KYSiS4化合物、KYSiS4非线性光学晶体及制法和用途制造技术

本发明专利技术涉及一种KYSiS4化合物、KYSiS4非线性光学晶体及制法和用途；该KYSiS4化合物采用固相反应制备；KYSiS4非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法生长；在该KYSiS4非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得KYSiS4非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该KYSiS4非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种化学式为KYSiS4的化合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梅大江，吴远东，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31