一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片，包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共24层；所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共28层。本实用新型专利技术中的红外带通滤光片，在工作波段4100-5200nm内有高的透过率，而在其它波段高度截止。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种带通滤光片，特别涉及一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片。
技术介绍
带通滤光片是一种对某一波段具有高的透射率，而对其两端的波段高度截止的滤光片。中红外带通滤光片是在中红外波长范围内，在中心波长有较高的透过率，而在其余波段截止。其主要应用在红外光谱探测系统，在航天领域有非常重要的应用。随着空间红外技术的发展，对红外带通滤光片的波形要求也越来越高，需要能够有效滤除背景杂散信号，提高探测系统的信噪比。另外，除了对滤光片光学特性的高要求，在空间
对红外滤光片膜层可靠性也有极高的要求，目前可供选择的红外滤光片膜层材料品种很少，在制备时仍有很大的难度。
技术实现思路
本技术为克服现有技术的不足，提供一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片。为达到上述目的，本技术采用如下的技术方案：一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片，包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共24层；所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共28层。进一步的，所述基片为锗基片，所述基片厚度为0.3mm。相对现有技术，本技术的有益效果为：本技术中的红外带通滤光片，在工作波段4.1-5.2微米内有高的透过率，而在其它波段高度截止。附图说明图1为本技术一实施例所述的工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片的结构示意图。图2为本技术一实施例所述的正面膜系透过率曲线图；图3为本技术一实施例所述的反面膜系透过率曲线图；图4为本技术一实施例所述的工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片的透过率曲线透过率曲线图。附图标记1-正面膜系；2-基片；3-背面膜系。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片，包括正面膜系1、基片2和背面膜系3，所述正面膜系1由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共24层；所述背面膜系3由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共28层。所述基片2为锗基片，所述基片厚度为0.3mm，所述锗基片两面抛光，两个面上分别镀制正面膜系和反面膜系。作为本技术的一实施例，正面膜系1中λ＝6.7μm，H为λ0/4的锗膜层，L代表厚度为λ0/4的一氧化硅层。其中正面膜系1的主要构成如下：0.2H0.096L0.255H1.151L1.079H1.02L1.003H0.99L0.989H0.982L0.985H0.978L0.985H0.977L0.987H0.98L0.991H0.986L1.001H1L1.028H1.044L1.074H0.536L正面膜系1透过率曲线如图2所示。反面膜系3中λ＝3.035μm，H为λ0/4的锗膜层，L为代表厚度为λ0/4的一氧化硅膜层。反面膜系3的主要构成如下：0.2H0.265L1.436H0.545L1.326H0.743L1.109H0.966L0.999H0.965L1.081H0.919L1.029H0.86L0.685H0.292L0.628H0.753L0.765H0.595L0.283H0.792L0.856H0.54L0.676H0.24L0.724H1.921L反面膜系3透过率曲线如图3所述。当正面膜系和反面膜系镀于基板上时，最终得到的中红外带通滤光片的透过率曲线如图4所示。该滤光片在可见光-3.7μm，绝对透过率≤1.0％；在3.8-3.9μm范围内，透过率≤5.0％；在4.05-4.15μm和在5.2-5.35μm范围内，透过率＝50％；在4.35-4.85μm范围内，绝对透过率≥90％；在4.95μm处，透过率≥80％；在5.4-6μm范围内，透过率≤5.0％。本专利中的红外带通滤光片，在工作波段4.1-5.2微米内有高的透过率，而在其它波段高度截止。尽管本技术的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本技术的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本技术并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工作波段为4100‑5200nm的中红外带通滤光片，其特征在于包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共24层；所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共28层。

【技术特征摘要】
1.一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片，其特征在于包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共24层；所述背面膜系由一氧化硅层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：周东平，
申请(专利权)人：苏州晶鼎鑫光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32