置均设置有一个密封法兰，所述的密封法兰上设置有穿入磁控腔室内部并与磁控装置连接的调节杆，所述的调节杆上设置有螺纹。

【技术特征摘要】
1.一种磁场强度可调节式磁控溅射装置，包括有磁控腔室、磁控装置和基板，所述的磁控腔室为真空腔室，所述的磁控腔室由一侧开口的矩形槽钢构成，所述的磁控装置设置于磁控腔室内部，所述的磁控腔室的开口面上设置有靶材附着板，所述的靶材附着板上附着有靶材，所述的靶材裸露于磁控腔室之外，且正对基板，其特征在于：所述的磁控腔室上与开口面相对的侧面上靠上部和下部位置均设置有一个密封法兰，所述的密封法兰上设置有穿入磁控腔室内部并与磁控装置连接的调节杆，所述的调节杆上设置有螺纹。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡凡，范永生，吕海飞，
申请(专利权)人：河南康耀电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41