本发明专利技术涉及一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物，其包含：(甲基)丙烯酸酯基树脂，其包含大于17重量％的(甲基)丙烯酸酯基重复单元，所述(甲基)丙烯酸酯基重复单元含有环氧基官能团；环氧树脂，其具有大于70℃的软化点；和酚醛树脂，其具有大于105℃的软化点，其中(甲基)丙烯酸酯基树脂的重量比例为0.48至0.65，相对于(甲基)丙烯酸酯基树脂、环氧树脂和酚醛树脂的总重量计；还涉及一种由树脂组合物获得的用于半导体的粘合剂膜；一种包括粘合剂层的切割模片粘结膜，所述粘合剂层包含用于半导体的粘合剂膜；一种包括切割模片粘结膜的半导体晶片；以及，一种使用切割模片粘结膜切割半导体晶片的方法。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物，其包含：(甲基)丙烯酸酯基树脂，其包含大于17重量％的(甲基)丙烯酸酯基重复单元，所述(甲基)丙烯酸酯基重复单元含有环氧基官能团；环氧树脂，其具有大于70℃的软化点；和酚醛树脂，其具有大于105℃的软化点，其中(甲基)丙烯酸酯基树脂的重量比例为0.48至0.65，相对于(甲基)丙烯酸酯基树脂、环氧树脂和酚醛树脂的总重量计；还涉及一种由树脂组合物获得的用于半导体的粘合剂膜；一种包括粘合剂层的切割模片粘结膜，所述粘合剂层包含用于半导体的粘合剂膜；一种包括切割模片粘结膜的半导体晶片；以及，一种使用切割模片粘结膜切割半导体晶片的方法。【专利说明】用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物和用于半导体的粘合 剂膜【相关申请的交叉引用】 本申请要求于2 014年11月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10 -2014-0160178号和于2015年11月16日提交的韩国专利申请第10-2015-0160321号的优先 权，其公开内容的全文以参引的方式纳入本说明书。
本专利技术涉及一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物和一种用于半导体的粘合 剂膜，更具体地，涉及一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物和一种用于半导体的粘合 剂膜，其具有优异抗冲击性以及高机械特性和高耐热性，并且当用于粘合具有微小厚度的 半导体器件时还可实现高粘合强度。 【技术背景】 近来，随着电子设备朝向小型化、高功能化和容量扩大的趋势的发展，以及对半导 体封装的致密化和高集成化的需求的迅速增加，半导体芯片的尺寸变得越来越大。就提高 集成度而言，用于多级层压芯片的堆叠封装法在逐渐增加。 随着半导体封装的近期发展趋势，半导体的小型化、薄化和高性能已迅速发展。此 外，为了使封装物的容量扩大，半导体晶片的厚度变得非常薄以致小于100μπι，使得可将更 多的芯片层压在同一封装物中。近来，半导体晶片的厚度变得极薄以致小于20μπι。 因此，当制造半导体芯片和层间粘合剂膜的厚度为20μπι以下的封装物时，需要使 粘合剂膜变薄，由此，传统的制造企业提供了一种不包含无机颗粒的粘合剂膜。 参看封装物的制造过程:层压半导体芯片，然后经历金线接合过程，以便导电。 在此情况下，由于在引线接合过程中向芯片施加冲击，半导体芯片容易被破裂或 损坏，由此，在封装装配后可能存在电子特性方面的问题。 此外，随着芯片变薄，在引线接合过程中向芯片施加的冲击量变大。为防止这一现 象，粘附至半导体芯片的粘合剂膜需要具有对由外部施加的冲击的抗冲击性，从而保护芯 片。 【
技术实现思路
】 【技术问题】 本专利技术的一个目的是提供一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物，其具有优异 的抗冲击性以及高机械特性和高耐热性，并且当用于粘合具有微小厚度的半导体器件时还 实现高粘合强度。 本专利技术的另一个目的是提供一种用于粘结半导体的粘合剂膜，其具有优异的抗冲 击性以及高机械特性和高耐热性，并且当用于粘合具有微小厚度的半导体器件时还可实现 高粘合强度。 本专利技术的再一个目的是提供一种切割模片粘结膜，其可具有优异的抗冲击性以及 高机械特性和高耐热性，当用于粘合具有微小厚度的半导体器件时其可实现高粘合强度， 并且在半导体晶片的切割步骤期间可使毛刺的发生最小化，从而防止半导体芯片的污染并 提高半导体芯片的可靠性和延长半导体芯片的寿命。 本专利技术的又一个目的是提供一种使用切割模片粘结膜切割半导体晶片的方法。 