电化学深刻蚀方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种微机电系统器件的制作方法，尤其是电化学深刻蚀方法，还涉及电化学深刻蚀方法的装置，属于微电子以及微机电系统技术领域。本发明专利技术所述的电化学深刻蚀方法为，将传统的电化学深刻蚀装置添加与样品表面垂直的磁场，或者将电化学深刻蚀装置放在温度为－１０℃～１５℃的环境中进行。由于磁场的作用，限制横向电流，克服了在阳极氧化过程中存在横向侵蚀，以及在一些结构的边缘出现坍塌等现象。控制温度可以降低散流子的晶格散射几率，使电化学深刻蚀效果更佳。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电化学深刻蚀方法，首先，对样品背面进行同型离子注入并退火激活、在正面淀积掩膜层、通过光刻刻蚀掩膜层打开腐蚀窗口、利用各向异性腐蚀液形成倒金字塔结构，再放进电化学反应槽中进行阳极氧化，其特征在于：电化学深刻蚀过程在磁场中进行，且磁场的方向与样品表面垂直。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王连卫，陈瑜，赖宗声，
申请(专利权)人：上海纳晶科技有限公司，华东师范大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]