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635纳米的窄带滤光片制造技术

技术编号:12473588 阅读:102 留言:0更新日期:2015-12-09 22:22
本实用新型专利技术公开一种635纳米的窄带滤光片,其特征为:在基板两个表面上分别沉积多层薄膜,第一膜系为多个沉积的SiO2层和TiO2层交替而成,共计24层;第二膜系也是为多个沉积的SiO2层和TiO2层交替而成,共计68层。本实用新型专利技术提供成本低、特性良好、截止区域内截止深度小于3OD,透过率大于90%,具有良好信噪比,满足高精度的激光测距仪的苛刻需要。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种光学薄膜技术,具体是635纳米的窄带滤光片
技术介绍
窄带滤光片的主要作用是对光进行光谱选择,使需要的光通过,不需要的波长光截止,它作为滤光和选择谱线的主要器件,有着广泛的应用。635纳米波长作为一种激光测距的光谱波长,现在的技术所提供的635纳米的窄带滤光片,其信噪比低,精度不高,不能满足市场要求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,我们提供一种635纳米窄带滤光片,从而实现成本低、特性良好、截止区域内截止深度小于30D、透过率大于90%、具有良好信噪比、满足高精度的测量仪器的苛刻需要。为达到上述目的,本技术公开一种635纳米的窄带滤光片,其特征是:以玻璃为基板,镀膜材料为Si02和Ti02 ;膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜,第一膜系为24层,由内到外的材料及厚度分别为Ti02层29纳米、Si02层132纳米、Ti02层68纳米、Si02层431纳米、Τ?02层68纳米、Si02层108纳米、Τ?02层68纳米、Si02层108纳米、Ti02层68纳米、Si02层108纳米、Ti02层68纳米、Si02层431纳米、Ti02层68纳米、Si02层108纳米、Τ?02层68纳米、Si02层108纳米、Τ?02层68纳米、Si02层108纳米、Τ?02层68纳米、Si02层431纳米、Ti02层68纳米、Si02层108纳米、Ti02层90纳米、Si02层121纳米;第二膜系为68层,由内到外的材料及厚度分别为Ti02层28纳米、Si02层62纳米、Ti02层48纳米、Si02层73纳米、Ti02层44纳米、Si02层67纳米、Ti02层41纳米、Si02层66纳米、Ti02层41纳米、Si02层70纳米、Τ?02层39纳米、Si02层62纳米、Ti02层37纳米、Si02层63纳米、Ti02层34纳米、Si02层68纳米、Τ?02层53纳米、Si02层81纳米、Τ?02层47纳米、Si02层77纳米、Τ?02层50纳米、Si02层84纳米、Τ?02层59纳米、Si02层83纳米、Τ?02层49纳米、Si02层77纳米、Τ?02层49纳米、Si02层84纳米、Τ?02层61纳米、Si02层85纳米、Τ?02层48纳米、Si02层72纳米、Τ?02层36纳米、Si02层75纳米、Τ?02层92纳米、Si02层152纳米、Τ?02层97纳米、Si02层145纳米、Τ?02层83纳米、Si02层144纳米、Ti02层90纳米、Si02层145纳米、Ti02层85纳米、Si02层144纳米、Τ?02层88纳米、Si02层145纳米、Τ?02层88纳米、Si02层147纳米、Τ?02层93纳米、Si02层149纳米、Τ?02层101纳米、Si02层170纳米、Τ?02层111纳米、Si02层178纳米、Ti02层103纳米、Si02层169纳米、Τ?02层105纳米、Si02层175纳米、Τ?02层108纳米、Si02层173纳米、Ti02层104纳米、Si02层173纳米、Τ?02层107纳米、Si02层173纳米、Τ?02层108纳米、Si02层170纳米、Τ?02层103纳米、Si02层84纳米。本技术公开一种635纳米的窄带滤光片,其特征为以玻璃为基板,以Si02和Τ?02为镀膜材料,采用电子束蒸发,真空度< 10\&,温度在小于250°(:以下的条件下,加以离子辅助沉积,采用反射光的间接式的控制,水晶监控沉积速率以保持其稳定的沉积速率,沉积速率少于8A/S。本技术在玻璃基板的两面,一面采用标准F-P结构进行,而另一面是一个截止次峰结构,这是一种非常优异的方法,可以大大提高产品特性,特别适用于大批量生产,物理特性也满足实际使用要求。本技术提供一种635纳米的窄带滤光片,透过率T > 90%,截止区域的截止深度小于0.1%,获得优异的信噪比,比目前市场上的产品的性能有了大幅度的提高。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一个实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例的结构示意图。图中:11是玻璃基板12是第一膜系13是第二膜系。图2为本技术实施例的测量曲线图。【具体实施方式】下面结合实施例和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。