中心波长3250nm的红外成像滤光片制造技术

本实用新型专利技术所设计的一种峰值透过率高，能极大的提高信噪比的中心波长3250nm的红外成像滤光片，包括以红外石英为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，该中心波长3250nm的红外成像滤光片，其红外石英材质的基板配合表面SiO、Ge材质的镀膜层，大大提高了信噪比，配合红外热成像仪使用，提升红外热成像仪的成像结果。该滤光片中心波长＝3250±30nm；带宽＝500±20nm；峰值透过率Tp≥85%；3050～3400Tavg≥80%；300～6500nm（除通带区域外）Tavg≤0.1%。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术所设计的一种峰值透过率高，能极大的提高信噪比的中心波长3250nm的红外成像滤光片，包括以红外石英为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，该中心波长3250nm的红外成像滤光片，其红外石英材质的基板配合表面SiO、Ge材质的镀膜层，大大提高了信噪比，配合红外热成像仪使用，提升红外热成像仪的成像结果。该滤光片中心波长＝3250±30nm；带宽＝500±20nm；峰值透过率Tp≥85%；3050～3400Tavg≥80%；300～6500nm（除通带区域外）Tavg≤0.1%。【专利说明】 中心波长3250nm的红外成像滤光片
本技术涉及红外滤光片领域，尤其是一种中心波长3250nm的红外成像滤光片。
技术介绍
红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化，或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热量)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。但是，目前用于红外热成像的红外滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种峰值透过率高，能极大的提高信噪比的中心波长3250nm的红外成像滤光片。为了达到上述目的，本技术所设计的中心波长3250nm的红外成像滤光片，包括以红外石英为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:310nm厚度的Ge层、158nm厚度的SiO层、170nm厚度的Ge层、85nm厚度的SiO层、429nm厚度的Ge层、177nm厚度的SiO层、317nm厚度的Ge层、132nm厚度的SiO层、157nm厚度的Ge层、165nm厚度的SiO层、417nm厚度的Ge层、143nm厚度的SiO层、308nm厚度的Ge层、436nm厚度的Ge层、192nm厚度的SiO层、654nm厚度的Ge层、335nm厚度的SiO层、502nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、668nm厚度的Ge层、322nm厚度的SiO层、495nm厚度的Ge层、246nm厚度的SiO层、793nm厚度的Ge层、226nm厚度的SiO层和389nm厚度的Ge层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:40nm厚度的Ge层、221nm厚度的SiO层、71nm厚度的Ge层、IOlnm厚度的SiO层、89nm厚度的Ge层、190nm厚度的SiO层、51nm厚度的Ge层、159nm厚度的SiO层、75nm厚度的Ge层、196nm厚度的SiO层、97nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、130nm厚度的Ge层、252nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、205nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层和533nm厚度的SiO层。上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在IOnm左右。本技术所得到的中心波长3250nm的红外成像滤光片，其红外石英材质的基板配合表面SiO、Ge材质的镀膜层，大大提高了信噪比，配合红外热成像仪使用，提升红外热成像仪的成像结果。该滤光片中心波长=3250±30nm ;带宽=500±20nm ;峰值透过率Tp ≥ 85% ；3050 ~3400Tavg≥ 80% ；300 ~6500nm (除通带区域外)Tavg ≤ 0.1%。【专利附图】【附图说明】图1是实施例整体结构示意图；图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。【具体实施方式】下面通过实施例结合附图对本技术作进一步的描述。实施例1:如图1、图2所示，本实施例描述的中心波长3250nm的红外成像滤光片，包括以红外石英为原材料的基板2，以Ge、SiO为第一镀膜层I和以Ge、SiO为第二镀膜层3，且所述基板2位于第一镀膜层I和第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层I由内向外依次排列包含有:310nm厚度的Ge层、158nm厚度的SiO层、170nm厚度的Ge层、85nm厚度的SiO层、429nm厚度的Ge层、177nm厚度的SiO层、317nm厚度的Ge层、132nm厚度的SiO层、157nm厚度的Ge层、165nm厚度的SiO层、417nm厚度的Ge层、143nm厚度的SiO层、308nm厚度的Ge层、436nm厚度的Ge层、192nm厚度的SiO层、654nm厚度的Ge层、335nm厚度的SiO层、502nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、668nm厚度的Ge层、322nm厚度的Si O层、495nm厚度的Ge层、246nm厚度的SiO层、793nm厚度的Ge层、226nm厚度的SiO层和389nm厚度的Ge层；所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:40nm厚度的Ge层、221nm厚度的SiO层、71nm厚度的Ge层、1Olnm厚度的SiO层、89nm厚度的Ge层、190nm厚度的SiO层、51nm厚度的Ge层、159nm厚度的SiO层、75nm厚度的Ge层、196nm厚度的SiO层、97nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、130nm厚度的Ge层、252nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、205nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层和533nm厚度的SiO层。【权利要求】1.一种中心波长3250nm的红外成像滤光片，包括以红外石英为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是:所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:310nm厚度的Ge层、158nm厚度的SiO层、170nm厚度的Ge层、85nm厚度的SiO层、429nm厚度的Ge层、177nm厚度的SiO层、317nm厚度的Ge层、132nm厚度的SiO层、157nm厚度的Ge层、165nm厚度的SiO层、417nm厚度的Ge层、143nm厚度的SiO层、308nm厚度的Ge层、436nm厚度的Ge层、192nm厚度的SiO层、654nm厚度的Ge层、335nm厚度的SiO层、502nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、668nm厚度的Ge层、322nm厚度的SiO层、495nm厚度的Ge层、246nm厚度的SiO层、793nm厚度的Ge层、226nm厚度的SiO层和389nm厚度的Ge层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:40nm厚度的Ge层、221nm厚度的SiO层、71nm厚度的Ge层、IOlnm厚度的SiO层、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王继平，吕晶，余初旺，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：