本发明专利技术公开了一种六氟化硫气体检测用红外滤光片及其制备方法，红外滤光片基底材料选用单晶Si，高折射率材料选用Ge，低折射率材料选用ZnS。在基板两个表面上分别沉积主膜系面薄膜和干涉截止膜系面薄膜。其镀膜工艺条件是Ge选用电子束蒸镀，沉积速率为ZnS选用多孔钼舟电热蒸镀，沉积速率为开始蒸镀真空度为1.0×10‑3Pa，沉积温度为130℃。本发明专利技术提供的一种六氟化硫气体检测用红外滤光片及其制备方法得到的10560nm带通红外滤光片，峰值透过率可达90％以上，极大的提高信噪比，很好的抑制其他气体的干扰，提高仪器探测精度和效能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种红外滤光片生产技术，具体涉及一种六氟化硫气体检测用红外滤光片及其制备方法。
技术介绍
红外气体浓度探测原理是根据气体红外特征吸收峰测定气体浓度，因此选择特定波长的红外气体分析滤光片是红外气体分析仪的关键部件。光源发出的光经过滤光片后，得到一定带宽的准单色光(带宽越窄单色度越好)，该光通过气体样品池被气体吸收后，由检测器检测出射光强，从而推算出气体的浓度。一些制冷业、电气业、采矿业设备中的SF6气体泄漏，一方面会引起设备内部绝缘性能的下降，给电力设备的安全运行带来安全隐患；另一方面SF6作为一种强温室效应气体会对大气环境造成严重的污染且对人的身体有毒害作用。同时，由于SF6气体无色无味和设备结构复杂，很难快速准确地定位漏气部位。光学成像法是近年来SF6气体泄漏检测的一项新技术，比较成熟的方法有激光成像法和红外成像法，两者都是利用SF6气体的红外吸收特性使泄漏气体在视域内清晰可见，能在设备带电的情况下进行检测。相比之下，红外成像法光学通量高，仪器轻便，更适合于现场的实时快速检测。但是，就目前用于测量SF6气体的10560nm带通红外滤光片，其通带较宽，截止波段不够宽，峰值透射率较低，所以测量准确性、稳定性以及抗干扰的能力还有待提升，灵敏度差，不能满足市场发展的需要。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种峰值透过率高，能极大的提高信噪比，有效检测六氟化硫气体的10560nm带通红外滤光片及其制作方法。为了实现上述目的，本专利技术所设计的一种六氟化硫气体检测用红外滤光片，其特征是：(1)采用单晶Si作基板；硅双面抛光，厚度300±10μm，晶向<100>。(2)镀膜材料选择硫化锌ZnS和锗Ge，在基板两个表面上分别沉积主膜系面薄膜和干涉截止膜系面薄膜。(3)主膜系面薄膜结构采用Sub/(HL)6H(LH)L(HL)4H(LH)L(HL)6H(LH)L/Air。(4)干涉截止膜系面薄膜采用：Sub/0.265(0.5HL0.5H)6 0.378(0.5HL0.5H)60.53(0.5HL0.5H)6 0.738(0.5HL0.5H)6/Air。膜系中符号含义分别为：Sub为基板，Air为空气，H和L分别代表膜层Ge(高折射率材料层)和膜层ZnS(低折射率材料层)的一个1/4波长光学厚度，中心波长λ＝10560nm，1H＝(4nH d)/λ；1L＝(4nL d)/λ，结构式中数字为膜层的厚度系数、结构式中的指数是膜堆镀膜的周期数。上述的一种六氟化硫气体检测用红外滤光片的制备方法，以单晶硅Si为基板，硫化锌ZnS和锗Ge为镀膜材料，采用真空热蒸发薄膜沉积的方法制备镀膜层，Ge选用电子束蒸镀，沉积速率为ZnS选用多孔钼舟电热蒸镀，沉积速率为开始蒸镀真空度为1.0×10-3Pa，沉积温度为130℃。上述的一种六氟化硫气体检测用红外滤光片的制备方法，采用光学监控法控制膜层厚度，并辅以石英晶控控制沉积速率。上述制备得到的10560nm带通红外滤光片，主膜系采用多腔窄带膜系结构，配合高截止深度的干涉截止膜系，中心波长为10560nm，10420nm～10700nm波段平均透过率为91.86％，半高宽为370nm；除中心波长10560nm带宽370nm的通带外，从1000～13000nm范围内的其余光谱全部截止，1000～10250nm平均透射率为0.27％，10870～13000平均透射率为0.4％，能极大的提高信噪比，可以很好的抑制其他气体的干扰，产品光学性能和物理强度能很好的满足实际使用要求，广泛应用于六氟化硫气体红外探测仪器，提高仪器探测精度和效能，可以做到更快速、更精确的确认泄漏点。本专利技术与现有技术相比具有以下优点：1、滤光片与传统技术方法相比，具有中心波长为10560nm的窄带透过光谱，透射带的上升沿和下降沿陡峭，波形矩形度好，峰值透过率>90％、截止区域内截止深度<0.4％，因此10560nm的有效工作波段可以尽可能大的透过，而其余无效波段的背景干扰信号则极大的减小，因而可取得优异的信噪比，提高仪器的测试灵敏度和精度。2、本专利技术制备的滤光片工艺简单，已能形成批量生产，性能稳定，满足高精度六氟化硫气体红外探测仪器的性能要求。附图说明图1是本专利技术所述六氟化硫气体检测用红外滤光片的结构示意图。其中：基底1为单晶Si，膜层材料2为Ge，膜层材料3为ZnS。图2是滤光片最终性能实测曲线图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。