本技术公开一种635纳米的窄带滤光片,其特征是:以玻璃为基板,镀膜材料为Si02和Ti02 ;膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜,第一膜系为24层,由内到外的材料及厚度分别为Τ?02层29纳米、Si02层132纳米、Τ?02层68纳米、Si02层431纳米、Τ?02层68纳米、Si02层108纳米、Τ?02层68纳米、Si02层108纳米、Τ?02层68纳米、Si02层108纳米、Τ?02层68纳米、Si02层431纳米、Τ?02层68纳米、Si02层108纳米、Ti02层68纳米、Si02层108纳米、Ti02层68纳米、Si02层108纳米、Ti02层68纳米、Si02层431纳米、Τ?02层68纳米、Si02层108纳米、Τ?02层90纳米、Si02层121纳米;第二膜系为68层,由内到外的材料及厚度分别为Ti02层28纳米、Si02层62纳米、Ti02层48纳米、Si02层73纳米、Ti02层44纳米、Si02层67纳米、Ti02层41纳米、Si02层66纳米、Τ?02层41纳米、Si02层70纳米、Τ?02层39纳米、Si02层62纳米、Τ?02层37纳米、Si02层63纳米、Τ?02层34纳米、Si02层68纳米、Τ?02层53纳米、Si02层81纳米、Τ?02层47纳米、Si02层77纳米、Τ?02层50纳米、Si02层84纳米、Ti02层59纳米、Si02层83纳米、Ti02层49纳米、Si02层77纳米、Ti02层49纳米、Si02层84纳米、Ti02层61纳米、Si02层85纳米、Τ?02层48纳米、Si02层72纳米、Τ?02层36纳米、Si02层75纳米、Τ?02层92纳米、Si02层152纳米、Τ?02层97纳米、Si02层145纳米、Τ?02层83纳米、Si02层144纳米、Ti02层90纳米、Si02层145纳米、Ti02层85纳米、Si02层144纳米、Ti02层88纳米、Si02层145纳米、Τ?02层88纳米、Si02层147纳米、Τ?02层93纳米、Si02层149纳米、Ti02层101纳米、Si02层170纳米、Ti02层111纳米、Si02层178纳米、Ti02层103纳米、Si02层169纳米、Ti02层105纳米、Si02层175纳米、Τ?02层108纳米、Si02层173纳米、Ti02层104纳米、Si02层173纳米、Τ?02层107纳米、Si02层173纳米、Τ?02层108纳米、Si02层170纳米、Τ?02层103纳米、Si02层84纳米。通过上述技术方案,本技术通过采用玻璃为基板,以Si02和Ti02本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种635纳米的窄带滤光片,其特征是:在基板两个表面上分别沉积多层薄膜,第一膜系为24层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层29纳米、SiO2层132纳米、TiO2层68纳米、SiO2层431纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层431纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层431纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层90纳米、SiO2层121纳米;第二膜系为68层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层28纳米、SiO2层62纳米、TiO2层48纳米、SiO2层73纳米、TiO2层44纳米、SiO2层67纳米、TiO2层41纳米、SiO2层66纳米、TiO2层41纳米、SiO2层70纳米、 TiO2层39纳米、SiO2层62纳米、TiO2层37纳米、SiO2层63纳米、TiO2层34纳米、SiO2层68纳米、TiO2层53纳米、SiO2层81纳米、TiO2层47纳米、SiO2层77纳米、 TiO2层50纳米、SiO2层84纳米、TiO2层59纳米、SiO2层83纳米、TiO2层49纳米、SiO2层77纳米、TiO2层49纳米、SiO2层84纳米、TiO2层61纳米、SiO2层85纳米、TiO2层48纳米、SiO2层72纳米、TiO2层36纳米、SiO2层75纳米、TiO2层92纳米、SiO2层152纳米、TiO2层97纳米、SiO2层145纳米、TiO2层83纳米、SiO2层144纳米、TiO2层90纳米、SiO2层145纳米、TiO2层85纳米、SiO2层144纳米、TiO2层88纳米、SiO2层145纳米、TiO2层88纳米、SiO2层147纳米、TiO2层93纳米、SiO2层149纳米、TiO2层101纳米、SiO2层170纳米、TiO2层111纳米、SiO2层178纳米、TiO2层103纳米、SiO2层169纳米、TiO2层105纳米、SiO2层175纳米、TiO2层108纳米、SiO2层173纳米、TiO2层104纳米、SiO2层173纳米、TiO2层107纳米、SiO2层173纳米、TiO2层108纳米、SiO2层170纳米、TiO2层103纳米、SiO2层84纳米。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王卫国其他发明人请求不公开姓名
申请(专利权)人:王卫国
类型:新型
国别省市:湖南;43

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