具有更低相变温度的掺杂改性二氧化钒粉体制备方法技术

技术编号:13166346 阅读:157 留言:0更新日期:2016-05-10 11:42
本发明专利技术公开一种用W/Mo掺杂改性的、具有较现有技术的二氧化钒粉体更低相变温度的二氧化钒超细粉体的制备方法。本发明专利技术的二氧化钒粉体的制备方法是以含钨和含钼的化合物为钨源和钼源进行掺杂,利用共沉淀法掺杂制备出W-VO2或Mo-VO2前驱体,再将所得到的W-VO2或Mo-VO2前驱体在隋性气氛保护下450~700℃进行焙烧处理,然后在保护气氛下缓慢自动降温到室温,再进行分散处理得到W或Mo掺杂改性的纳米二氧化钒超细粉体。本发明专利技术的方法由于不是物理掺杂,因此所制备的W/Mo掺杂的VO2纳米材料成本低,纯度高,具得到的粉体具有较现有技术的VO2纳米材料更低的相变温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有低相变温度的二氧化钒超细粉体的制备方法,确切讲本专利技术是一种用W/Mo掺杂改性的具有较现有技术的二氧化钒粉体更低相变温度的二氧化钒超细粉体的制备方法。
技术介绍
1959年Morin发现了 VO2能够在68°C左右发生金属一半导体的一级可逆相变。在相变同时,VO2的结构和性能在纳秒级时间范围内发生突变,从低温的单斜结构变化到高温的四方结构,同时伴随光学性质、电学性质的突变,例如,电阻率变化4-5个数量级,光学透过(尤指红外波段)将由高透过转变为低透过甚至接近不透过。由于相变前后性质发生了飞跃,VO2可以应用到不同的领域,比如热敏电阻、热致开关、可变反射镜、光盘介质材料、智能玻璃等二氧化钒是一种相变金属化合物。优良的二氧化钒薄膜两态透射率可分别达85%和1%。可用于探测器的激光防护。安装在红外光电传感器及光电探测器窗口,防止大功率激光或热红外波损害的光学系统和光学元件也在研制之中。但是VO2的相变温度高于室温,这一点限制了材料能够应用的范围,因而如何降低VO2的相变温度成为研究热点。通常采用的方法为掺杂W、Mo、Ta、Nb等元素降低其相变温度。有文献报本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有更低相变温度的掺杂改性二氧化钒粉体的制备方法,其特征在于以VO2为前驱体,以含钨和含钼的化合物为钨源和钼源进行掺杂,W与Mo以VO2的原子百分比1~10%进行掺杂,利用共沉淀法掺杂制备出W‑VO2或Mo‑VO2前驱体,再将所得到的W‑VO2或Mo‑VO2前驱体在隋性气氛保护下450~700℃进行焙烧处理,然后在保护气氛下缓慢自动降温到室温,再进行分散处理得到W或Mo掺杂改性的纳米二氧化钒超细粉体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈伟李植开刘相王雨琦
申请(专利权)人:山东海容节能新材料有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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