【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480049395
【技术保护点】
一种制备Si24的方法，包括：通过在从约7GPa至约15GPa的压力和从约320℃至约1500℃的温度下使硅和钠的混合物反应而形成Na4Si24前体，在从约40℃至约500℃的温度下使所述Na4Si24前体经过真空条件以制备Si24。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.08 US 61/843,581;2013.09.06 US 61/874,5821.一种制备Si24的方法，包括：通过在从约7GPa至约15GPa的压力和从约320℃至约1500℃的温度下使硅和钠的混合物反应而形成Na4Si24前体，在从约40℃至约500℃的温度下使所述Na4Si24前体经过真空条件以制备Si24。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述Na4Si24前体在约25℃的温度和约1个大气压的压力下动态稳定。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述Na4Si24前体含有24个硅原子和4个钠原子，具有Cmcm空间群，并具有以下晶格常数：和4.根据权利要求1所述的方法，其中Si24具有准直接带隙，其中直接带隙值为1.34eV以及间接带隙值为1.3eV。5.根据权利要求1所述的方法，其中用于形成Na4Si24的钠与硅的比为从约10至约30摩尔％。6.根据权利要求1所述的方法，其中在两个步骤中对钠和硅的所述混合物进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒂莫西·A·斯特罗贝尔，达克·永·金，奥莱克山大·O·克拉科维奇，
申请(专利权)人：华盛顿卡耐基研究所，
类型：发明
国别省市：美国;US
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