【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
纳米吸气剂制备方法,其特征在于其步骤为:1)采用化学气相沉积法在硅基上生长碳纳米管:先将溅射有催化剂的基底硅片样品放入石英管中,并抽真空至100~250Torr,通25~200sccm的保护气Ar+H↓[2]至0.8~1.2atm, 将炉内加热到850~1100℃,维持这个炉温,关闭Ar+H↓[2],接着持续通25~200sccm的CH↓[4]5~30min,反应结束,关闭CH↓[4],在Ar+H↓[2]的保护下冷却至50~300℃,取出样品;2)在碳纳米管上均 匀涂布厚度为10~50nmTi膜金属。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:孙道恒,陈松平,
申请(专利权)人:厦门大学,
类型:发明
国别省市:92[中国|厦门]
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