刻蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种刻蚀方法，该刻蚀方法能够通过非常精细的刻蚀开口以较好的构造精度，形成具有大的空间部分或复杂结构的空腔部分。如下进行对被处理物体的刻蚀处理：首先，将被处理物体暴露于包含刻蚀反应种的处理流体（第三步骤Ｓ３和第四步骤Ｓ４）；然后，降低处理腔中的压强以使被处理物体附近的处理流体的密度低于在第四步骤Ｓ４中的密度（第一步骤Ｓ１）。在重复第一步骤Ｓ１到第四步骤Ｓ４的同时，在第一步骤Ｓ１之后进行的第三步骤Ｓ３和第四步骤Ｓ４中，包含刻蚀反应种的处理流体被重新输入到其中放置有被处理物体的处理气氛中，以使被处理物体附近的处理流体的密度高于第一步骤Ｓ１中的密度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，并且特别地涉及适用于如下情形的即在半导体装置或微机械产品中形成具有空腔部分的微结构时，待形成的空腔部分比刻蚀开口尺寸要大的情形，或形成具有复杂结构的空腔部分的情形。
技术介绍
随着微机构技术的发展，微机械(微电子机械系统，MEMS)和包括微机械的小型装置已经引起人们的注意。微机械是一种装置，其中可移动部分与用于控制驱动该可移动部分的半导体集成电路等通过机械、电的方式组合起来，可移动部分包括在衬底(比如硅衬底和玻璃衬底)上形成的三维结构。在这样的微机械领域中，用于提供三维结构的传统技术通常是这样的先在衬底上形成牺牲层，在经图案化的该牺牲层上形成结构元件层，然后选择性地去除牺牲层，由此提供了在图案化结构层下具有空腔部分的三维结构。二氧化硅(SiO2)或硅(Si)可以被用作牺牲层。如果使用二氧化硅形成牺牲层，那么使用氟(F)类刻蚀液作为刻蚀剂，如果使用硅形成牺牲层，那么使用诸如氟化氙(XeF2)、氟化溴(BrF3)的刻蚀气体作为刻蚀剂，例如在日本专利申请公开No.2002-214548中，尤其是在第0002和0030自然段提到。例如，如果形成具有如图1所示结构的三维本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀方法，包括：重复地进行第一处理和第二处理，其中所述第一处理通过将被处理物体暴露于包含刻蚀反应种的处理流体来进行对所述被处理物体的刻蚀处理；所述第二处理使在所述被处理物体周围的所述处理流体的密度低于所述 第一处理的密度；以及在所述第二处理之后进行的所述第一处理中，包含所述刻蚀反应种的处理流体被重新供给到其中放置有所述被处理物体的处理气氛中，并且使得所述被处理物体周围的所述处理流体的密度高于所述第二处理的密度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：逢坂勉，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]