【技术方案】 提供一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物，所述粘合剂树脂组合物包含：（甲 基)丙烯酸酯基树脂，其包含大于17重量％的（甲基)丙烯酸酯基重复单元，所述（甲基)丙烯 酸酯基重复单元含有基于环氧基官能团；环氧树脂，其具有高于70°C的软化点；和酚醛树 月旨，其具有高于l〇5°C的软化点，其中（甲基）丙烯酸酯基树脂的重量比例为0.48至0.65,相 对于（甲基)丙烯酸酯基树脂、环氧树脂和酚醛树脂的总重量计。还提供一种用于半导体的粘合剂膜，所述粘合剂膜包含交联键，所述交联键位于 选自以下的两种或更多种物质之间：（甲基）丙烯酸酯基树脂，其包含大于17重量％的（甲 基)丙烯酸酯基重复单元，所述（甲基)丙烯酸酯基重复单元含有环氧基官能团；环氧树脂， 其具有高于70°C的软化点;和酚醛树脂，其具有高于105°C的软化点，其中，（甲基)丙烯酸酯 基树脂的重量比例为0.48至0.65,相对于（甲基）丙烯酸酯基树脂、环氧树脂和酚醛树脂的 总重量计。还提供一种切割模片粘结膜，其包括:基膜;压敏粘合剂层，其形成于基膜上;和粘 合剂层，其形成于压敏粘合剂层上并包含用于半导体的粘合剂膜。还提供一种半导体晶片，其中切割模片粘结膜的粘合剂层粘附至晶片的一个表 面，并且切割模片粘结膜的基膜固定至晶片环形框架(ring frame)。 此外，还提供一种半导体晶片的切割方法，所述方法包括:完全分隔或部分分隔半 导体晶片的预处理步骤，所述半导体晶片包括切割模片粘结膜和层压在切割模片粘结膜的 至少一个表面上的晶片；在预处理步骤之后展开半导体晶片的步骤;和向展开的半导体晶 片的基膜照射紫外光并拾取通过分隔半导体晶片而分离的单个芯片的步骤。 下文中，将根据本专利技术的具体实施方案更详细的描述用于粘结半导体的粘合剂树 脂组合物、用于半导体的粘合剂膜、切割模片粘结膜、半导体晶片和切割半导体晶片的方 法。 用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物和用于半导体封装物的粘合剂膜分别是指 用于粘附或粘合半导体组件或芯片的树脂组合物和粘合剂膜。 具体地，用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物和用于半导体封装物的粘合剂膜是 指在半导体封装物的制造过程中在完成切割以后，当通过模片粘结法将芯片粘附至电路板 或较低芯片（lower chip)上时使用的粘合剂树脂组合物和粘合剂膜。例如，它们是指可用 在以下方法中的粘合剂树脂组合物或粘合剂膜:多芯片封装法，所述方法通过粘合剂层压 多个芯片并通过使用引线接合而使上芯片和下芯片电连接;或者晶片级堆叠封装法，所述 方法在形成有电路的晶片上形成直通娃通路(through-silicon via) (TSV)，将其用增能材 料(energizing material)填充，并在层间进行直接电连接。 此外，如在本说明书中使用的，（甲基)丙烯酸酯是指既包括丙烯酸酯也包括甲基 丙烯酸酯。 根据本专利技术的一个实施方案，可提供一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物， 所述粘合剂树脂组合物包含：（甲基)丙烯酸酯基树脂，其包含大于17重量％的（甲基)丙烯 酸酯基重复单元，所述（甲基)丙烯酸酯基重复单元含有环氧基官能团；环氧树脂，其具有高 于70°C的软化点；和酚醛树脂，其具有高于105°C的软化点，其中（甲基)丙烯酸酯基树脂的 重量比例为0.48至0.65,相对于（甲基)丙烯酸酯基树脂、环氧树脂和酚醛树脂的总重量计。 本专利技术的专利技术人通过大量实验发现，当使用粘合剂树脂组合物时，所述粘合剂树 脂组合物具有优异的抗冲击性以及高机械特性和高耐热性，并且当用于粘合具有微小厚度 的半导体器件时还可实现高粘合强度，所述粘合剂树脂组合物包含下列组分：（甲基）丙烯 酸酯基树脂，其包含大于17重量％的（甲基）丙烯酸酯基重复单本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物，其包含：(甲基)丙烯酸酯基树脂，其包含大于17重量％的(甲基)丙烯酸酯基重复单元，所述(甲基)丙烯酸酯基重复单元含有环氧基官能团；环氧树脂，其具有高于70℃的软化点；和酚醛树脂，其具有大于105℃的软化点，其中(甲基)丙烯酸酯基树脂的重量比例为0.48至0.65，相对于(甲基)丙烯酸酯基树脂、环氧树脂和酚醛树脂的总重量计。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：金熹正，S·R·金，金丁鹤，李光珠，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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