半导体芯片及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体芯片及其形成方法，所述半导体芯片具有集成电路以及与所述集成电路电连接的焊垫，所述焊垫包括至少两层金属层以及位于相邻金属层之间的介质层；所述焊垫上具有激光打孔区域，介质层上对应所述激光打孔区域设置开口，在所述开口中设置金属塞，所述金属塞的两端分别与相邻的金属层接触，本发明专利技术提高了焊垫的激光打孔的质量且降低了激光打孔的难度，激光作用于金属物质上而避免与介质层接触，能够有效防止介质层热变形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片
，尤其涉及半导体芯片的结构制造领域。
技术介绍
激光打孔技术在半导体领域有着广泛的应用，特别是在半导体芯片的封装领域。请参考图1以及图2，图1为晶圆级半导体芯片结构示意图，图2为半导体芯片的封装结构示意图，请参考图1，晶圆100具有多个阵列排布的半导体芯片201，彼此相邻的多个半导体芯片201之间设置有切割道区域，后续再完成晶圆级封装和测试之后沿切割道区域将半导体芯片201彼此分离。每一半导体芯片201具有集成电路以及与所述集成电路电连接的多个焊垫202，焊垫202用于与外部电路建立电连接。请参考图2，本例以影像传感芯片为例，半导体芯片201的第一表面I上具有保护层203，焊垫202位于保护层203内，保护层203上对应感光区域设置有光学器件层207，保护基板200上设置有间隔墙205，当半导体芯片201与保护基板200对位压合后，光学器件层207位于间隔墙205包围形成的空腔206内。本例中，为了实现焊垫202与外部电路建立电连接，在焊垫202上形成穿透焊垫202的激光孔209，在激光孔209内形成延伸至半导体芯片201第二表面II上的金属布线层210，然后在第二表面II上形成与金属布线层210连接的锡球212，通过锡球212实现焊垫202与外部电路电连接。当然，为了避免金属布线层210与半导体芯片201中的其他电路互相干扰，在半导体芯片201上形成有绝缘层208a以及绝缘层211将金属布线层与其他电路隔离。焊垫的结构以及材质直接影响了激光打孔的质量以及难易程度，因此，如何提高焊垫的激光打孔的质量以及降低激光打孔的难度成为本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术通过设计一种新型的焊垫结构，提高了焊垫的激光打孔的质量以及降低了激光打孔的难度。本专利技术提供一种半导体芯片，具有集成电路以及与所述集成电路电连接的焊垫，所述焊垫包括至少两层金属层以及位于相邻金属层之间的介质层;所述焊垫上具有激光打孔区域，介质层上对应所述激光打孔区域设置开口，在所述开口中设置金属塞，所述金属塞的两端分别与相邻的金属层接触。优选的，所述至少两层金属层包括第一金属层以及与所述第一金属层相邻的第二金属层，所述金属塞包含:与所述第一金属层以及所述开口的侧壁接触的阻挡层;位于所述阻挡层上的扩散阻挡层;位于所述扩散阻挡层上且填充所述开口的填充金属。优选的，所述填充金属的材质为钨。优选的，所述阻挡层的材质为钛，所述扩散阻挡层的材质为氮化钛。优选的，所述介质层中开口之外的区域具有多个导电塞，所述导电塞的两端分别与相邻的金属层电连接。优选的，所述导电塞的材质与所述金属塞的材质相同。优选的，所述激光打孔区域内设置有激光孔，所述激光孔穿透所述金属层以及所述金属塞。本专利技术还提供一种上述半导体芯片的形成方法，包含如下步骤:提供晶圆，所述晶圆具有多个阵列排布的半导体芯片;在所述半导体芯片上形成集成电路;在所述半导体芯片上形成与所述集成电路电连接的焊垫;所述焊垫包括至少两层金属层以及位于相邻金属层之间的介质层;所述焊垫上具有激光打孔区域，所述介质层上对应所述激光打孔区域设置开口，在所述开口中设置金属塞，所述金属塞的两端分别与相邻的金属层接触。优选的，在形成所述金属塞的同时在所述介质层中开口之外的区域形成多个导电塞，所述导电塞的两端分别与相邻的金属层电连接。优选的，形成金属塞的步骤包括:采用刻蚀工艺在所述介质层上形成开口；采用沉积工艺在所述开口的底部以及所述开口的侧壁形成阻挡层;采用沉积工艺在所述阻挡层上形成扩散阻挡层;采用沉积工艺在所述扩散阻挡层上形成填充所述开口的填充金属。本专利技术的有益效果是提高了焊垫的激光打孔的质量且降低了激光打孔的难度，激光作用于金属物质上而避免与介质层接触，能够有效防止介质层热变形，防止激光孔的内壁上产生裂纹，且，由于激光孔侧壁全部是金属，提高了焊垫的导电性能。【附图说明】图1为现有技术晶圆的结构不意图。图2为现有技术影像传感芯片封装结构示意图。图3(a)为本专利技术优选实施例半导体芯片结构示意图。图3(b)为本专利技术优选实施例半导体芯片的剖视图。图4为本专利技术优选实施例焊垫的剖视图。图5为本专利技术优选实施例金属层的结构示意图。图6为本专利技术优选实施例设置在介质层中金属塞的结构示意图。【具体实施方式】以下将结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行详细描述。但这些实施方式并不限制本专利技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本专利技术的保护范围内。需要说明的是，提供这些附图的目的是为了有助于理解本专利技术的实施例，而不应解释为对本专利技术的不当的限制。为了更清楚起见，图中所示尺寸并未按比例绘制，可能会做放大、缩小或其他改变。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。请参考图3(a)以及图3(b)，半导体芯片301具有集成电路(图3(a)中未绘示)以及与所述集成电路电连接的多个焊垫31，焊垫31用于与外部电路建立电连接。本专利技术不限定集成电路的具体结构与功能，此处集成电路作广义的理解，即所谓的集成电路是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有某种功能的电路。在半导体芯片301的其中一个表面设置有保护层32，焊垫31设置于保护层32内。焊垫31上具有激光打孔区域310，在后续的激光打孔工艺中，激光孔设置在激光打孔区域且激光打孔区域的面积大于激光孔的面积，为了简便激光打孔操作，方便激光孔定位至激光打孔区域，将激光打孔区域设置于焊垫31的中心位置，如此，在激光打孔操作中只要将激光对准焊垫31的中心位置而不需要增设激光对准标记。于本实施例中，激光打孔区域310的形状为正方形，本专利技术不具体限定激光打孔区域310的形状，其形状也可以是圆形的，只要保证激光孔位于激光打孔区域内且激光孔的侧壁与激光打孔区域310的侧壁之间具有一定的间隔。图4为焊垫31的剖视图，于此实施例中，焊垫31具有四层金属层，分别是第一金属层311、第二金属层312、第三金属层313以及第四金属层314，第一金属层311与第二金属层312之间具有第一介质层315，第二金属层312与第三金属层313之间具有第二介质层316，第三金属层313与第四金属层314之间具有第三介质层317。每一介质层对应激光打孔区域310设置开口，并在开口中设置金属塞，对应图4中第一金属塞325、第二金属塞326以及第三金属塞327当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片，具有集成电路以及与所述集成电路电连接的焊垫，所述焊垫包括至少两层金属层以及位于相邻金属层之间的介质层；其特征在于，所述焊垫上具有激光打孔区域，介质层上对应所述激光打孔区域设置开口，在所述开口中设置金属塞，所述金属塞的两端分别与相邻的金属层接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王之奇，王鑫琴，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32