实施例1：如图1所示，本实施例提供的一种六氟化硫气体检测用红外滤光片是：(1)采用尺寸为Φ50.8×0.3mm的单晶Si作基板；硅双面抛光，厚度300±10μm，晶向<100>。(2)镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗Ge，在基板两个表面上分别沉积主膜系面薄膜A和干涉截止膜系面薄膜B。(3)主膜A系面薄膜采用：Sub/(HL)6H(LH)L(HL)4H(LH)L(HL)6H(LH)L/Air。(4)干射膜系B面薄膜采用：Sub/0.265(0.5HL0.5H)6 0.378(0.5HL0.5H)6 0.53(0.5HL0.5H)6 0.738(0.5HL0.5H)6/Air。膜系中符号含义分别为：Sub为基板，Air为空气，H和L分别代表膜层2(Ge)(高折射率材料层)和膜层3(ZnS)(低折射率材料层)的一个1/4波长光学厚度，中心波长λ＝10560nm，1H＝(4nH d)/λ；1L＝(4nL d)/λ，结构式中数字为膜层的厚度系数、结构式中的指数是膜堆镀膜的周期数。本实施例提供的一种六氟化硫气体检测用红外滤光片的制备方法，以单晶硅Si为基板，硫化锌ZnS和锗Ge为镀膜材料，采用真空热蒸发薄膜沉积的方法制备镀膜层，Ge选用电子束蒸镀，沉积速率为ZnS选用多孔钼舟电热蒸镀，沉积速率为开始蒸镀真空度为1.0×10-3Pa，沉积温度为130℃。由于具体如何蒸发采用电子枪蒸发和采用阻蒸热蒸发镀膜是本领域技术人员所掌握的常规技术，在此不作详细描述。本实施例提供的一种本专利滤光片采用一面镀多腔窄带膜系，提高有效工作波段的透过率和波形矩形度，一次改善有效信号强度；另一面镀高截止深度的干涉截止膜系，到达1000～13000nm的范围内除通带外的所有无效次峰。本实施例提供的六氟化硫气体检测用红外滤光片，其中心波长定位精度在1％以内，对膜系采用光学监控法控制膜层厚度，并辅以石英晶控控制沉积速率。采用德国Bruker公司VERTEX 70型傅里叶红外光谱仪对所制备的滤光片进行测试。本滤光片最终性能结构如图2的滤光片最终性能实测曲线图：1.中心波长λ＝10560nm；2.带宽Δλ＝370nm；3.波形系数Δλ10％/Δλ50％＝1.397；4.峰值透过率Tp＝91.86％；除通带外1000～13000nm Tavg≤0.4％。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例，并非对本专利技术作任何限制，凡是根据本专利技术技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变换，均仍属于本专利技术技术方案的保护范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种六氟化硫气体检测用红外滤光片，其特征在于：(1)采用单晶Si作基板；硅双面抛光，厚度300±10μm，晶向<100>；(2)镀膜材料选择硫化锌ZnS和锗Ge，在基板两个表面上分别沉积主膜系面薄膜和干涉截止膜系面薄膜；(3)主膜系面薄膜结构采用Sub/(HL) 6H(LH)L(HL) 4H(LH)L(HL) 6H(LH)L/Air；(4)干涉截止膜系面薄膜采用：Sub/0.265(0.5HL0.5H)6 0.378(0.5HL0.5H)6 0.53(0.5HL0.5H)6 0.738(0.5HL0.5H)6/Air；膜系中符号含义分别为：Sub为基板，Air为空气，H和L分别代表膜层Ge(高折射率材料层)和膜层ZnS(低折射率材料层)的一个1/4波长光学厚度，中心波长λ＝10560nm，1H＝(4nH d)/λ；1L＝(4nL d)/λ，结构式中数字为膜层的厚度系数、结构式中的指数是膜堆镀膜的周期数。
【技术特征摘要】
1.一种六氟化硫气体检测用红外滤光片，其特征在于：(1)采用单晶Si作基板；硅双面抛光，厚度300±10μm，晶向<100>；(2)镀膜材料选择硫化锌ZnS和锗Ge，在基板两个表面上分别沉积主膜系面薄膜和干涉截止膜系面薄膜；(3)主膜系面薄膜结构采用Sub/(HL) 6H(LH)L(HL) 4H(LH)L(HL) 6H(LH)L/Air；(4)干涉截止膜系面薄膜采用：Sub/0.265(0.5HL0.5H)6 0.378(0.5HL0.5H)6 0.53(0.5HL0.5H)6 0.738(0.5HL0.5H)6/Air；膜系中符号含义分别为：Sub为基板，Air为空气，H和L分别代表膜层Ge(高折射率材料层)和膜层ZnS(低折射率材料层)的一个1/4波长光学厚度，中心波长λ＝10560nm，1H＝(4nHd)/λ；1L＝(4nL d)/λ，结构式中数字为膜层的厚度系数、结构式中的指...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂武，张旭，邵海成，侯海港，
申请(专利权)人：镇江爱豪科思电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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