【技术实现步骤摘要】
本文描述了一种改进的模拟开关的多种设计,这种改进的模拟开关用于在不为开关使用高电压电源的情况下传输高电压信号。所述模拟开关能够传递和阻塞在-100V至+100V的近似范围内的输入信号。跨导线性环路和自举配置的使用导致所述对称开关的恒定导通电阻,并且使每个模拟开关的电导与NMOS晶体管的跨导匹配,这可容易地用恒定gm偏置方案来稳定。在某些实施例中,将分流终端(T型开关)配置用于更好的断开隔离,并且所述对称开关中的每个具有其自己的跨导线性环路,以及由此的灵活的导通电阻和终端电压。
技术介绍
许多现有技术的设备需要使用能够传递或阻塞高电压输入信号的模拟开关。此类设备的示例在图1中描绘。医学超声系统100包括多个探头,此处标记为示例性探头131、132、133和134。可以利用额外的探头。每个探头耦合到一个或多个模拟开关和换能器组。在该示例中,探头131耦合到模拟开关111、112、113和114,其中每个从探头131接收高电压输入信号140。模拟开关111耦合到换能器121,模拟开关112耦合到换能器122,模拟开关113耦合到换能器123,并且模拟开关114耦合到换能器124。可以利用额外的模拟开关和换能器组。模拟开关111、112、113和114中的每个的任务是将探头(诸如探头131)连接到开关的相应换能器或与开关的相应换能器断开。
现有技术的模拟开关的示例在图2中示出。模拟开关111接收高电压输入信号140,在本例中该输入信号140从+100V变动至-100V。模拟开关111包括晶体管211、212、240、261和 ...
【技术保护点】
一种模拟开关,所述模拟开关包括:输入节点,所述输入节点位于第一晶体管的端子上以用于接收高电压输入信号;一个或多个控制节点,所述一个或多个控制节点用于接收控制信号;输出节点,所述输出节点位于第二晶体管的端子上以用于在所述控制信号处于第一电压时呈现所述高电压输入信号并用于在所述控制信号处于第二电压时阻塞所述高电压输入信号;以及分流电路,所述分流电路连接到所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的节点,其中所述分流电路终止到地并且未连接到供应具有绝对值大于所述高电压输入信号的电压绝对值的电压的电源。
【技术特征摘要】
1.一种模拟开关,所述模拟开关包括:
输入节点,所述输入节点位于第一晶体管的端子上以用于接收高电压输入信号;
一个或多个控制节点,所述一个或多个控制节点用于接收控制信号;
输出节点,所述输出节点位于第二晶体管的端子上以用于在所述控制信号处于第一电压时呈现所述高电压输入信号并用于在所述控制信号处于第二电压时阻塞所述高电压输入信号;以及
分流电路,所述分流电路连接到所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的节点,其中所述分流电路终止到地并且未连接到供应具有绝对值大于所述高电压输入信号的电压绝对值的电压的电源。
2.根据权利要求1所述的模拟开关,其中所述高电压输入信号在+100伏与-100伏之间变动。
3.根据权利要求1所述的模拟开关,其中所述分流电路接收所述控制信号,并且当所述控制信号处于所述第二电压时,将所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的所述节点拉至接地。
4.根据权利要求1所述的模拟开关,其中所述分流电路接收所述控制信号,并且当所述控制信号处于所述第一电压时,不改变所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的所述节点的电压。
5.一种模拟开关,所述模拟开关包括:
第一电路;
第二电路;
所述第一电路包括用于接收控制信号的一个或多个控制节点和用于接收高电压输入信号的输入节点;
所述第二电路包括用于接收所述控制信号的一个或多个控制节点,以及用于在所述控制信号处于第一电压时呈现所述高电压输入信号并用于在所述控制信号处于第二电压时阻塞所述高电压输入信号的输出节点;以及
分流电路,所述分流电路连接到由所述第一电路和所述第二电路共享的节点,其中所述分流电路终止到地并且未连接到供应具有绝对值大于所述高电压输入信号的电压绝对值的电压的电源。
6.根据权利要求5所述的模拟开关,其中所述高电压输入信号在+100伏与-100伏之间变动。
7.根据权利要求5所述的模拟开关,其中所述第一电路和第二电路是对称的。
8.根据权利要求5所述的模拟开关,其中所述第一电路包括串联连接的第一组晶体管,并且所述第二电路包括串联连接的第二组晶体管,所述第一组晶体管和所述第二组晶体管串联连接。
9.根据权利要求8所述的模拟开关,其中所述输入节点位于所述第一组晶体管的一端,并且所述输出节点位于所述第二组晶体管的一端。
10.一种模拟开关,所述模拟开关包括:
第一电路,所述第一电路用于接收控制信号,并且在所述控制信号处于第一电压时提供电源电压并在所述控制信号处于第二电压时提供地电压;
第二电路,所述第二电路耦合到所述第一电路,所述第二电路包括跨导线性环路;
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【专利技术属性】
技术研发人员:高贤伟,何家伟,陈允添,J雷,
申请(专利权)人:微芯片科技公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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