一种工作波段为3400-4200nm的带通滤光片制造技术

技术编号:13322438 阅读:98 留言:0更新日期:2016-07-11 08:23
本实用新型专利技术公开了一种工作波段为3400-4200nm的带通滤光片,包括正面膜系、基片和背面膜系,所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成,所述一氧化硅层和锗膜层共27层;所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成,所述一氧化硅层和锗膜层共23层。本实用新型专利技术中的带通滤光片,在工作波段3.4-4.2微米内有高的透过率,而在其它波段高度截止。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种带通滤光片,特别涉及一种工作波段为3400-4200nm的带通滤光片
技术介绍
带通滤光片是一种对某一波段具有高的透射率,而对其两端的波段高度截止的滤光片。红外带通滤光片是在红外波长范围内,在中心波长有较高的透过率,而在其余波段截止。其主要应用在红外光谱探测系统,在航天领域有非常重要的应用。随着空间红外技术的发展,对红外带通滤光片的波形要求也越来越高,需要能够有效滤除背景杂散信号,提高探测系统的信噪比。另外,除了对滤光片光学特性的高要求,在空间
对红外滤光片膜层可靠性也有极高的要求,目前可供选择的红外滤光片膜层材料品种很少,在制备时仍有很大的难度。
技术实现思路
本技术为克服现有技术的不足,提供一种工作波段为3400-4200nm的带通滤光片。为达到上述目的,本技术采用如下的技术方案:一种工作波段为3400-4200nm的带通滤光片,包括正面膜系、基片和背面膜系,所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成,所述一氧化硅层和锗膜层共27层;所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成,所述一氧化硅层和锗膜层共23层。进一步的,所述基片为锗基片。相对现有技术,本技术的有益效果为:本技术中的带通滤光片,在工作波段3.4-4.2μm内有高的透过率,而在其它波段高度截止。附图说明图1为本技术一实施例所述的工作波段为3400-4200nm的带通滤光片的结构示意图。图2为本技术一实施例所述的正面膜系透过率曲线图;图3为本技术一实施例所述的反面膜系透过率曲线图;图4为本技术一实施例所述的工作波段为3400-4200nm的带通滤光片的透过率曲线透过率曲线图。附图标记1-正面膜系;2-基片;3-背面膜系。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步的详细说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。一种工作波段为3400-4200nm的带通滤光片,包括正面膜系1、基片2和背面膜系3,所述正面膜系1由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成,所述一氧化硅层和锗膜层共27层;所述背面膜系3由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成,所述一氧化硅层和锗膜层共23层。所述基片2为锗基片,所述锗基片两面抛光,两个面上分别镀制正面膜系和反面膜系。作为本技术的一实施例,正面膜系1中λ=2.75μm,H为λ0/4的锗膜层,L代表厚度为λ0/4的一氧化硅层。其中正面膜系1的主要构成如下:0.1L1.836H0.407L1.397H0.679L1.168H0.965L1H1.072L0.897H1.155L0.917H1.082L0.799H0.631L0.36H0.582L0.95H0.774L0.507H0.398L0.632H0.684L0.836H0.378L0.446H1.839L正面膜系1透过率曲线如图2所示。反面膜系3中λ=5.45μm,H为λ0/4的锗膜层,L为代表厚度为λ0/4的一氧化硅膜层。反面膜系3的主要构成如下:0.09L0.276H1.181L1.072H1.014L0.995H0.991L0.971H0.989L0.958H0.991L0.951H0.994L0.949H0.996L0.953H0.998L0.963H1.005L0.988H1.041L1.028H0.521L反面膜系3透过率曲线如图3所述。当正面膜系和反面膜系镀于基板上时,最终得到的带通滤光片的透过率曲线如图4所示。该滤光片在可见光-3.2μm、4.3μm-长波红外,绝对透过率≤2.0%,平均透过率≤0.1%;在3.3μm处,透过率≤5.0%;在3.4μm和4.1μm处,透过率≥50%;在3.5-4.0μm范围内,平均透过率≥92%,最小值≥90%;在4.2μm处,透过率≤2.0%。本专利中的带通滤光片,在工作波段3.4-4.2μm内有高的透过率,而在其它波段高度截止。尽管本技术的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用,它完全可以被适用于各种适合本技术的领域,对于熟悉本领域的人员而言,可容易地实现另外的修改,因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本技术并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工作波段为3400‑4200nm的带通滤光片,其特征在于包括正面膜系、基片和背面膜系,所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成,所述一氧化硅层和锗膜层共27层;所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成,所述一氧化硅层和锗膜层共23层。

【技术特征摘要】
1.一种工作波段为3400-4200nm的带通滤光片,其特征在于包括正面膜系、基片和背面膜系,所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成,所述一氧化硅层和锗膜层共27层;所述背面膜系...

【专利技术属性】
技术研发人员:周东平
申请(专利权)人:苏州晶鼎鑫光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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