中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片制造技术

一种中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是：所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有：65nm厚度的Ge层、216nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、300nm厚度的SiO层、145nm厚度的Ge层、114nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、454nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、220nm厚度的SiO层、208nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、567nm厚度的SiO层、206nm厚度的Ge层、248nm厚度的SiO层、222nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、256nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、635nm厚度的SiO层、293nm厚度的Ge层、1264nm厚度的SiO层、273nm厚度的Ge层、1109nm厚度的SiO层、414nm厚度的Ge层和526nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有：279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、1292nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、2583nm厚度的SiO层、409nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层、155nm厚度的Ge层和1096nm厚度的SiO层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术所设计的一种测试精度高、能极大提高信噪比的中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，该中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片，其中心波长4580±40nm，其在航空尾气气体检测过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度。该滤光片的峰值透过率Tp≥80％、带宽=140±20nm，400～12000nm（除通带外），Tavg<0.5%。【专利说明】 中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片
本技术涉及一氧化氮气体检测滤光片领域,尤其是中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片。
技术介绍
在自然界，任何物体在绝对零度(-273度)以上，都有红外谱线发出，而每种物质都有其特殊的发射或吸收特征峰。带通红外滤光片过滤、截止可见光同时允许特定的红外线通过。利用带通红外滤光片的这种允许物体的特征红外谱线透过的特性，可以探测出特定物质的存在，广泛应用于安防、环保、工业、科研等。带通红外滤光片的质量直接影响探测的精度和灵敏度。目前的NO红外光学分析仪器应用广泛，检测气体含量具体有实时、连续和可靠的特点，但是目标气体中通过NO含量低，红外特征吸收峰值较弱，检测困难，因此目前国内较多采用化学法和薄膜热敏探测法，存在检测器寿命短或成本高等问题，因此既要降低成本，又要提高探测精度在NO红外光学分析仪器中已经相当重要。就目前用于NO探测中的滤光片，检测精度不高、透过率和信噪比低，精度差，有时候出现误测的现象，不能满足市场发展的需要。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片。为了达到上述目的，本技术所设计的中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge层、216nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、8Inm厚度的Ge层、300nm厚度的SiO层、145nm厚度的Ge层、114nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、454nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、220nm厚度的SiO层、208nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、567nm厚度的SiO层、206nm厚度的Ge层、248nm厚度的SiO层、222nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、256nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、635nm厚度的SiO层、293nm厚度的Ge层、1264nm厚度的SiO层、273nm厚度的Ge层、1109nm厚度的SiO层、414nm厚度的Ge层和526nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、1292nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、2583nm厚度的SiO层、409nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层、155nm厚度的Ge层和1096nm厚度的SiO层。上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在IOnm左右。本技术所得到的中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片，其中心波长4580±40nm，其在航空尾气气体检测过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度。该滤光片的峰值透过率Tp≥80%、带宽=140±20nm，400~12000nm (除通带外)，Tavg〈0.5%。【专利附图】【附图说明】图1是实施例整体结构示意图；图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。【具体实施方式】下面通过实施例结合附图对本技术作进一步的描述。实施例1:如图1、图2所示，本实施例描述的中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片，包括以蓝宝石为原材料的基板2，以Ge、SiO为第一镀膜层I和以Ge、SiO为第二镀膜层3，且所述基板2位于第一镀膜层I和第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层I由内向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge层、216nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、300nm厚度的SiO层、145nm厚度的Ge层、114nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、454nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、220nm厚度的SiO层、208nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、567nm厚度的SiO层、206nm厚度的Ge层、248nm厚度的SiO层、222nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、256nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、635nm厚度的SiO层、293nm厚度的Ge层、1264nm厚度的SiO层、273nm厚度的Ge层、1109nm厚度的SiO层、414nm厚度的Ge层和526nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、1292nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、2583nm厚度的SiO层、409nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层、155nm厚度的Ge层和1096nm厚度的SiO层。【权利要求】1.一种中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是:所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge层、216nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、300nm厚度的SiO层、145nm厚度的Ge层、114nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、454nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、220nm厚度的SiO层、208nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、567nm厚度的SiO层、206nm厚度的Ge层、248nm厚度的SiO层、222nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、256nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、635nm厚度的SiO层、293nm厚度的Ge层、1264nm厚度的SiO层、273nm厚度的Ge层、1109nm厚度的SiO层、414nm厚度的Ge层和526nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是：所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有：65nm厚度的Ge层、216nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、300nm厚度的SiO层、145nm厚度的Ge层、114nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、454nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、220nm厚度的SiO层、208nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、567nm厚度的SiO层、206nm厚度的Ge层、248nm厚度的SiO层、222nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、256nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、635nm厚度的SiO层、293nm厚度的Ge层、1264nm厚度的SiO层、273nm厚度的Ge层、1109nm厚度的SiO层、414nm厚度的Ge层和526nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有：279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、1292nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、2583nm厚度的SiO层、409nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层、155nm厚度的Ge层和1096nm厚度的SiO层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晶，王继平，刘晶，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：