【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种高压模拟集成开关电路，包括并联的第一、第二模拟子开关，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端，栅极连接第一驱动电路，所述第二n型DMOS管的漏极连接电路输出端，栅极连接第一驱动电路；所述第二模拟子开关包括第一p型DMOS管、第二p型DMOS管、第二驱动电路及第三驱动电路；所述第一p型DMOS管的漏极连接第二p型DMOS管的漏极，源极连接电路输入端，栅极连接第二驱动电路，所述第二p型DMOS管的源极连接电路输出端，栅极连接第三驱动电路。本专利技术的控制电路与信号通路不直接连通，抗干扰能力强，本专利技术的开关电路可以实现轨到轨输出。【专利说明】一种高压模拟集成开关电路
本专利技术属于集成电路设计制造领域，特别是涉及一种高压模拟集成开关电路。
技术介绍
模拟开关是一种在集成电路设计中常用的单元。常见的低压模拟开关通常使用CMOS传输门，但是在电动汽车电池监测等高压应用领域，模拟开关的设计曾经是一片空白。高压模拟开关的设计是在...
【技术保护点】
一种高压模拟集成开关电路，其特征在于，包括：并联的第一模拟子开关及第二模拟子开关，其中，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端，栅极连接第一驱动电路，所述第二n型DMOS管的漏极连接电路输出端，栅极连接第一驱动电路；所述第二模拟子开关包括第一p型DMOS管、第二p型DMOS管、第二驱动电路及第三驱动电路；所述第一p型DMOS管的漏极连接第二p型DMOS管的漏极，源极连接电路输入端，栅极连接第二驱动电路，所述第二p型DMOS管的源极连接电路输出端，栅极连接第三驱动电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李新昌，程新红，吴忠昊，张萌，徐大伟，羊志强，俞跃辉，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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